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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，基底上形成有横跨鳍部的栅极结构，基底上还形成有覆盖鳍部和栅极结构侧壁的第一介质层，第一介质层和栅极结构上还形成有第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上形成停止层，停止层的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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