【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅拉制，具体涉及一种用于单晶炉导流筒的过度环。
技术介绍
1、单晶硅拉制过程中，导流筒起到屏蔽热量，降温保温的作用。导流筒内部，通常采用石英材质内胆，作为导流筒内导，起到隔绝保温毡，避免保温毡粉进入到炉内的作用。当前采用cz发进行单晶拉制，均离不开石英内导流筒的使用。现对导流筒内部进行优化，节省拉晶成本，因此提出本申请。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种用于单晶炉导流筒的过度环，通过设置石墨圈和碳碳环，石墨圈位于碳碳环的第二表面上方进行装配组合，石墨圈与水冷屏的底端相适配卡接，碳碳环的外周面与导流筒的内周面相适配卡接，解决了现有技术中使用石英内导流筒，拉晶成本较高的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术采用了以下方案：
3、一种用于单晶炉导流筒的过度环，包括导流筒和位于导流筒内部的水冷屏，在导流筒的底部设置碳碳环和石墨圈，碳碳环与导流筒的底部卡接，石墨圈的底部位于碳碳环内，石墨圈的顶部与水冷屏的底端相卡接。
4、优选地，所述石墨圈...
【技术保护点】
1.一种用于单晶炉导流筒的过度环，包括导流筒(1)和位于导流筒(1)内部的水冷屏(2)，其特征在于，在导流筒(1)的底部设置碳碳环(4)和石墨圈(3)，碳碳环(4)与导流筒(1)的底部卡接，石墨圈(3)的底部位于碳碳环(4)内，石墨圈(3)的顶部与水冷屏(2)的底端相卡接。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉导流筒的过度环，其特征在于，所述石墨圈(3)为环状结构，石墨圈(3)的内侧设有用于限位水冷屏(2)底端止口(30)。
3.根据权利要求2所述的一种用于单晶炉导流筒的过度环，其特征在于，远离止口(30)的石墨圈(3)一端设置变径凹槽(31...
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉导流筒的过度环，包括导流筒(1)和位于导流筒(1)内部的水冷屏(2)，其特征在于，在导流筒(1)的底部设置碳碳环(4)和石墨圈(3)，碳碳环(4)与导流筒(1)的底部卡接，石墨圈(3)的底部位于碳碳环(4)内，石墨圈(3)的顶部与水冷屏(2)的底端相卡接。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉导流筒的过度环，其特征在于，所述石墨圈(3)为环状结构，石墨圈(3)的内侧设有用于限位水冷屏(2)底端止口(30)。
3.根据权利要求2所述的一种用于单晶炉导流筒的过度环，其特征在于，远离止口(30)的石墨圈(3)一端设置变径凹槽(31)，变径凹槽(31)的顶部宽度大于底部宽度，所述变径凹槽(31)与水冷屏(2)的底端相适配卡接。
4.根据权利要求2所述的一种用于单...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭东，关树军，洪华，路建华，曾宏强，
申请(专利权)人：乐山市京运通新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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