【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉 及一种LED器件,具体的说,涉及一种非平行封装的LED器件,属于LED 芯片制造、封装及LED照明领域。
技术介绍
近几年随着世界范围内的节能环保概念兴起,LED芯片技术得到迅猛发展,氮化物 半导体LED芯片发光效率提高很快,以蓝光LED芯片作为激发源的白光LED单灯光源效率 已达到130流明/瓦以上,已经远远超过了普通节能灯的光效,LED技术开始全面进入通用 照明市场;随着LED应用范围的进一步扩大,对LED器件发光效率的要求也越来越高。如图1所示,现有的蓝光LED芯片11包括由Al2O3晶体材质的蓝宝石、SiC、 Si或GaN晶体材料构成的衬底1,GaN半导体缓冲层2,η型AlxInyGai_x_yN(0彡χ彡1, 0彡y彡1)半导体层3,GaN/InyGai_yN(0彡y彡1)量子阱结构光发射层4和ρ型 AlxInyGai_x_yN(0彡χ彡1,0彡y彡1)半导体层5,其中,衬底1的厚度为20-450微米,η型 半导体结构3可以由一层AlxInyGai_x_yN(0彡χ彡1,0彡y彡1)材料层或多层不同组份的 AlxInyGa1^yN(0彡χ ...
【技术保护点】
一种LED器件,所述LED器件包括芯片(11)和承载芯片(11)的封装平台(10),其特征在于:所述芯片(11)上表面的法线与封装平台(10)上表面的法线之间具有15°到165°的夹角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘凯,孙夕庆,张彦伟,
申请(专利权)人:中微光电子潍坊有限公司,
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]
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