半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，基底上形成有横跨鳍部的栅极结构，基底上还形成有覆盖鳍部和栅极结构侧壁的第一介质层，第一介质层和栅极结构上还形成有第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上形成停止层，停止层的被研磨速率小于第一硬掩膜层的被研磨速率；进行隔断处理，包括：在衬底上形成贯穿停止层、第一硬掩膜层的隔断开口，隔断开口还沿第一方向延伸且贯穿相邻鳍部之间的栅极结构，或，沿第二方向延伸且贯穿相邻栅极结构之间的鳍部；形成填充隔断开口，并覆盖停止层顶部的隔断材料层，位于隔断开口中的隔断材料层作为隔断结构；去除高于停止层的隔断材料层。本发明专利技术有利于提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为基本半导体器件之一目前正被广泛应用。所以随着半导体器件密度和集成度的提高，晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，出现短沟道效应，引起漏电流增大，最终影响半导器件的电学性能。

2、为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。且目前的半导体工艺过程中，通常采用栅极切断(gate cut)技术对条状栅极进行切断，切断后的栅极与不同的晶体管相对应，可以提高晶体管的集成度，同时采用单扩散中断(sdb，single diffusionbreak)结构对条状的鳍部进行切断，用于电隔离该sdb两侧有源区的结构，可以减小多晶硅接触间距(contact poly pitch，cpp)。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料包括金属材料。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属材料包括含钛的金属材料。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述含钛的金属材料包括钛、氮化钛或钛铝。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的厚度为50nm至200nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅、无定形硅或氧化铝中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料包括金属材料。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属材料包括含钛的金属材料。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述含钛的金属材料包括钛、氮化钛或钛铝。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的厚度为50nm至200nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅、无定形硅或氧化铝中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括器件区和电阻区，所述停止层的材料为氮化钛，所述停止层还位于所述电阻区中。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔断处理包括：对相邻所述鳍部之间的栅极结构进行第一隔断处理，以及，对相邻所述栅极结构之间的鳍部进行第二隔断处理；其中，

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述衬底包括器件区和位于相邻器件区之间的隔离区；

11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔断处理还包括：形成所述隔断开口之前，形成覆盖所述停止层的第二硬掩膜层；

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述第一掩膜开口形成贯穿所述停止层、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：章毅，荆学珍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：