【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，特别涉及一种led芯片转移方法。
技术介绍
1、芯片剥离转移广泛应用于led芯片等高性能器件的封装制造中，是电子封装性能和可靠性提升的关键，其通常采用芯片-胶层-蓝膜的层合结构，芯片剥离就是使芯片-胶层粘接界面破裂，从而实现芯片与蓝膜的脱离。
2、传统芯片剥离主要采用顶针剥离转移装置，该装置包含剥离转移和吸嘴拾取两个步骤。其中，剥离转移过程主要分为三个阶段：接触-冲击阶段、界面剥离阶段、吸嘴拾取阶段，前两个阶段分别表现出瞬时冲击行为和长时稳态剥离行为，最后一个阶段是芯片完全剥离的最后过程。在顶针顶起的瞬间，由于接触时间短，冲击力较大，顶针会刺穿蓝膜，然后在较长的时间段内，顶针、蓝膜和芯片三者一同以相同速度匀速上升，当界面剥离能量释放率大于胶层的剥离能量释放率极限值时，芯片-胶层粘接界面出现裂纹并扩展，最后吸嘴通过真空吸附的作用促使芯片与蓝膜完全分离。
3、由于现有技术中仅仅只对蓝膜进行扩膜处理，对蓝膜上的胶层粘附性影响较小，而一般蓝膜上的胶层粘附性较大，对应顶针施加的力度和顶升位移也会较大，一方面在顶升的过程中顶针力度太大很有可能将芯片顶破，另一方面在顶升的过程中顶针位移太大，容易使蓝膜发生变形，导致蓝膜上的芯片定位位置偏离，进而导致芯片中心与顶针中心不重合，此时容易因蓝膜两边受力变形不一致而产生翻转力矩，同时还会使芯片产生相对吸嘴滑移的力，就有可能使芯片相对吸嘴发生平移，进而导致芯片姿态发生改变。
技术实现思路
1、基于此，本专利
2、本专利技术提供了一种芯片制作方法，包括以下步骤：
3、提供蓝膜和晶圆；
4、对蓝膜进行粗化处理；
5、将划片后的晶圆贴片倒模至粗化处理后的蓝膜上；
6、对粗化后的蓝膜进行扩膜处理；
7、使用顶升剥离的方式从扩膜后的蓝膜上剥离晶圆经划片后获得的芯片。
8、另外，根据本专利技术上述的led芯片转移方法，还可以具有如下附加的技术特征：
9、进一步地，使用离子束刻蚀技术对蓝膜进行粗化处理。
10、进一步地，使用离子束刻蚀技术对蓝膜进行粗化处理具体包括以下步骤：
11、将未经处理的蓝膜粘附于刻蚀机内的金属板上；
12、将刻蚀机调整至预设真空度后充入惰性气体，以使刻蚀机达到预设压强；
13、使用考夫曼型离子源轰击金属板上的蓝膜，同时对金属板上的蓝膜进行冷却。
14、进一步地，预设真空度为1.7×10-3～2.0×10-3pa。
15、进一步地，预设压强为1.8×10-2～2.0×0-2pa。
16、进一步地，考夫曼型离子源的能量为50～100ev，离子束流密度为200～300μa/cm2，离子入射角度范围为45～75°，离子轰击时间为10～20分钟。
17、进一步地，将划片后的晶圆贴片倒模至粗化处理后的蓝膜上具体包括以下步骤：
18、将贴在白膜上的晶圆进行划片裂片处理后，将粗化后的蓝膜与贴有晶圆的白膜相互贴合，使晶圆与蓝膜充分接触；
19、将白膜撕掉。
20、进一步地，对粗化后的蓝膜进行扩膜处理具体包括以下步骤：
21、将贴有芯片的蓝膜放置在扩膜机上，并通过子母环扣住；
22、均匀拉伸蓝膜至预设倍率。
23、进一步地，预设倍率为1～1.2。
24、进一步地，使用顶升剥离的方式从扩膜后的蓝膜上剥离所述晶圆经划片后获得的芯片具体包括以下步骤：
25、将晶圆放置于承载基板上，且贴合有蓝膜的一侧朝向所述承载基板；
26、将顶针置于所述承载基板背向所述蓝膜的一侧，且对准要被剥离的芯片中心；
27、匀速移动顶针使被剥离的芯片与所述蓝膜分离，并利用吸嘴吸附芯片。
28、本专利技术具有以下有益效果：通过对蓝膜进行粗化处理，使得蓝膜上的胶层的粗糙度增大，蓝膜上的胶层对其上粘附的led芯片粘附性减小，从而减小了led芯片的剥离难度；进一步地对蓝膜进行扩膜处理，使得粘附在蓝膜胶层上的led芯片的间距增加，经拉伸后的蓝膜胶层粗糙度会进一步增大，从而进一步减小了led芯片的剥离难度，如此在进行剥离转移时，可以相应减少顶针的顶升位移和减弱顶升力度，从而有效控制了蓝膜的形变，防止led芯片位置偏离、滑移、姿态改变，以及减小led芯片被顶针顶破的概率。
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1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，使用离子束刻蚀技术对所述蓝膜进行粗化处理。
3.根据权利要求2所述的LED芯片转移方法，其特征在于，使用离子束刻蚀技术对所述蓝膜进行粗化处理包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述预设真空度为1.7×10-3～2.0×10-3Pa。
5.根据权利要求3所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述预设压强为1.8×10-2～2.0×0-2Pa。
6.根据权利要求3所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述考夫曼型离子源的能量为50～100eV，离子束流密度为200～300μA/cm2，离子入射角度范围为45～75°，离子轰击时间为10～20分钟。
7.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，将划片后的晶圆贴片倒模至粗化处理后的蓝膜上包括以下步骤：
8.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，对粗化后的蓝膜进行扩膜处理包括以下步骤：<...
【技术特征摘要】
1.一种led芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的led芯片转移方法，其特征在于，使用离子束刻蚀技术对所述蓝膜进行粗化处理。
3.根据权利要求2所述的led芯片转移方法，其特征在于，使用离子束刻蚀技术对所述蓝膜进行粗化处理包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的led芯片转移方法，其特征在于，所述预设真空度为1.7×10-3～2.0×10-3pa。
5.根据权利要求3所述的led芯片转移方法，其特征在于，所述预设压强为1.8×10-2～2.0×0-2pa。
6.根据权利要求3所述的led芯片转移方法，其特征在于，所述考夫曼型...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志兵，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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