【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于物体处置器的物体夹持器、一种保持物体的方法、以及一种光刻设备。
技术介绍
1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(经常也被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、随着半导体制造工艺的持续进步,数十年来,电路元件的尺寸已经不断地减小,而每器件的功能元件(诸如,晶体管)的量已经在稳定地增加,这遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了符合摩尔定律,半导体行业正在追逐使得能够产生越来越小特征的技术。为了将图案投影于衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了图案化于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相较于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有在4nm至20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小
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【技术保护点】
1.一种用于物体处置器的夹持器,包括:用于接合物体的表面的接合表面、以及连接到第一出口的第一通道,所述第一出口被配置为在使用期间作为真空夹具而操作,所述真空夹具被布置为将所述接合表面固定到所述物体的所述表面,
2.如权利要求1所述的夹持器,其中,所述第二通道被配置为交替地作为负压力管线进行操作和作为正压力管线进行操作。
3.如权利要求1或2所述的夹持器,其中,所述第二通道是被配置为施加吸力来移除流体的负压力管线。
4.如权利要求3所述的夹持器,其中,所述第二通道连接到湿式真空供应器。
5.如权利要求2至4中任一项所述的夹
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于物体处置器的夹持器,包括:用于接合物体的表面的接合表面、以及连接到第一出口的第一通道,所述第一出口被配置为在使用期间作为真空夹具而操作,所述真空夹具被布置为将所述接合表面固定到所述物体的所述表面,
2.如权利要求1所述的夹持器,其中,所述第二通道被配置为交替地作为负压力管线进行操作和作为正压力管线进行操作。
3.如权利要求1或2所述的夹持器,其中,所述第二通道是被配置为施加吸力来移除流体的负压力管线。
4.如权利要求3所述的夹持器,其中,所述第二通道连接到湿式真空供应器。
5.如权利要求2至4中任一项所述的夹持器,其中,所述第二通道中的压力在0kpa至55kpa的范围内。
6.如权利要求1或2所述的夹持器,其中,所述第二通道是被配置为施加排斥力来排斥流体的正压力管线。
7.如权利要求6所述的夹持器,其中,所述第二通道中的压力在0kpa至200kpa的范围内。
8.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口被定位于所述夹持器的外边缘与所述夹持器的所述接合表面之间。
9.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口被布置于所述第一出口与所述夹持器的所述接合表面之间。
10.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口被布置于所述夹持器的前边缘上。
11.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口基本上是圆形的。
12.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口基本上是线状的。
13.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述至少一个第二出口包括多个第二出口。
14.如前述任一项权利要求所述的夹持器,其中,所述夹持器还包括:邻近所述至少一个第二出口且与所述至少一个第二出口连通的凹槽。
15.如前述任一项权利要求所述的夹持器,还包括第三通道,所述第三通道具有连接到所述第三通道的至少一个第三出口,所述第三出口被定位为邻近所述第二通道的所述至少一个第二出口。
16.如权利要求15所述的夹持器,其中,所述第三通道被配置为交替地作为负压力管线进行操作和作为正压力管线进行操作。
17.如权利要求15所述的夹持器,其中,所述第三通道是被配置为施加排斥力的正压力管线。
18.如权利要求17所述的夹持器,其中,所述第三通道中的压力在0kpa至200kpa的范围内。
19.如权利要求9所述的夹持器,其中,所述第三通道是被配置为施加吸力来移除流体的负压力管线。
20.如权利要求19所述的夹持器,其中,所述第三通道中的压力在0kpa至55kpa的范围内。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的夹持器,其中,所述至少一个第三出口基本上是圆形的。
22.根据权利要求15至20中任一项所述的夹持器,其中,所述至少一个第三出口基本上是线状的。...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·范栋恩,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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