光学隔离模块制造技术

用于光刻工具的光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，第一光束具有第一波长，并且第二光束具有第二波长，第一波长和第二波长不同；放大器，被配置为将第一光束和第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及光源与放大器之间的光学隔离器，光学隔离器包括：多个二向色光学元件以及两个二向色光学元件之间的光学调制器。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光学隔离模块。光学隔离模块能够被用在极紫外(euv)光源中。

技术介绍

1、极紫外(“euv”)光(例如，具有大约50nm或更小的波长的电磁辐射(有时也称为软x射线)并且包括波长约13nm的光)可以用于光刻过程以在衬底(例如，硅晶圆)中产生极小的特征。

2、产生euv光的方法包括但不必限于利用处于等离子体状态的euv范围中的发射谱线将具有元素(例如，氙、锂或锡)的材料进行转换。在通常称为激光产生等离子体(“lpp”)的这样的方法中，可以通过照射例如以材料的微滴、板、带、流或集群的形式的目标材料，利用可以被称为驱动激光器的经放大的光束来产生所需的等离子体。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备对其进行监测。

技术实现思路

1、在一个整体方面，用于光刻工具的光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，第一光束具有第一波长，并且第二光束具有第二波长，第一波长和第二波长不同；放大器，被配置为将第一光束和第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于极紫外(EUV)光源的设备，所述设备包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述光学调制器包括声光调制器。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备进一步包括控制系统，所述控制系统被配置为向所述声光调制器提供触发信号，并且其中所述声光调制器响应于接收到所述触发信号而将光偏离所述射束路径，并且以其他方式将光传输到所述射束路径上。

4.根据权利要求1所述的设备，还包括第二光学调制器，其中，

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述光学调制器和所述第二光学调制器位于相同的两个二向色光学元件之间，并且所述第二光学调制器位于不同于所述射...

【技术特征摘要】

1.一种用于极紫外(euv)光源的设备，所述设备包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述光学调制器包括声光调制器。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备进一步包括控制系统，所述控制系统被配置为向所述声光调制器提供触发信号，并且其中所述声光调制器响应于接收到所述触发信号而将光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶业争，D·J·W·布朗，A·A·沙夫甘斯，P·P·达斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：