一种气体传感器及其加工方法技术

技术编号:40833785 阅读:17 留言:0更新日期:2024-04-01 14:57
本发明专利技术公开了一种气体传感器及其加工方法,属于气体传感器技术领域,加工方法包括:在硅衬底上依次形成氧化层、氮化物层、加热电极和绝缘层;去除第一预设区域内的氮化物层和绝缘层,由剩余的氮化物层分别形成氮化物岛层和氮化物支撑层,由剩余的绝缘层分别形成绝缘岛层和绝缘支撑层,由氮化物岛层、加热电极和绝缘岛层形成岛部加热组件,并利用连接件连接岛部加热组件和绝缘支撑层;去除第二预设区域内的硅衬底和氧化层,由第二预设区域形成隔热槽;在绝缘岛层上形成具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极。本发明专利技术提供的气体传感器加工方法,加工工艺简单,加工而成的气体传感器具有片上去除湿度干扰结构,灵敏度高、使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种气体传感器及其加工方法,属于气体传感器。


技术介绍

1、气体传感器是将环境气体信息转化为便于识别和传输的电信号的电器件,在生产和生活中使用广泛。

2、现有的气体传感器加工工艺复杂,受湿度干扰影响较大,特别是气敏材料长时间处于高湿环境中,气敏材料中的电子传输很容易受到限制,导致内部电阻增加,响应速度变慢,进而导致气体传感器的灵敏度降低,影响气体传感器的使用寿命。

3、为了减少环境湿度对气体传感器的影响,湿度补偿是最直接有效的解决方法,即增加参考湿度传感结构对湿度响应进行补偿,更多的解决方法是用后续的器件封装的滤膜解决湿度影响。这两种方法都会增加后处理的过程以及器件的面积。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种气体传感器及其加工方法,加工工艺简单,加工而成的气体传感器具有片上去除湿度干扰结构,灵敏度高、使用寿命长。

2、为达到上述目的,本专利技术提供如下技术方案:

3、第一方面,本专利技术提供一种气体传感器加工方法,包括:

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【技术保护点】

1.一种气体传感器加工方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述绝缘岛层(51)上形成用于检测气体成分的具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极(6)包括:

3.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述绝缘岛层(51)上形成用于检测气体成分的具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极(6)还包括:利用静电纺丝在所述敏感电极(6)的周围形成纺丝疏水膜(8)。

4.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述敏感电极(6)上形成与所述绝缘岛层(51)连接的释放孔(61)包括

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【技术特征摘要】

1.一种气体传感器加工方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述绝缘岛层(51)上形成用于检测气体成分的具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极(6)包括:

3.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述绝缘岛层(51)上形成用于检测气体成分的具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极(6)还包括:利用静电纺丝在所述敏感电极(6)的周围形成纺丝疏水膜(8)。

4.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,在所述敏感电极(6)上形成与所述绝缘岛层(51)连接的释放孔(61)包括:

5.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,所述气敏材料(7)为氧化物材料,所述氧化物材料包括金属氧化物材料和掺杂贵金属的氧化物材料,所述掺杂贵金属的氧化物材料中,掺杂的贵金属为pt、pd、ag、au、ru中的一种或多种,掺杂的贵金属修饰在氧化物材料的表面。

6.根据权利要求2所述的气体传感器加工方法,其特征在于,当所述气敏材料(7)为氧化锡时,将气敏材料(7)沉积在所述敏感电极(6)的表面以及所述释放孔(61)中,烘干固化后去除所述牺牲层(611)形成金属半导体氧化物气敏腔(13)包括:

7.一种气体传感器,其特征在于,所述气...

【专利技术属性】
技术研发人员:任青颖江彦虎郭宇锋李金泽姚佳飞许杰李卫许巍刘艳牛永安
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:发明
国别省市:

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