【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种适合产业化的poly ibc电池结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着太阳能电池技术不断发展，电池效率有了大幅提升，制备成本也在不断降低。其中背接触太阳能电池(ibc电池)因将电极栅线放置于背面的结构优势，被认为是未来量产效率最高的单结晶硅电池，在分布式、bipv、移动储能产品等方面应用前景巨大。但是，现有的钝化接触背接触电池(tbc电池或者poly ibc电池)，基区和发射区分别采用隧穿氧化层/n型掺杂poly、隧穿氧化层/p型掺杂poly的结构，两种不同掺杂类型的poly层要至少经过两次图形化工艺形成，技术工艺繁琐。此外，由于两种不同掺杂类型的poly层直接接触存在严重复合和漏电问题，影响电池效率和产品可靠性，所以必须采用图形化工艺和刻蚀等技术对n型掺杂poly和p型掺杂poly进行隔离，增加了电池结构的复杂性，导致其制备工艺流程冗长、成本高昂。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是，提供一种适合产业化的多晶硅ibc电池结构及制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种适合产业化的poly ibc电池结构，包括：
4、n型硅基体、正电极、负电极，n型硅基体的背面具有多个交叉分布的基区和发射区，基区设置有n型掺杂层；发射区设置有隧穿氧化层和p+poly层，隧穿氧化层将p+poly层与n型硅基体隔离；
5、n型硅基体的正面、以及基区和发射区的背
6、正电极，穿过发射区背面的钝化减反层，与发射区的p+ploy层接触；
7、负电极，穿过基区背面的钝化减反层，与基区的n型掺杂层接触。
8、进一步，n型掺杂层中掺杂n型掺杂源，n型掺杂层为轻掺杂层、重掺杂层或轻掺杂层与重掺杂层的组合的其中一种，轻掺杂层为进行一次n型掺杂源掺杂形成的n+掺杂层，重掺杂层为进行多次n型掺杂源掺杂形成的n++掺杂层。
9、进一步，n型掺杂层为重掺杂层，重掺杂的两侧是未进行n型掺杂源掺杂的n型硅基体，n型硅基体将重掺杂层与发射区隔离。
10、进一步，n型掺杂层为轻掺杂层，轻掺杂层的一侧与发射区接触，另一侧与发射区接触或与n型硅基体的侧边缘对齐。
11、进一步，n型掺杂层为轻掺杂层与重掺杂层的组合，重掺杂层设置于轻掺杂层的中间部位，靠近发射区一侧的轻掺杂层将重掺杂层与发射区隔离。
12、进一步，n型掺杂层中n型掺杂源的掺杂浓度低于e19/cm3。
13、进一步，n型硅基体正面与钝化减反层之间设置有n型掺杂层，n型掺杂层为轻掺杂层。
14、进一步，n型掺杂层中n型掺杂源掺杂的方式为扩散、离子注入、cvd、旋涂或激光的其中一种。
15、进一步，隧穿氧化层为sio2，生长在n型硅基体的背面，厚度为1-3nm，隧穿氧化层的生长方式为热氧化、原子沉积、臭氧氧化、热hno3氧化的其中一种。
16、进一步，p+poly层为在隧穿氧化层的背面沉积本征多晶硅后，对多晶硅掺杂p型掺杂源后得到的掺杂层，厚度为60-350nm。
17、进一步，p+poly层中沉积本征多晶硅的沉积方式为lpcvd、pecvd或pvd的其中一种。
18、进一步，p型掺杂源掺杂的方式为扩散、激光掺杂、离子注入或旋涂的其中一种。
19、本专利技术还提供一种适合产业化的poly ibc电池的制备方法，包括：
20、s1.对n型硅基体进行双面抛光、清洗；
21、s2.在n型硅基体的背面依次制备隧穿氧化层和p+ploy层；
22、s3.对隧穿氧化层和p+ploy层进行激光开槽，形成的凹槽作为基区，未开槽的部分作为发射区；
23、s4.去除凹槽顶部残留的隧穿氧化层和p+ploy层，并制备n型掺杂层；
24、s5.在n型硅基体的正面、以及基区和发射区的背面制备钝化减反层；
25、s6.在发射区的背面设置金属正电极，在基区的背面设置金属负电极。
26、与现有技术相比，本专利技术具有如下优势：
27、本专利技术中采用n型掺杂层替代了现有钝化接触背接触电池(tbc电池、poly ibc电池)背面基区的隧穿氧化层/n+poly层，通过调制n型掺杂层中n型掺杂源的掺杂浓度，在表面沉积钝化减反膜，ivoc可以达到735mv，接近隧穿氧化层/n+poly的钝化效果ivoc 740v。本专利技术在制备过程中只使用了一次图形化技术，并且电池背面的基区和发射区不需要隔离。综上所述，与现有钝化接触背接触电池相比，本专利技术的电池结构的光电转换的效率相当，简化了制备流程，降低了成本，更适合产业化。
28、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
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1.一种适合产业化的PolyIBC电池结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的适合产业化的PolyIBC电池结构，其特征在于，所述N型掺杂层中掺杂N型掺杂源，所述N型掺杂层为轻掺杂层、重掺杂层或轻掺杂层与重掺杂层的组合的其中一种，所述轻掺杂层为进行一次N型掺杂源掺杂形成的N+掺杂层，所述重掺杂层为进行多次N型掺杂源掺杂形成的N++掺杂层。
3.根据权利要求2所述的适合产业化的PolyIBC电池结构，其特征在于，所述N型掺杂层为重掺杂层，所述重掺杂层的两侧是未进行N型掺杂源掺杂的N型硅基体，N型硅基体将重掺杂层与发射区隔离。
4.根据权利要求2所述的适合产业化的PolyIBC电池结构，其特征在于，所述N型掺杂层为轻掺杂层，轻掺杂层的一侧与所述发射区接触，另一侧与发射区接触或与所述N型硅基体的侧边缘对齐。
5.根据权利要求2所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述N型掺杂层为轻掺杂层与重掺杂层的组合，所述重掺杂层设置于轻掺杂层的中间部位，靠近发射区一侧的轻掺杂层将重掺杂层与发射区隔离。
6.根据
7.根据权利要求6所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述N型硅基体正面与钝化减反层之间设置有N型掺杂层，所述N型掺杂层为轻掺杂层。
8.根据权利要求2所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述N型掺杂层中N型掺杂源掺杂的方式为扩散、离子注入、CVD、旋涂或激光的其中一种。
9.根据权利要求1所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述隧穿氧化层为SiO2，生长在N型硅基体的背面，厚度为1-3nm，所述隧穿氧化层的生长方式为热氧化、原子沉积、臭氧氧化、热HNO3氧化的其中一种。
10.根据权利要求1所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述P+Poly层为在所述隧穿氧化层的背面沉积本征多晶硅后，对多晶硅掺杂P型掺杂源后得到的掺杂层，厚度为60-350nm。
11.根据权利要求10所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述P+Poly层中沉积本征多晶硅的沉积方式为LPCVD、PECVD或PVD的其中一种。
12.根据权利要求10或11所述的适合产业化的Poly IBC电池结构，其特征在于，所述P型掺杂源掺杂的方式为扩散、激光掺杂、离子注入或旋涂的其中一种。
13.一种适合产业化的Poly IBC电池的制备方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种适合产业化的polyibc电池结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的适合产业化的polyibc电池结构，其特征在于，所述n型掺杂层中掺杂n型掺杂源，所述n型掺杂层为轻掺杂层、重掺杂层或轻掺杂层与重掺杂层的组合的其中一种，所述轻掺杂层为进行一次n型掺杂源掺杂形成的n+掺杂层，所述重掺杂层为进行多次n型掺杂源掺杂形成的n++掺杂层。
3.根据权利要求2所述的适合产业化的polyibc电池结构，其特征在于，所述n型掺杂层为重掺杂层，所述重掺杂层的两侧是未进行n型掺杂源掺杂的n型硅基体，n型硅基体将重掺杂层与发射区隔离。
4.根据权利要求2所述的适合产业化的polyibc电池结构，其特征在于，所述n型掺杂层为轻掺杂层，轻掺杂层的一侧与所述发射区接触，另一侧与发射区接触或与所述n型硅基体的侧边缘对齐。
5.根据权利要求2所述的适合产业化的poly ibc电池结构，其特征在于，所述n型掺杂层为轻掺杂层与重掺杂层的组合，所述重掺杂层设置于轻掺杂层的中间部位，靠近发射区一侧的轻掺杂层将重掺杂层与发射区隔离。
6.根据权利要求2-5任一项所述的适合产业化的poly ibc电池结构，其特征在于，所述n型掺杂层中n型掺杂源的掺杂浓度低于e19/cm3。
7.根据权利要求6所述的适合产...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈小勇，高鹏，高嘉庆，吴翔，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司，
类型：发明
国别省市：
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