【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的方面涉及半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装，更具体地，涉及包括测试焊盘的半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装。
技术介绍
1、如在这里描述的，半导体器件可以指半导体芯片或半导体封装，或者可以指例如在被分离之前形成在晶片上的一组半导体芯片。在集成了许多单位半导体芯片的传统半导体器件中，单位半导体芯片可以排列成阵列，通过形成在相邻单位半导体芯片之间的划道(scribe lane)被分离，用于单个晶体管元件等的特性评估元件可以形成在每个单位半导体芯片上，并且用于施加测试信号以测试特性评估元件的一个或更多个测试焊盘被包括在芯片区中。额外的测试焊盘和测试电路可以被包括在划道区中。每个半导体芯片可以在沿着划道区被锯切的同时被分离。
2、通常，在诸如硅的半导体基板上形成的半导体器件通过一系列单元工艺制造，该系列单元工艺包括多个层的层压工艺、杂质的掺杂工艺、用于这些层的图案化的光刻工艺、和蚀刻工艺。为了确定每个单元工艺是否已经被精确地执行以适合设计，可以使用测试电路和测试焊盘来检测在每个单元工艺结束时制造的半导体器件...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试元件布置在所述元件区中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试焊盘中的至少第一测试焊盘电连接到所述一个或更多个测试元件中的第一测试元件，所述第一测试元件形成在所述元件区中。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一测试焊盘电连接到所述第一测试元件和形成在所述划道区中的第二测试元件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试焊盘中的每个被布置为在第一水平方向上具有第一水平方向宽度，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试元件布置在所述元件区中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试焊盘中的至少第一测试焊盘电连接到所述一个或更多个测试元件中的第一测试元件，所述第一测试元件形成在所述元件区中。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一测试焊盘电连接到所述第一测试元件和形成在所述划道区中的第二测试元件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试焊盘中的每个被布置为在第一水平方向上具有第一水平方向宽度，所述第一水平方向宽度不同于在第二水平方向上的第二水平方向宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述一个或更多个测试焊盘中的至少一个测试焊盘的所述第一水平方向宽度和所述第二水平方向宽度之间的相对较长的水平宽度在从20微米到60微米的范围。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述元件区内沿着所述元件区的边缘布置的保护环。
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述一个或更多个第一测试焊盘中的每个具有足以允许通过具有特定尺寸的测试探针进行测试的水平面积，并且所述一个或更多个第二焊盘中的每个具有不足以使具有所述特定尺寸的...
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