【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅料加工，具体涉及一种用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法及系统。
技术介绍
1、直拉法是熔体法制备单晶硅的主要方法，它使用籽晶将单晶硅从熔体中提拉出来，这种方法是由波兰化学家czochralski提出，因此也叫czochralski法或简称为cz法。单晶炉是直拉法生产晶体的重要设备，它的示意图如图1所示。
2、单晶炉是直拉法制备晶体的核心设备，一套完整的单晶炉包括炉体、坩埚、提升和转动装置、加热冷却以及温控系统等设备。目前用于生产的单晶炉设备已经发展的相当完善，一般都配备有包含计算机在内的自动温控系统和晶体直径监控系统。在晶体生长过程中，籽晶杆与籽晶紧密连接在一起，籽晶杆上的循环水冷将热量通过晶体从熔体的固液界面上带走，从而保证固液界面有足够的温度梯度以达到晶体形成的条件。因此，保持这条热量传输通道的稳定就是保证晶体生长的关键，籽晶杆中的冷却水流量的波动都会引起热量波动，从而影响生长晶体的质量。此外，所用坩埚的质量也会影响最终生产出的晶体质量，因此，一般会采用熔点比生长晶体熔点高200℃以上的耐高温坩埚，且...
【技术保护点】
1.一种用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液在坩埚R角上方的高度时，包括：
3.根据权利要求2所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液在坩埚R角上方的高度时，还包括：
4.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液总高度时，包括：
5.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在获取炉台的发热区高度时，包括：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液在坩埚r角上方的高度时，包括：
3.根据权利要求2所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液在坩埚r角上方的高度时，还包括：
4.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在得到硅液总高度时，包括：
5.根据权利要求1所述的用于获取坩埚内硅液与炉台相对位置的方法，其特征在于，在获取炉台的发热区高度时，包括：
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：税宇，乔乐，汪奇，武辉，
申请(专利权)人：四川高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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