多温区高纯度碳化硅粉料生产装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅粉料生产领域，具体涉及一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置。包括炉体、盖体、加热组件、保温层和旋转组件，通过对主石墨加热器和侧石墨加热器的配合设置尽量减少了加热腔内热量的外散从而利于对位于加热腔内的坩埚进行加热，同时通过气体的冲击带动转台上的坩埚进行转动使得坩埚内的物料受热均匀，这样也提高碳化硅原材料纯度；本发明专利技术提高了加热效率和碳化硅原材料纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅粉料生产领域，具体涉及一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置。

技术介绍

1、高纯度碳化硅粉在人工合成时，其初次合成步骤中，将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中，再将坩埚置于加热炉中加热，然后向生长室中充入高纯度的氩气、氦气和氢气的混合气体，加热至1500摄氏度，保持反应时间15分钟，而后降至室温，最后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末，加热炉的加热效果直接影响碳化硅的纯度和质量。对于石墨加热炉来说如何改善其内部的石墨加热器的结构从而增加其保温性和热量利用率以及如何通过坩埚与石墨加热炉的相对关系来控制坩埚内物料的合成质量就显得格外重要。

技术实现思路

1、为解决现有技术的问题，本专利技术提供了一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置。

2、为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：

3、一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，包括：

4、炉体；

5、盖体，位于炉体上部；

6、加热组件，主体为矩形状，其位于炉体内部；

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【技术保护点】

1.一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，还包括惰性气体通道(600)，位于炉体(100)下部，旋转组件(500)下部位于惰性气体通道(600)内，惰性气体通道(600)带动旋转组件(500)转动，且惰性气体通道(600)通过旋转组件(500)与炉体(100)连通。

3.根据权利要求2所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述加热组件(300)包括：

4.根据权利要求3所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述主石墨加热器(310)包括：...

【技术特征摘要】

1.一种多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，还包括惰性气体通道(600)，位于炉体(100)下部，旋转组件(500)下部位于惰性气体通道(600)内，惰性气体通道(600)带动旋转组件(500)转动，且惰性气体通道(600)通过旋转组件(500)与炉体(100)连通。

3.根据权利要求2所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述加热组件(300)包括：

4.根据权利要求3所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述主石墨加热器(310)包括：

5.根据权利要求3所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述侧石墨加热器(320)包括：

6.根据权利要求4所述的多温区高纯度碳化硅粉料生产装置，其特征在于，所述竖石墨加热板一(311)下部内侧固定设置搭接板(3110)，搭接板(3110)上开设嵌入...

【专利技术属性】
技术研发人员：左雷杰，庞宇，黄义，梁赫，霍翱翔，赵银龙，李少卿，
申请(专利权)人：郑州鬃晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：