【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示设备。
技术介绍
1、边缘场开关(fringe field switching，简称ffs)技术，是目前一种应用在液晶显示领域的技术，具有响应速度快、广视角、光透过率高等优点，广泛应用在笔记本显示器、桌面显示器以及电视等终端装置，也是近年来快速发展的显示技术。
2、边缘场开关技术的核心是薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)技术，但是其中pfa(polymer film on array，阵列基板侧有机膜)有机光阻层较厚，在制作过程中，位于pfa深孔内的光阻可能存在曝光不充分及显影不净的问题，导致发生光阻残留，从而影响像素电极和源漏极之间的搭接阻抗，最终影响显示效果。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示设备，旨在解决目前有机光阻层较厚导致光阻残留，影响显示效果的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，该方法包括：
3、准备衬底，依次在所述衬底上沉积形成栅极层、栅极绝缘层、金属氧化物层、源漏极层、第一绝缘保护层、牺牲层和有机光阻层；
4、对所述有机光阻层进行光刻处理，形成贯穿所述有机光阻层和所述牺牲层的深孔；
5、在光刻处理后的有机光阻层上依次镀公共电极层和第二绝缘保护层，使所述深孔贯穿所述牺牲层、有机光阻层、公共电极层和第二绝缘保护层，以及穿过所述第一绝缘保护层至所述
6、在所述第二绝缘保护层上沉积形成像素电极，所述像素电极通过所述深孔与所述源漏极层搭接。
7、可选地，所述牺牲层为氧化钨层。
8、可选地，所述氧化钨层采用原子层沉积方法制备，包括以下步骤：
9、向反应腔内通入六羰基钨前驱体，通入持续时间为2秒-5秒，通入速度为5ml/min-30ml/min；
10、以惰性气体吹扫所述反应腔3秒-30秒，去除残留的六羰基钨前驱体；
11、向所述反应腔内通入氧气，通入持续时间为2秒-20秒；
12、以惰性气体吹扫所述反应腔3秒-30秒，去除残留的氧气；
13、重复以上步骤5-20次。
14、可选地，所述氧化钨层的厚度为10nm以内。
15、可选地，所述有机光阻层的厚度为2μm-5μm。
16、可选地，所述第一绝缘保护层为sion层和/或siox层，厚度为所述第二绝缘保护层为sion层和/或siox层，厚度为
17、可选地，所述栅极层为cu/mo层、cu/ti层、cu/moti层或者cu/monb层，厚度为
18、可选地，所述源漏极层为cu/mo层、cu/ti层、cu/moti层或者cu/monb层，厚度为
19、此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种阵列基板，采用如上文所述的阵列基板的制备方法制备得到，所述阵列基板包括衬底，以及依次位于所述衬底一侧表面的栅极层、栅极绝缘层、金属氧化物层、源漏极层、第一绝缘保护层、牺牲层、有机光阻层、公共电极层、第二绝缘保护层和像素电极，还包括深度从所述第二绝缘保护层至所述源漏极层的深孔，所述像素电极通过所述深孔和所述源漏极层搭接。
20、此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示设备，包括如上文所述的阵列基板。
21、本专利技术提供的阵列基板的制备方法，准备衬底，依次在所述衬底上沉积形成栅极层、栅极绝缘层、金属氧化物层、源漏极层、第一绝缘保护层、牺牲层和有机光阻层；对所述有机光阻层进行光刻处理，形成贯穿所述有机光阻层和所述牺牲层的深孔；在光刻处理后的有机光阻层上依次镀公共电极层和第二绝缘保护层，使所述深孔贯穿所述牺牲层、有机光阻层、公共电极层和第二绝缘保护层，以及穿过所述第一绝缘保护层至所述源漏极层；在所述第二绝缘保护层上沉积形成像素电极，所述像素电极通过所述深孔与所述源漏极层搭接。在有机光阻层和第一绝缘保护层之间增加牺牲层，在有机光阻层光刻过程中，牺牲层可以和有机光阻层一同通过曝光和显影的过程被刻蚀，从而将有机光阻层底部残留附着在牺牲层的光阻去除，减少光阻残留，提升显影洁净度，避免影响像素电极通过深孔与源漏极层的搭接阻抗，增强显示效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为氧化钨层。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化钨层采用原子层沉积方法制备，包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化钨层的厚度为10nm以内。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机光阻层的厚度为2μm-5μm。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘保护层为SiON层和/或SiOx层，厚度为所述第二绝缘保护层为SiON层和/或SiOx层，厚度为
7.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极层为Cu/Mo层、Cu/Ti层、Cu/MoTi层或者Cu/MoNb层，厚度为
8.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述源漏极层为Cu/Mo层、Cu/Ti层、Cu/MoTi层或者Cu/MoNb层，厚度为
9.一
10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为氧化钨层。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化钨层采用原子层沉积方法制备，包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化钨层的厚度为10nm以内。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机光阻层的厚度为2μm-5μm。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘保护层为sion层和/或siox层，厚度为所述第二绝缘保护层为sion层和/或siox层，厚度为
7.如权利要求1所述的阵列基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡威威，卓恩宗，谢俊烽，
申请(专利权)人：滁州惠科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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