【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体制备，具体涉及一种碳化硅单晶生长装置。
技术介绍
1、碳化硅是一种无机物，化学式为sic。碳化硅有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱等优点，随着半导体行业的发展，碳化硅在高压、高频等电子领域发挥着重要作用。
2、物理气相输运法（pvt）是工业生产碳化硅单晶的主要方法，可使碳化硅原料升华和分解产生的气体输运到籽晶表面重新结晶，得到面积较大的碳化硅单晶。pvt法生长一次碳化硅晶体的周期在一周左右，满足生长的环境温度在2300度左右，由于加热坩埚的炉体内不同高度的具有一定的温差，坩埚10mm的高度差能产生几十度甚至上百度的温差，较低温度的环境温度会导致坩埚内碳化硅结晶速率低、还限制晶体进一步长厚能力。
3、公开号为cn217231017u的专利一种碳化硅单晶生长炉；公开号为cn219099383u的专利一种碳化硅单晶炉坩埚升降控制装置，均能够使坩埚在炉体内升降旋转，使得坩埚加热均匀充分，促进单晶生长；然而，不能实时准确地检测炉体各高度的温度，并根据炉体温度及时自动调整坩埚位置，限制了晶
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1.一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚（8）和加热坩埚（8）的炉体（9）；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述驱动组件（2）包括从上向下依次设置的上固定板（201）、活动板（203）和下固定板（202），上固定板（201）和下固定板（202）之间设有导向杆（204）和丝杠（205），导向杆（204）穿过活动板（203）、并与活动板（203）滑动连接；丝杠（205）与活动板（203）通过螺纹连接、与上固定板（201）和下固定板（202）均转动连接，丝杠（205）旋转使活动板（203）升降，所述管体（1）穿过活动...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚（8）和加热坩埚（8）的炉体（9）；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述驱动组件（2）包括从上向下依次设置的上固定板（201）、活动板（203）和下固定板（202），上固定板（201）和下固定板（202）之间设有导向杆（204）和丝杠（205），导向杆（204）穿过活动板（203）、并与活动板（203）滑动连接；丝杠（205）与活动板（203）通过螺纹连接、与上固定板（201）和下固定板（202）均转动连接，丝杠（205）旋转使活动板（203）升降，所述管体（1）穿过活动板（203）并通过旋转支撑（208）与活动板（203）连接。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述下固定板（202）上安装有第一电机（207），第一电机（207）与丝杠（205）通过第一带传动机构（206）连接；活动板（203）上安装有第二电机（210），第二电机（210）与管体（1）通过第二带传动机构（209）连接。
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述活动板（203）上安装有分别与上固定板（201）和下固定板（202）对应的第一行程开关（211）和第二行程开关（212）。
5.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述上固定板（201）一侧连接有标尺（213），活动板（203）一侧设有与标尺...
【专利技术属性】
技术研发人员：左雷杰，庞宇，黄义，梁赫，霍翱翔，赵银龙，李少卿，
申请(专利权)人：郑州鬃晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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