【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种表膜隔膜。本专利技术具有与euv光刻设备和euv光刻工具关联的特定但非排他性用途。本专利技术也涉及表膜组件和包括这种组件的光刻设备。
技术介绍
1、光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。使用极紫外(euv)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
3、可以使用图案形成装置(例如，掩模或掩模版)将图案赋予光刻设备中的辐射束。通过图案形成装置或反射离开图案形成装置而提供辐射以在衬底上形成图像。图案形成装置的表面上的污染物会导致衬底上的制造缺陷。可以提供隔膜组件，也称为表膜，以保护图案形成装置免受空气中的粒子和...
【技术保护点】
1.一种用于光刻设备的表膜隔膜，其中，所述表膜隔膜包括金属硅化物和增强网络。
2.根据权利要求1所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络位于金属硅化物层之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络是不规则的。
4.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络包括最大尺寸为高达20微米的窗口。
5.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络包括平均尺寸为至少5微米的窗口。
6.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络除了窗口之外的部分具有高达所述表膜的1
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于光刻设备的表膜隔膜，其中，所述表膜隔膜包括金属硅化物和增强网络。
2.根据权利要求1所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络位于金属硅化物层之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络是不规则的。
4.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络包括最大尺寸为高达20微米的窗口。
5.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络包括平均尺寸为至少5微米的窗口。
6.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络除了窗口之外的部分具有高达所述表膜的10％的面积。
7.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述增强网络由纳米管形成。
8.根据权利要求7所述的表膜隔膜，其中，所述纳米管是碳纳米管。
9.根据权利要求7或权利要求8所述的表膜隔膜，其中，所述纳米管是被涂覆的。
10.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，在所述增强网络与所述金属硅化物层中的至少一个金属硅化物层之间设置有额外的层。
11.根据权利要求10所述的表膜隔膜，其中，所述至少一个额外的层是金属层。
12.根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜，其中，所述金属硅化物是氮化金属硅化物。
13.一种表膜组件，包括根据任一前述权利要求所述的表膜隔膜、和框架，所述表膜隔膜由所述框架支撑。
14.一种表膜组件，包括由框架支撑的表膜隔膜，其中，所述表膜隔膜没有完全延伸到所述框架的外边缘。
15.根据权利要求14所述的表膜组件，其中，包括多个层的边界叠层被设置在所述框架与所述表膜隔膜之间，并且其中所述边界叠层的至少一部分没有完全延伸到所述框架的外边缘。
16.根据权利要求14或权利要求15所述的表膜组件，其中，所述表膜隔膜的外边缘以及可选地所述边界叠层的至少一部分设置有用作对准标记的形状。
17.根据权利要求16所述的表膜组件，其中，所述表膜隔膜和边界叠层是大致矩形的，并且所述形状被设置在所述表膜隔膜的至少一个拐角部处并且可选地设置在所述边界叠层的至少一部分处。
18.根据权利要求17所述的表膜组件，其中，所述形状被设置在所述表膜隔膜的每个拐角部处，并且可选地设置在所述边界叠层的至少一部分处。
19.根据权利要求17或权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·T·阿格利科拉，L·费雷琳，D·德格拉夫，C·K·安德，I·唐梅兹诺扬，施辉东，T·W·范德伍德，安苏菲·罗利尔，M·比龙，A·J·M·吉斯贝斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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