【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电池，尤其涉及一种tbc太阳电池及其制备方法。
技术介绍
1、tbc电池(tunneling oxide passivated contact back contact，隧穿氧化层钝化接触背接触电池)由于具有良好的钝化效果被广泛应用，但当前tbc电池的制备过程中涉及的工艺复杂、步骤繁多，且同时存在漏电现象。所以，tbc电池的成品率较低，生产效率也较低。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种tbc太阳电池及其制备方法，缩短了tbc电池的制备工艺流程，进而提高了tbc电池的成品率和生产效率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种tbc太阳电池，所述电池包括：在n型单晶硅基体正面依次形成氧化铝层和氮化硅层；在n型单晶硅基体背面上形成隧穿氧化层、在隧穿氧化层上基于隔离区间隔形成n型多晶硅层和p型多晶硅、在n型多晶硅层和p型多晶硅上形成氧化铝层、在氧化铝层上形成氮化硅层、在氮化硅层上印刷的电极。
3、本专利技术还提供一种tbc太阳电池的制备方法，所述方法包括：
4、获得沉积掩膜层后的硅片；
5、在所述掩膜层上进行局部激光开槽流出隔离区，获得开槽后的硅片；
6、对所述开槽后的硅片进行双面制绒清洗，获得清洗后的硅片；
7、在清洗后的硅片的本征多晶硅层上印刷掺磷浆料和掺硼浆料，获得印刷后的硅片；
8、对所述印刷后的硅片进行退火和印刷处理，获得tbc太阳电池。
9、本专利技术的技术
10、本专利技术提供一种tbc太阳电池，所述电池包括：在n型单晶硅基体正面依次形成氧化铝层和氮化硅层；在n型单晶硅基体背面上形成隧穿氧化层、在隧穿氧化层上基于隔离区间隔形成n型多晶硅层和p型多晶硅、在n型多晶硅层和p型多晶硅上形成氧化铝层、在氧化铝层上形成氮化硅层、在氮化硅层上印刷的电极。
11、本专利技术在电池背面本征多晶硅层上印刷掺磷浆料和掺硼浆料，该步骤极大缩减了tbc电池的制备工艺流程，同时在发射极和背表面场之间留有隔离区，解决了tbc电池漏电的问题。
12、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
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1.一种TBC太阳电池，其特征在于，所述电池包括：在N型单晶硅基体正面依次形成氧化铝层和氮化硅层；在N型单晶硅基体背面上形成隧穿氧化层、在隧穿氧化层上基于隔离区间隔形成n型多晶硅层和p型多晶硅、在n型多晶硅层和p型多晶硅上形成氧化铝层、在氧化铝层上形成氮化硅层、在氮化硅层上印刷的电极。
2.一种TBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获得沉积掩膜层后的硅片，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0.1-5nm、所述本征多晶硅层的厚度为10-300nm、所述掩膜层的厚度为1-200nm。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型单晶硅片的厚度为80-200μm、所述N型单晶硅片的电阻率为0.3-50Ω·cm。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光开槽的宽度为0-100μm。
8.根据权利要求2所
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为1-20nm、所述氮化硅层的厚度为40-100nm、所述氮化硅层的折射率为1.8-2.5。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述高温退火的温度为700-1000℃、退火时间为10-100min。
...【技术特征摘要】
1.一种tbc太阳电池，其特征在于，所述电池包括：在n型单晶硅基体正面依次形成氧化铝层和氮化硅层；在n型单晶硅基体背面上形成隧穿氧化层、在隧穿氧化层上基于隔离区间隔形成n型多晶硅层和p型多晶硅、在n型多晶硅层和p型多晶硅上形成氧化铝层、在氧化铝层上形成氮化硅层、在氮化硅层上印刷的电极。
2.一种tbc太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获得沉积掩膜层后的硅片，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0.1-5nm、所述本征多晶硅层的厚度为10-300nm、所述掩膜层的厚度为1-200nm。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：高嘉庆，郭永刚，屈小勇，吴翔，张博，李翔虹，杜喜霞，刘喆，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司，
类型：发明
国别省市：
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