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存储器件制造技术
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文档序号:40698408
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一实施方式的存储器件具备在第一方向上相互分离地排列的多个绝缘体层、隔着多个绝缘体层在第一方向上相互分离地排列的多个导电体层、以及以与多个导电体层相交的方式沿第一方向延伸的存储柱。多个导电体层包含第一导电体层,其具有在与存储柱的边界处沿第一方...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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