存储器件制造技术

技术编号:40698408 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-18 20:25
一实施方式的存储器件具备在第一方向上相互分离地排列的多个绝缘体层、隔着多个绝缘体层在第一方向上相互分离地排列的多个导电体层、以及以与多个导电体层相交的方式沿第一方向延伸的存储柱。多个导电体层包含第一导电体层,其具有在与存储柱的边界处沿第一方向排列的第一部分和第二部分。第一部分相对于第二部分在与第一方向相交且存储柱的直径增加的第二方向上后退。多个绝缘体层包含:第一绝缘体层,其设置在第一导电体层的第一部分侧的面上;以及第二绝缘体层,其设置在第一导电体层的第二部分侧的面上,且在第一方向上比第一绝缘体层薄。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及存储器件


技术介绍

1、作为能够非易失性地存储数据的存储器件,已知有nand闪速存储器。在该nand闪速存储器那样的存储器件中,为了高集成化、大容量化而采用三维的存储器构造。


技术实现思路

1、一个实施方式提高存储器件的可靠性。

2、实施方式的存储器件具备在第一方向上相互分离地排列的多个绝缘体层、隔着上述多个绝缘体层在上述第一方向上相互分离地排列的多个导电体层、以及以与上述多个导电体层相交的方式沿上述第一方向延伸的存储柱。上述多个导电体层包含第一导电体层,其具有在与上述存储柱的边界处沿上述第一方向排列的第一部分和第二部分。上述第一部分相对于上述第二部分在与上述第一方向相交且上述存储柱的直径增加的第二方向上后退。上述多个绝缘体层包含第一绝缘体层和第二绝缘体层。上述第一绝缘体层设置在上述第一导电体层的上述第一部分侧的面上。上述第二绝缘体层设置在上述第一导电体层的上述第二部分侧的面上,且在上述第一方向上比上述第一绝缘体层薄。

3、根据上述构成,能够提高存储器件的可靠性。

【技术保护点】

1.一种存储器件,其特征在于,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的存储器件,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的存储器件,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的存储器件,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的存储器件,其特征在于,

12.根据权利要求9所述的存储器件,其特征在于,

13.根据权利要求12所述的存储器件,其特征在于,

14.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

15.根据权利要求14所述的存储器件,其特征在于,

16.根据权利要求14所述的存储器件,其特征在于,

17.根据权利要求14所述的存储器件,其特征在于,

18.根据权利要求14所述的存储器件,其特征在于,

19.根据权利要求18所述的存储器件,其特征在于,

20.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器件,其特征在于,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的存储器件,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的存储器件,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的存储器件,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的存储器件,其特征在于,

11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:峯村洋一
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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