半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体芯片，具有前金属层，前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部，其中前金属层包括第一区域和第二区域；其中第一区域处的前金属层上方的表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口，第一钝化开口暴露第一区域处的前金属层；接触层，用于与电晶片分选探针接触，接触层被定位在第一钝化开口中，与第一区域处的前金属层接触；以及其中第二区域处的前金属层上方的表面钝化部的部分去除设置第二钝化开口，第二钝化开口不暴露第二区域处的前金属层。本公开的实施例有利地不涉及专用探针卡，并且可以提供专用的焊盘精整以便于安全的点晶片分选和组装。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及半导体器件。示例来说，本说明可应用于使用顶部金属(例如，铜)层的技术，其可用于各种产品，例如音频放大器、功率管理集成电路(pmic)和硬盘驱动器(hdd)控制器。

技术介绍

1、用于例如四方扁平无引线封装集成的各种技术涉及在类似焊盘表面上发生的金属(铜)生长。直接铜互连(dci)或激光直接成型(lds)是这种技术的示例。

2、应当注意，这种生长不能令人满意地发生在用于电晶片分选(ews)的铝帽(alcap)或镍－钯(nipd)层上。

3、一方面，dci或lds中使用的激光束能量难以烧蚀alcap或nipd层。否则，当铜焊盘用于没有铝帽或镍－钯精整的ews时(例如裸露的cu或被薄钝化层覆盖的cu)，会出现污染/腐蚀问题，这不利于ews的可测试性，并可能引起焊盘可靠性问题。

4、本领域需要解决上述问题。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供半导体器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。

2、本公开的一方面提供了一种半导体产品，包括：半导体芯片，具有前金属层，前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部，其中前金属层包括第一区域和第二区域；其中第一区域处的前金属层上方的表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口，第一钝化开口暴露第一区域处的前金属层；接触层，用于与电晶片分选探针接触，接触层被定位在第一钝化开口中，与第一区域处的前金属层接触；以及其中第二区域处的前金属层上方的表面钝化部的部分去除设置第二钝化开口，第二钝化开口不暴露第二区域处的前金属层。

3、根据一个或多个实施例，其中表面钝化部包括覆盖前金属层的上表面的保护层，其中保护层不存在于第一区域处并且不覆盖第一区域处的前金属层，并且其中保护层存在于第二区域处并且至少部分地覆盖第二区域处的前金属层。

4、根据一个或多个实施例，半导体产品进一步包括：第三钝化开口，延伸穿过第二区域处的保护层的一部分；以及导电材料部，在第二区域处的前金属层上的第三钝化开口中。

5、根据一个或多个实施例，其中前金属层包括铜，并且其中导电材料部包括铜。

6、根据一个或多个实施例，半导体产品进一步包括：激光直接成型绝缘层，覆盖表面钝化部并且覆盖第二区域处的保护层；通孔开口，延伸穿过激光直接成型绝缘层并且穿过第二区域处的保护层，以到达第二区域处的前金属层的上表面；以及导电材料部，在通孔开口中以形成互连。

7、根据一个或多个实施例，其中前金属层包括镶嵌金属层。

8、本公开的另一方面提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，具有前金属层，前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部，其中前金属层包括第一区域和第二区域；其中表面钝化部包括第一区域处的前金属层上方的第一全通开口，以设置第一钝化开口，第一钝化开口暴露第一区域处的前金属层；接触层，用于电晶片分选探针，接触层被定位在第一钝化开口中，与第一区域处前金属层接触；其中表面钝化部包括在第二区域处的前金属层上方的第二部分开口，以设置第二钝化开口；以及导电材料部，生长到表面钝化部中的第二部分开口被定位的第二区域处的前金属层上。

9、根据一个或多个实施例，其中表面钝化部包括在第二钝化开口中的第二区域处的前金属层的上表面处的保护层；其中在保护层被部分去除的第二钝化开口处部分去除保护层的一部分；以及其中所生长的导电材料部存在于保护层的一部分被部分去除的位置。

10、根据一个或多个实施例，还包括覆盖表面钝化部并且覆盖第二区域处的保护层的绝缘层，绝缘层包括延伸穿过绝缘层和第二区域处的保护层的通孔开口，并且其中导电材料部被生长在通孔开口中。

11、根据一个或多个实施例，其中前金属层包括镶嵌金属层。

12、本公开的实施例有利地不涉及专用探针卡，并且可以提供专用的焊盘精整以便于安全的点晶片分选和组装。

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【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述表面钝化部包括覆盖所述前金属层的上表面的保护层，其中所述保护层不存在于所述第一区域处并且不覆盖所述第一区域处的所述前金属层，并且其中所述保护层存在于所述第二区域处并且至少部分地覆盖所述第二区域处的所述前金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述前金属层包括镶嵌金属层。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，表面钝化部包括在所述第二钝化开口中的所述第二区域处的所述前金属层的所述上表面处的保护层；

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括覆盖所述表面钝化部并且覆盖所述第二区域处的所述保护层的绝缘层，所述绝缘层包括延伸穿过所述绝缘层和所述第二区域处的所述保护层的通孔开口，并且其中所述导电材料部被生长在所述通孔开口中。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述前金属层包括镶嵌金属层。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述表面钝化部包括覆盖所述前金属层的上表面的保护层，其中所述保护层不存在于所述第一区域处并且不覆盖所述第一区域处的所述前金属层，并且其中所述保护层存在于所述第二区域处并且至少部分地覆盖所述第二区域处的所述前金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述前金属层包括镶嵌金...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·切凯托，A·P·梅利尼，G·阿德萨，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：