【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于晶体管测试，特别是关于一种晶体管测试方法、系统及电子设备。
技术介绍
1、晶体管放大器在集成电路、微处理器、计算机内存等领域得到广泛应用，其中晶体管放大器的重要指标包括效率，增益，开环，三阶交调等在内的射频性能。自动化测试程序能够高效的获取和分析晶体管放大器的射频性能，服务于器件的调试、量产等环节。传统自动化测试程序对待测放大器并没有完善的保护措施。
2、如图1所示的传统待测放大器(dut pa)程控上电流程图：在仪器通信建立后，电压源为待测放大器内部的晶体管提供栅压vgs，并进行栅极短路状态判断；无栅极短路现象后，电压源为待测放大器内部的晶体管漏压vdd并进行漏极短路状态判断。若无漏极短路现象，则结束上电流程。
3、如图2所示的该传统上电流程和下电流程的时序示意图可知，传统测试程序的上下电流程不适用于采用增强型场效应管gan的放大器，增强型场效应管gan存在漏极短路等问题时，直接上电漏压vdd会产生振荡损毁等不可逆伤害。此外对于增强型场效应管，在0栅偏压时存在沟道，能够导电，即在下电过程中，栅压为0但是漏压未降低为0的情况下(如图2所示的t5～t6)，场效应管会由于通流过大，产生热失效。
4、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶体管测试方法、系统及电子设备，其能够适
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种晶体管测试方法，所述方法包括：
3、通过第一电压源为待测晶体管的栅极提供栅极电压；
4、等待第一设定时间后，判断待测晶体管的栅极是否短路，
5、若待测晶体管的栅极未短路，通过第二电压源为待测晶体管的漏极提供第一设定电压；
6、等待第二设定时间后，判断待测晶体管的漏极是否短路；
7、若待测晶体管的漏极未短路，通过第二电压源为待测晶体管的漏极提供漏极电压。
8、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述判断待测晶体管的栅极是否短路包括：若所述第一电压源处于限流状态，待测晶体管的栅极短路。
9、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述第一设定时间为0.5s～2s，所述第二设定时间为0.5s～2s。
10、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述判断待测晶体管的漏极是否短路包括：通过获取第二电压源与待测晶体管之间的第一电流以判断第二电压源是否处于限流状态，若所述第二电压源处于限流状态，待测晶体管的漏极短路。
11、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述限流状态包括：所述第一电流的值与第二电压源设定限流值之间的差值小于设定值，第二电压源处于限流状态。
12、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述第一设定电压为3v～10v。
13、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述方法还包括：
14、控制第二电压源停止为待测晶体管的漏极提供漏极电压；
15、等待第三设定时间后，判断待测晶体管的漏极电压是否为0；
16、所述待测晶体管的漏极电压为0时，控制第一电压源停止为待测晶体管的栅极提供栅极电压。
17、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述第三设定时间为0.5s～2s。
18、本专利技术还提供一种晶体管测试系统，所述系统包括计算机、待测晶体管、第一电压源、第二电压源、采样电阻和电流表；
19、所述计算机用于控制所述第一电压源、电流表和第二电压源的运行；
20、所述第一电压源用于为待测晶体管的栅极提供栅极电压，并通过监测待测晶体管是否处于限流状态判断待测晶体管的栅极是否短路；
21、所述第二电压源用于为所述待测晶体管的漏极提供第一设定电压和漏极电压并监测待测晶体管的漏极的电压值；
22、所述采样电阻的第一端与第二电压源相连，所述采样电阻的第二端与待测晶体管的漏极相连；
23、所述电流表用于通过读取采样电阻两端电压，获取第二电压源与待检测晶体管之间的第一电流。
24、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器、以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一项实施方式所述的晶体管测试方法。
25、与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的一种晶体管测试方法、系统及电子设备，通过在短路判断前设置等待第一设定时间以及等待第二设定时间等待时长，保障充放电电路状态稳定；提供漏极电压前增加步骤：提供第一设定电压并判断待测晶体管是否出现漏极电压短路状态，避免了漏极电压存在短路等问题时直接上电漏压产生振荡损毁等不可逆伤害。
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1.一种晶体管测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述判断待测晶体管的栅极是否短路包括：若所述第一电压源处于限流状态，待测晶体管的栅极短路。
3.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述第一设定时间为0.5s～2s，所述第二设定时间为0.5s～2s。
4.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述判断待测晶体管的漏极是否短路包括：通过获取第二电压源与待测晶体管之间的第一电流以判断第二电压源是否处于限流状态，若所述第二电压源处于限流状态，待测晶体管的漏极短路。
5.如权利要求4所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述限流状态包括：所述第一电流的值与第二电压源设定限流值之间的差值小于设定值，第二电压源处于限流状态。
6.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述第一设定电压为3V～10V。
7.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.如权利要求7所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述第三设定时间为0
9.一种晶体管测试系统，其特征在于，所述系统包括计算机、待测晶体管、第一电压源、第二电压源、采样电阻和电流表；
10.一种电子设备，包括存储器、处理器、以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1～8中任一项所述的晶体管测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述判断待测晶体管的栅极是否短路包括：若所述第一电压源处于限流状态，待测晶体管的栅极短路。
3.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述第一设定时间为0.5s～2s，所述第二设定时间为0.5s～2s。
4.如权利要求1所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述判断待测晶体管的漏极是否短路包括：通过获取第二电压源与待测晶体管之间的第一电流以判断第二电压源是否处于限流状态，若所述第二电压源处于限流状态，待测晶体管的漏极短路。
5.如权利要求4所述的晶体管测试方法，其特征在于，所述限流状态包括：所述第一电流...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡紫琦，刘昊宇，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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