【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及硅片加工，尤其涉及用于检测硅棒的晶体性能的方法及系统。
技术介绍
1、近年来，mcz法(magnetic czochralski process，磁控区熔法)广泛应用于半导体制造行业。在使用mcz法制造单晶硅的过程中，为了能够拉制出符合产品要求的单晶硅产品，可能需要反复对拉晶参数进行调试。因此，需要尽快评价硅棒样品的晶体性能，以作为调试拉晶参数的依据。
2、在单晶硅的晶体性能中，电阻率，氧、碳含量和结晶缺陷尤为重要，其中，电阻率以及氧、碳含量直接影响了该单晶硅作为集成电路基底的电学性能，而结晶缺陷则会使得集成电路有短路的风险。目前，对于电阻率的评价是在将晶棒截断后进行的，而对氧、碳含量和结晶缺陷等性能的检测需要在经抛光的硅片上进行。
3、为了对硅棒的晶体性能进行全面评价，需要经历从多晶硅材料到抛光硅片的完整制程，因此，评价周期长，严重影响生产效率，浪费生产资源。为了提高评价效率，本领域采取的改进措施是对切割硅棒获得的硅片的表面进行类抛光的化学处理。然而，这种方式仍存在诸多弊端，不仅为生产带来了安全风险，评价结果还因受化学物质的影响而存在偏差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供用于检测硅棒的晶体性能的方法及系统。该方法和系统通过机械研磨的方式将从被检测的硅棒上切割下来的硅片处理成样片，并通过对样片的晶体性能的检测来反馈硅棒的晶体性能。通过使用该方法和该系统可以以更高效且更安全的方式实现对硅棒的晶体性能的评价。
2、本
3、第一方面，本公开实施例提供了一种用于检测硅棒的晶体性能的方法，所述方法包括：
4、对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨，以获得样片；
5、对所述样片的晶体性能进行检测，以获得所述硅棒的晶体性能的评价值。
6、在一些可选的示例中，所述对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨以获得样片包括：
7、采用研磨磨轮对所述样片进行研磨处理；
8、采用抛光磨轮对经历了所述研磨处理的所述样片进行抛光处理，以获得所述样片；
9、其中，所述抛光磨轮的目数高于所述研磨磨轮的目数。
10、在一些可选的示例中，所述采用研磨磨轮对所述样片进行研磨处理包括：
11、采用第一磨轮对所述样片表面进行第一研磨；
12、采用第二磨轮对经历了所述第一研磨的所述样片进行第二研磨；
13、其中，所述第二磨轮的目数高于所述第一磨轮的目数。
14、在一些可选的示例中，所述第一磨轮的目数在200至1300的范围内，所述第二磨轮的目数在4000至12000的范围内，所述抛光磨轮的目数在20000至35000的范围内。
15、第二方面，本公开实施例提供了一种用于检测硅棒的晶体性能的系统，所述系统用于执行根据第一方面的方法，所述系统包括：
16、机械研磨模块，所述机械研磨模块用于对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨以获得样片；
17、检测模块，所述检测模块用于对所述样片的晶体性能进行检测，以获得所述硅棒的晶体性能的评价值。
18、在一些可选的示例中，所述机械研磨模块包括：用于对所述样片进行研磨处理的研磨磨轮以及用于对所述样片进行抛光处理的抛光磨轮，其中，所述抛光磨轮的目数高于所述研磨磨轮的目数。
19、在一些可选的示例中，所述研磨磨轮包括第一磨轮和第二磨轮，其中，所述第二磨轮的目数高于所述第一磨轮的目数。
20、在一些可选的示例中，所述第一磨轮的目数在200至1300的范围内，所述第二磨轮的目数在4000至12000的范围内，所述抛光磨轮的目数在20000至35000的范围内。
21、在一些可选的示例中，所述机械研磨模块还包括具有平坦的表面的工作台，在所述表面上设置有至少两个工位，所述研磨磨轮和所述抛光磨轮分别设置在所述至少两个工位中的不同工位的上方。
22、在一些可选的示例中，所述工作台设置成能够绕所述表面的中心旋转。
23、本公开实施例提供了用于检测硅棒的晶体性能的方法及系统。该方法包括通过对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨来获得样片，以及通过对样片的晶体性能进行检测，来获得样片所属的硅棒的晶体性能的评价值。与常规技术中通过化学刻蚀获得样片的方式相比，通过机械研磨的方式，可以以更为快速和直接的方式有效去除硅片表面的损伤和杂质，为晶体性能的检测提供了更为理想的条件，从而提高了检测的准确性。而且，通过缩短样片准备时间而加速了整个检测流程，并减少了过多不合格样品引起的生产浪费。此外，由于避免了使用具有高腐蚀性的化学品，减少了潜在的安全风险和环境污染。
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1.一种用于检测硅棒的晶体性能的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨以获得样片包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用研磨磨轮对所述样片进行研磨处理包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一磨轮的目数在200至1300的范围内，所述第二磨轮的目数在4000至12000的范围内，所述抛光磨轮的目数在20000至35000的范围内。
5.一种用于检测硅棒的晶体性能的系统，其特征在于，所述系统用于执行根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，所述系统包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述机械研磨模块包括：用于对所述样片进行研磨处理的研磨磨轮以及用于对所述样片进行抛光处理的抛光磨轮，其中，所述抛光磨轮的目数高于所述研磨磨轮的目数。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述研磨磨轮包括第一磨轮和第二磨轮，其中，所述第二磨轮的目数高于所述第一磨轮的目数。
8.根据权利
9.根据权利要求6至8中的任一项所述的系统，其特征在于，所述机械研磨模块还包括具有平坦的表面的工作台，在所述表面上设置有至少两个工位，所述研磨磨轮和所述抛光磨轮分别设置在所述至少两个工位中的不同工位的上方。
10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述工作台设置成能够绕所述表面的中心旋转。
...【技术特征摘要】
1.一种用于检测硅棒的晶体性能的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对切割硅棒获得的硅片的表面进行至少两次机械研磨以获得样片包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用研磨磨轮对所述样片进行研磨处理包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一磨轮的目数在200至1300的范围内，所述第二磨轮的目数在4000至12000的范围内，所述抛光磨轮的目数在20000至35000的范围内。
5.一种用于检测硅棒的晶体性能的系统，其特征在于，所述系统用于执行根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，所述系统包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述机械研磨模块包括：用于对所述样片进行研磨处理的研磨磨轮以及用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：同嘉锡，请求不公布姓名，贺鹏，刘泽宇，原宇乐，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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