【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)装置及其制造方法，尤其涉及一种既确保了设置于活动部的隔离接头(以下称为“ij”)的绝缘性，又防止了伴随活动部的变形而产生的ij的破损的mems装置及其制造方法。
技术介绍
1、以往的mems装置具有中空地设置着梁构造部的构造，所述梁构造部是在对硅衬底进行蚀刻而设置的空腔上，对该硅衬底进行蚀刻而形成的。在梁构造部中，设置着使硅氧化而制作的绝缘性沟槽隔离接头，在规定位置将梁构造部电绝缘。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特表2009-500635号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、然而，在以往的mems装置中，首先在硅衬底形成沟槽隔离接头，接下来将硅衬底蚀刻到规定的深度而形成蚀刻槽，一面利用保护膜覆盖蚀刻槽的侧壁，一面对蚀刻槽下方的硅衬底进行各向同性蚀刻，由此形成保持为中空且具备沟槽隔离接头的梁构造部。为了确保绝缘性，设置在梁构造部的沟槽隔离接头以剖面比梁构造部大的方式形成。因此，沟槽隔离接头具有比梁构造部更朝下方突出的构造，有在梁构造部变形时与空腔底部的硅衬底接触而破损的问题。
3、因此，本专利技术的目的在于提供一种既确保了ji的绝缘性，又防止了ij与空腔的底部接触的mems装置。
4、[解决问题的技术手段]
5、本专利技术的一形态是一种mems
6、具备活动部，且包含：
7、衬底；
8、凹部(空腔)，设置在衬底；
9、活动部，中空地支持在凹部内；以及
10、隔离接头，插入到活动部的规定位置，在其两侧将活动部电绝缘；且
11、凹部的底部与活动部的最短距离(fg1)小于凹部的底部与隔离接头的距离(fg2)(fg1＜fg2)。
12、本专利技术的另一形态是一种制造方法，
13、是具备活动部的mems装置的制造方法，所述活动部具有隔离接头，且所述制造方法包括如下工序：
14、在衬底上形成包含被绝缘体填埋的沟槽的隔离接头；
15、第1构造蚀刻工序，使用覆盖隔离接头的上部及其周围的衬底的掩模对衬底进行蚀刻，形成第1沟槽；
16、第2构造蚀刻工序，去除掩模后，使用隔离接头作为蚀刻掩模对衬底进行蚀刻，形成第2沟槽；以及
17、一面保护第2沟槽的侧壁一面对第2沟槽内的衬底进行蚀刻，形成凹部、及中空地支持在凹部内且具有隔离接头的活动部；且
18、第2沟槽的侧壁的深度小于隔离接头的深度。
19、[专利技术效果]
20、本专利技术能够提供一种可靠性较高的mems装置，该mems装置具有具备隔离接头(ij)的活动部，既对ij确保了充分的绝缘性，又防止了活动部变形时的ij的破损。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种MEMS装置，具备活动部，且包含：
2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中与所述隔离接头相邻的所述活动部的深度小于所述隔离接头的深度。
3.根据权利要求2所述的MEMS装置，其中所述活动部包含深度比所述隔离接头的深度深的部分。
4.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述凹部的底部与所述隔离接头的距离为所述隔离接头的下端与形成在所述凹部的底部的凸部的距离。
5.一种制造方法，是具备活动部的MEMS装置的制造方法，所述活动部具有隔离接头，且所述制造方法包括如下工序：
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中所述第2沟槽从侧壁的下端朝向所述第2沟槽的底面具有锥形部分，所述锥形部分相对于所述底面的仰角α为60°以上且85°以下的角度。
【技术特征摘要】
1.一种mems装置，具备活动部，且包含：
2.根据权利要求1所述的mems装置，其中与所述隔离接头相邻的所述活动部的深度小于所述隔离接头的深度。
3.根据权利要求2所述的mems装置，其中所述活动部包含深度比所述隔离接头的深度深的部分。
4.根据权利要求1所述的mems装置，其中所述凹部的底部与所述隔离接头的距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·怀尔弗瑞德·海勒，纸西大祐，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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