显示面板制造技术

技术编号:40696358 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-18 20:22
本公开提供一种显示面板。技术构思的显示面板包括:发光元件;像素电路,包括第一晶体管并且电连接到发光元件;以及第一绝缘层。第一晶体管包括:第一半导体图案,布置在第一绝缘层下方并且包括第一源区、第一漏区和布置在第一源区与第一漏区之间的第一沟道区;以及第一栅极,布置在第一绝缘层上并且与第一沟道区叠置。第一绝缘层包括第一区域和第二区域,第一区域与第一栅极的正常区域和第一源区叠置,第二区域与第一栅极的突出区域叠置,第二区域具有比第一区域的厚度大的厚度,并且设置为比第一区域靠近第一漏区。所述显示面板具有改善的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开在此涉及一种显示面板和制造该显示面板的方法。


技术介绍

1、显示装置包括显示面板,并且显示面板包括发光元件和用于控制施加到发光元件的电信号的像素电路。像素电路可包括至少两个晶体管。随着高分辨率显示面板的开发,在设计晶体管时出现设计限制。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种具有高分辨率的显示面板,并且提供一种包括具有改善的可靠性的晶体管的显示面板。

2、本公开提供一种制造包括具有改善的可靠性的晶体管的高分辨率显示面板的方法。

3、根据技术构思的显示面板包括:发光元件;像素电路,包括第一晶体管并且电连接到发光元件;以及第一绝缘层。第一晶体管包括:第一半导体图案,布置在第一绝缘层下方并且包括第一源区、第一漏区和布置在第一源区与第一漏区之间的第一沟道区;以及第一栅极,布置在第一绝缘层上并且与第一沟道区叠置。第一绝缘层包括第一区域和第二区域,第一区域与第一栅极的正常区域和第一源区叠置,第二区域与第一栅极的突出区域叠置,第二区域具有比第一区域的厚度大的厚度,并且设置为比第一区域靠近第一漏区。

4、第一区域可以均匀的厚度从与第一源区叠置的部分延伸至与第一栅极的正常区域叠置的部分。

5、第一绝缘层可在第二区域中具有均匀的厚度,并且第一区域和第二区域在与沟道区叠置的区域中形成台阶。

6、第二区域可包括:第一子区域,具有第一厚度并且与第一区域形成台阶;以及第二子区域,具有比第一厚度大的第二厚度并且与第一子区域形成台阶。

<p>7、第二区域中的第一绝缘层可具有朝向第一漏区逐渐增大的厚度。

8、第一绝缘层还可包括第三区域,第三区域与第一漏区叠置并且具有比第二区域小的厚度,其中,第二区域可与第三区域形成台阶。

9、第一绝缘层的在第三区域中的厚度可与第一绝缘层的在第一区域中的厚度相同。

10、在剖视图中,第二区域的在沟道长度方向上的长度可至多是第一沟道区的在沟道长度方向上的长度的一半。

11、第一绝缘层的在第二区域中的厚度可至多是第一绝缘层的在第一区域中的厚度的两倍大。

12、显示面板还可包括第二晶体管,其中,第二晶体管可包括:第二半导体图案,与第一半导体图案布置在同一层并且包括第二源区、第二漏区和布置在第二源区与第二漏区之间的第二沟道区;以及第二栅极,与第二沟道区叠置并且与第一栅极布置在同一层。第一半导体图案和第二半导体图案可包括相同的材料并且包括多晶硅和氧化物半导体中的任意一种。

13、第一区域还可与第二栅极的正常区域和第二源区叠置,并且第二区域还可与第二栅极的突出区域叠置并且可设置为比与第二栅极的正常区域和第二源区叠置的第一区域靠近第二漏区。

14、第一绝缘层可在与第二半导体图案叠置的区域中具有均匀的厚度。

15、第一晶体管可以是开关晶体管,并且第二晶体管可以是驱动晶体管。

16、显示面板还可包括:上绝缘层,布置在第一栅极上;以及第二晶体管,其中,第二晶体管可包括:第二半导体图案,布置在第一绝缘层与上绝缘层之间并且包括第二源区、第二漏区和布置在第二源区与第二漏区之间的第二沟道区;以及第二栅极,布置在上绝缘层上并且与第二沟道区叠置。第一半导体图案可包括多晶硅,并且第二半导体图案可包括氧化物半导体。

17、上绝缘层可包括第一区域和第二区域,第一区域与第二栅极的正常区域和第二源区叠置,第二区域与第二栅极的突出区域叠置,第二区域具有比上绝缘层的第一区域的厚度大的厚度,并且设置为比上绝缘层的第一区域靠近第二漏区。

18、上绝缘层可在与第二半导体图案叠置的区域中具有均匀的厚度。

19、显示面板还可包括:下绝缘层,布置在第一半导体图案下方;以及第二晶体管,其中,第二晶体管可包括:第二半导体图案,布置在下绝缘层下方并且包括第二源区、第二漏区和布置在第二源区与第二漏区之间的第二沟道区;以及第二栅极,布置在下绝缘层与第一绝缘层之间并且与第二沟道区叠置。下绝缘层可包括第一区域和第二区域,第一区域与第二栅极的正常区域和第二源区叠置,第二区域与第二栅极的突出区域叠置,第二区域具有比下绝缘层的第一区域的厚度大的厚度,并且设置为比下绝缘层的第一区域靠近第二漏区,并且第一半导体图案可包括氧化物半导体,第二半导体图案可包括硅半导体。

20、显示面板还可包括:第二绝缘层,布置在第一绝缘层上并且覆盖第一栅极;第一连接电极,布置在第二绝缘层上,并且通过形成在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一接触孔连接到第一源区;以及第二连接电极,布置在第二绝缘层上,并且通过形成在第一绝缘层和第二绝缘层中的第二接触孔连接到第一漏区。

21、根据技术构思的显示面板包括:基体层;发光元件,布置在基体层上;像素电路,包括晶体管并且电连接到发光元件;以及绝缘层,布置在基体层上。晶体管包括:半导体图案,布置在基体层与绝缘层之间并且包括源区、漏区和布置在源区与漏区之间的沟道区;以及栅极,与沟道区叠置并且布置在绝缘层上。栅极可包括与源区相邻设置的第一边缘和与漏区相邻设置的第二边缘,并且从半导体图案的上部到第二边缘的下部的距离大于从半导体图案的上部到第一边缘的下部的距离。

22、根据技术构思的制造显示面板的方法包括:在基体层上形成预备半导体图案;在预备半导体图案上形成预备绝缘层;通过光刻工艺形成绝缘层,绝缘层包括第一区域和第二区域,第二区域具有比第一区域的厚度大的厚度;在绝缘层上形成与第一区域的一部分和第二区域叠置的栅极;以及从预备半导体图案形成半导体图案,半导体图案包括与栅极叠置的沟道区以及源区和漏区,源区和漏区在相反的方向上延伸且沟道区设置在源区与漏区之间。第二区域可设置为比第一区域靠近漏区。

23、根据技术构思的实施例,通过增大栅极绝缘层的设置在栅极与沟道区的同漏区相邻的部分之间的部分的厚度,可通过防止其中阈值电压由于隧穿现象而降低的现象来减小漏电流。

本文档来自技高网
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【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一区域以均匀的厚度从与所述第一源区叠置的部分延伸至与所述第一栅极的所述正常区域叠置的部分。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层在所述第二区域中具有均匀的厚度,并且

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二区域包括:

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二区域中的所述第一绝缘层具有朝向所述第一漏区逐渐增大的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的在所述第三区域中的厚度与所述第一绝缘层的在所述第一区域中的所述厚度相同。

8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在剖视图中,所述第二区域的在沟道长度方向上的长度至多是所述第一沟道区的在所述沟道长度方向上的长度的一半。

9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的在所述第二区域中的所述厚度至多是所述第一绝缘层的在所述第一区域中的所述厚度的两倍大。

10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二晶体管,

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【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一区域以均匀的厚度从与所述第一源区叠置的部分延伸至与所述第一栅极的所述正常区域叠置的部分。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层在所述第二区域中具有均匀的厚度,并且

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二区域包括:

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二区域中的所述第一绝缘层具有朝向所述第一漏区逐渐增大的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴商鎭金贤商李相赫郑玟圭
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:新型
国别省市:

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