一种用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚及其制备方法技术

本申请提供了一种用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚的制备方法，其包括步骤：在熔炼坩埚中进行铂的熔炼，然后通入氧气5～30min至浇铸时，停止通入氧气，浇铸成铂锭；将铂锭进行热锻，轧片，第一次退火，粗旋压，第二次退火，精旋压，第三次退火，制备得到用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚。采用本申请的制备方法制备的铂坩埚，表面光洁，壁厚均匀，板料一次成型，整个坩埚没有接缝，使得晶体生长炉的温场易于控制，为生长高质量的铅基弛豫铁电单晶提供了必要条件；通过在熔炼过程中对铂进行熔炼提纯，减少了铂坩埚在晶体生长过程中的漏料率，还可反复进行熔炼旋压再制备铂坩埚，使铂得到循环使用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶体生长，特别是涉及一种用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚的制备方法。

技术介绍

1、铌镁酸铅-钛酸铅(分子式为(1-x)[pb(mg1/3nb2/3)o3]-x[pbtio3]，简称pmn-pt，缩写为pmnt)和铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(分子式为x[pb(in1/2nb1/2)o3]-y[pb(mg1/3nb2/3)o3]-z[pbtio3]，其中，x+y+z＝1，简称pin-pmn-pt，缩写pimnt)是两种具有优异压电性能的铅基弛豫铁电单晶材料，被认为是下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。pmnt和pimnt的熔点高达1280℃，生长晶体的原料需要在1300℃以上的温度下熔化，而且每个晶棒生长周期较长，一般30天左右。因此，一般选用熔点较高的贵金属铂作为晶体生长的坩埚材料。铂坩埚在长期高温含铅环境下也会被腐蚀，甚至在晶体生长过程中发生原料泄漏现象。漏料不仅使晶体生长失败，严重影响晶体成品率，甚至毁坏炉膛，还会造成铂损耗加重，以及大量的铅蒸气遗漏污染环境。因此，铂坩埚的制备是晶体制备的一个重要环节。现有铂坩埚制备技术一般选用模本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚的制备方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，通入氧气时所述熔炼的温度为1700～2000℃；通入氧气前所述熔炼的温度为1700～2000℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述热锻的温度为600～1000℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一次退火的温度为800～1000℃，时间为1～3小时；所述第二次退火的温度为800～1000℃，时间为1～3小时；所述第三次退火的温度为800～1000℃，时间为1～3小时。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中...

【技术特征摘要】

1.一种用于铅基弛豫铁电单晶生长的铂坩埚的制备方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，通入氧气时所述熔炼的温度为1700～2000℃；通入氧气前所述熔炼的温度为1700～2000℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述热锻的温度为600～1000℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一次退火的温度为800～1000℃，时间为1～3小时；所述第二次退火的温度为800～1000℃，时间为1～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，郑彧，童亚琦，王震，
申请(专利权)人：中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：