【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶拉制，具体涉及一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置及方法。
技术介绍
1、目前，在单晶拉制等径过程中，因等径瞬时拉速飘高或炉台水流量异常波动等因素，容易导致晶棒炸裂。因炉内硅液温度较高，晶棒炸裂后易将水冷屏下沿口堵死，导致炉台无法正常运行。一般情况下，需要提升炉台功率，炉内温度升高后，依靠工作人员的经验将坩埚位提升至接触热屏外导流筒的位置，将水冷屏下沿的硅料熔化。由于水冷屏内有循环水，坩埚位于水冷屏下方，在提升坩埚的过程中，倘若操作不当，将会使坩埚内的高温硅液熔化水冷屏，循环水渗漏接触硅液导致炸炉，存在着极大的安全隐患。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，能够避免发生因提升坩埚熔化水冷屏导致的炸炉现象，减小安全隐患。
2、为解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，包括提升机构、清洁部和坩埚，所述清洁部通过牵引绳连接于所述提升机构的输出端，所述提升机构能够带动所述清洁部在单晶炉内上下移动，以将堵塞在水冷屏下沿的硅料挤压至所述坩埚内。
3、相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：本装置能够采用提升机构带动清洁部在单晶炉内上下移动，使得清洁部外周与将堵塞在水冷屏下沿的硅料相互摩擦，利用清洁部自身的重量，将堵塞在水冷屏下沿的硅料挤碎并掉落至水冷屏下方的坩埚内，使得炉台能够恢复正常运行。在处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的过程中，无需提升坩埚，
4、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述提升机构为单晶炉内的上轴提拉装置，所述牵引绳为钨丝绳。
5、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述清洁部呈圆柱状，且所述清洁部的外径小于所述水冷屏下沿的内径。
6、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述清洁部的外周具有凸起的纹路结构。
7、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述清洁部的外径由下至上逐渐增大。
8、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述清洁部的下端具有倒圆角。
9、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，所述单晶炉内设有旋转机构，所述坩埚连接于所述旋转机构的输出端。
10、本专利技术还提供了一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，采用上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置进行，包括如下步骤：
11、步骤s100、控制炉台加热功率，使坩埚内硅液中心处结晶形成结晶片；
12、步骤s200、调整加热功率，使炉内温度符合熔料温度；
13、步骤s300、使用提升机构将炸裂后剩余的晶棒提出至炉外；
14、步骤s400、使用提升机构将清洁部提入单晶炉副室，将副室抽至真空状态，打开隔离阀；
15、步骤s500、使用提升机构将清洁部降至单晶炉主室内堵塞在水冷屏下沿的硅料上，使清洁部上下移动，利用清洁部自身的重量，将堵塞在水冷屏下沿的硅料挤压至坩埚内的结晶片上；
16、步骤s600、使用提升机构将清洁部提升至炉外。
17、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，采用了上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置进行，因而在处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的过程中，无需提升坩埚，能够避免坩埚内的高温硅液熔化水冷屏，避免发生因水冷屏内的循环水渗漏接触硅液而导致的炸炉现象，能够减小安全隐患。此外，采用清洁部挤碎堵塞在水冷屏下沿的硅料之前，首先使坩埚内硅液中心处结晶形成结晶片，能够避免后续挤碎的硅料掉入坩埚内而导致溅硅，避免影响炉台的正常运动。
18、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，在步骤s100中，使坩埚内硅液中心处结晶至300mm形成结晶片。
19、上述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，在步骤s400中，使用提升机构将清洁部提入单晶炉副室内距离结晶片2200mm以上，再将副室抽至真空状态，打开隔离阀。
20、下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，包括提升机构(200)、清洁部(300)和坩埚(400)，所述清洁部(300)通过牵引绳连接于所述提升机构(200)的输出端，所述提升机构(200)能够带动所述清洁部(300)在单晶炉(100)内上下移动，以将堵塞在水冷屏(500)下沿的硅料挤压至所述坩埚(400)内。
2.根据权利要求1所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述提升机构(200)为单晶炉(100)内的上轴提拉装置，所述牵引绳为钨丝绳。
3.根据权利要求1所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述清洁部(300)呈圆柱状，且所述清洁部(300)的外径小于所述水冷屏(500)下沿的内径。
4.根据权利要求3所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述清洁部(300)的外周具有凸起的纹路结构。
5.根据权利要求3所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述清洁部(300)的外径由下至上逐渐增大。
6.根据权利要求3所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，
7.根据权利要求1所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述单晶炉(100)内设有旋转机构，所述坩埚(400)连接于所述旋转机构的输出端。
8.一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置进行，包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，其特征在于，在步骤S100中，使坩埚(400)内硅液中心处结晶至300mm形成结晶片。
10.根据权利要求8所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的方法，其特征在于，在步骤S400中，使用提升机构(200)将清洁部(300)提入单晶炉(100)副室内距离结晶片2200mm以上，再将副室抽至真空状态，打开隔离阀。
...【技术特征摘要】
1.一种处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，包括提升机构(200)、清洁部(300)和坩埚(400)，所述清洁部(300)通过牵引绳连接于所述提升机构(200)的输出端，所述提升机构(200)能够带动所述清洁部(300)在单晶炉(100)内上下移动，以将堵塞在水冷屏(500)下沿的硅料挤压至所述坩埚(400)内。
2.根据权利要求1所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述提升机构(200)为单晶炉(100)内的上轴提拉装置，所述牵引绳为钨丝绳。
3.根据权利要求1所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述清洁部(300)呈圆柱状，且所述清洁部(300)的外径小于所述水冷屏(500)下沿的内径。
4.根据权利要求3所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于，所述清洁部(300)的外周具有凸起的纹路结构。
5.根据权利要求3所述的处理堵塞在水冷屏下沿的硅料的装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨爱丽，武辉，汪奇，乔乐，马腾飞，
申请(专利权)人：四川高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。