【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高铜铟镓硒太阳能电池光电转化效率的方法及结构，属于太阳 能发电
技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光 电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的 三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有 柔和、均勻的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙 等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。铜铟镓硒薄膜太阳能电池通常包括基底、下电极 层(Mo)、光吸收层(CIGS)、缓冲层(ZnS或CdS)、透明导电薄膜层和反反射层，如专利号为 200810187542所公开的太阳能电池元件。但是由于光的传播的特性，当太阳光进入电池池 体后，只能沿小倾角的折射方向通过光吸收层。因此，要进一步提高铟镓硒太阳能电池光电 转化效率，可设法让入射光以较大倾角通过光吸收层，以延长光子在电池池体中的有效传 播路径。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种提高铜铟镓硒太阳能电池光电转化效率的方法及结 构。它可以改变入射光子的传...
【技术保护点】
一种提高铜铟镓硒太阳能电池光电转化效率的方法，其特征在于：在铜铟镓硒太阳能电池顶部的透明导电薄膜层和光吸收中间形成一个衍射光栅，来改变入射光子的传播方向以延长光子在光吸收层中的有效传播路径，从而有效降低吸收层的厚度和提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转化效率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任宇航，
申请(专利权)人：浙江尚越光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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