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本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚、加热坩埚的炉体、管体、驱动组件、至少两个倾斜度不同的透孔、反射体、遮挡过滤组件、测温仪；管体支撑坩埚；驱动组件驱动管体升降和旋转；透孔输导炉体不同高度的红外辐射；反射...
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