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本技术公开了一种用于单晶炉导流筒的过度环，包括导流筒和位于导流筒内部的水冷屏，在导流筒的底部设置碳碳环和石墨圈，碳碳环与导流筒的底部卡接，石墨圈的底部位于碳碳环内，石墨圈的顶部与水冷屏的底端相卡接。所述石墨圈为环状结构，石墨圈的内侧设有用于...
该专利属于乐山市京运通新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐山市京运通新材料科技有限公司授权不得商用。

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