【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例一般涉及带电粒子评估系统和在带电粒子评估系统中对准样品的方法。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，作为例如光学效应和附带颗粒的结果，在制造工艺期间在衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地出现不期望的图案缺陷，从而降低了产率。因此，监控不希望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的重要过程。更一般地，衬底或其它物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、已经使用诸如具有带电粒子束的图案检查工具的评估工具来检查物体，例如检测图案缺陷。一些这样的工具通常使用电子显微镜技术，例如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束作为探测点聚焦在样品上。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用使得电子从表面发射，例如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所生成的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上扫描作为探测点的初级电子束，可以横跨样品表面发射次级电子。通过从样品表面收集这些发射的次级电子，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构的特征的图像。
3、为了执行诸如样品检查的评估，样品相对于至少一个电子束路径对准。样品对准包括两个步骤。在第一步骤，全局对准或粗略对准中，相对于一个或多个电子束的路径对准样品，即，验证样品放置精度。(注意，多射束的每个子束可以具有路径，并且多射束本身可以被认为具有这样的路径，其中当聚焦在样品上时，多射束的子束在样品表面上具有期望的空间
4、确定样品相对于电子束路径的全局对准。可以使用光学传感器或光学显微镜执行sem中样品的全局对准。通过该方法，光学传感器/显微镜尽可能靠近sem放置。因此，光学传感器/显微镜在检查工具中占据有限的空间。需要对sem和光学传感器/显微镜之间的位置进行校准，这影响了样品吞吐量和对准精度。这种校准的精度可以随时间变化和漂移。期望快速、准确且成本有效地执行样品与sem的全局对准。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供支持确定样品与带电粒子评估系统的多射束路径的全局对准的改进的实施例。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种在带电粒子评估系统中对准样品的方法，带电粒子评估系统包括用于支撑样品的支座，评估系统被配置为沿着多射束路径将多射束中的带电粒子朝向样品投射，多射束包括子射束的布置，并且带电粒子评估系统被配置为检测响应于多射束的对应子束而从样品发射的信号粒子，方法包括：将多射束带电粒子沿着多射束路径朝向样品的对准特征引导，使得多射束带电粒子的视场包括对准特征；检测从样品发射的信号粒子；基于信号粒子的检测生成表示对准特征的数据集；以及使用数据集确定样品相对于多射束路径的全局对准。
3、根据本专利技术的第二方面，提供了一种带电粒子评估系统，其被配置为向包括对准特征的样品投射多射束带电粒子，多射束带电粒子包括沿着多射束路径定向的子束的布置，系统包括：用于支撑样品的支座；用于将多射束带电粒子朝向样品投射的光学系统，该光学系统包括：物镜阵列，其被配置为将多射束带电粒子以子束的布置引导朝向样品，以及检测器阵列，其与物镜阵列相关联并且被配置为检测响应于多射束的对应子束而从样品发射的信号粒子；控制系统，其被配置为控制光学系统以将多射束带电粒子朝向在包括对准特征的视场中的对准特征引导；以及处理系统，其被配置为基于对信号粒子的检测来生成表示对准特征的数据集，并且根据表示对准特征的数据集来确定样品相对于至少一个电子光学装置列的全局对准。
4、从以下结合附图的描述中，本专利技术的优点将变得显而易见，其中通过说明和示例的方式阐述了本专利技术的某些实施例。
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1.一种在带电粒子评估系统中对准样品的方法，所述带电粒子评估系统包括用于支撑样品的支座，所述评估系统被配置为沿着多射束路径将多射束中的带电粒子朝向样品投射，所述多射束包括子束的布置，并且所述评估系统被配置为检测响应于所述多射束的对应子束而从所述样品发射的信号粒子，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个子束同时被引导向所述对准特征。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多射束布置的选定子束的组合视场包括所述对准特征，并且优选地其中所述选定包括至少50到100个子束。
4.根据权利要求3所述的方法，其中引导所述多射束包括从所述多射束布置中选择所述选定子束，彼此邻接的所述选定子束限定所述多射束布置的一部分，或者所述选定子束优选地以规则图案遍及所述多射束布置被设置在所述多射束布置中。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多射束布置包括所述选定子束和未选择的子束，其中所述选择包括消隐所述未选择的子束。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中引导所述多射束包括在所述对准特征上扫描所述多射束带电粒子
7.根据权利要求6所述的方法，其中带电粒子的所述多射束在所述对准特征上的所述扫描是在大于或等于子束节距的距离上进行的。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述多射束带电粒子在所述对准特征上的所述扫描是在大于或等于以下项的距离上进行的：部分射束布置的在所述样品表面的平面中的尺寸和/或分配给所述多射束的子束的视场的尺寸。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中在所述对准特征上对所述多射束带电粒子的所述扫描在所述视场内。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述检测包括选择检测器阵列的检测器元件以进行检测。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述生成包括从所述检测中选择检测器信号以用于生成所述数据集。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述确定包括从所述数据集中选择与检测器阵列的所选检测器元件的检测相对应的数据。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述确定包括基于所述信号的强度来确定所述多射束的所述视场中的所述样品表面的形貌。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述对准特征包括被限定在所述样品的边缘中或所述边缘上的特征和/或所述样品的主表面的特征。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，还包括使用所述全局对准来确定所述样品相对于所述多射束的精细对准。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在带电粒子评估系统中对准样品的方法，所述带电粒子评估系统包括用于支撑样品的支座，所述评估系统被配置为沿着多射束路径将多射束中的带电粒子朝向样品投射，所述多射束包括子束的布置，并且所述评估系统被配置为检测响应于所述多射束的对应子束而从所述样品发射的信号粒子，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个子束同时被引导向所述对准特征。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多射束布置的选定子束的组合视场包括所述对准特征，并且优选地其中所述选定包括至少50到100个子束。
4.根据权利要求3所述的方法，其中引导所述多射束包括从所述多射束布置中选择所述选定子束，彼此邻接的所述选定子束限定所述多射束布置的一部分，或者所述选定子束优选地以规则图案遍及所述多射束布置被设置在所述多射束布置中。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多射束布置包括所述选定子束和未选择的子束，其中所述选择包括消隐所述未选择的子束。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中引导所述多射束包括在所述对准特征上扫描所述多射束带电粒子。
7.根据权利要求6所述的方法，其中带电粒子的所述多射束在所述对准特征上的所述扫描是在大于或等于子束节距的距离上进行的。
【专利技术属性】
技术研发人员：E·斯洛特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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