本发明专利技术公开了一种晶圆加热盘组件，包括加热丝，所述加热丝安装在加热上盘体和下支撑板之间；所述加热丝呈圆形盘绕，其为一整根加热丝体，其两端由中部向外盘绕，其两端向外弯折呈第一环形部，第一环形部的左侧具有第一间距，第一间距的两端处的第一环形部向外弯折形成第二环形部，第二环形部的右侧具有第二间距，第二间距的两端处的第二环形部向外弯折形成第三环形部，第三环形部的下侧具有第三间距，第三间距的两端处的第三环形部向外弯折形成第四环形部，第四环形部的上侧具有第四间距。它使得加热上盘体的温度分布均匀，而绝热垫层，降低了加热盘热量向下传递的份额，增加了热盘温度均匀性，减少热量的散失。
【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及半导体加工设备，更具体地说涉及一种晶圆加热盘组件。
技术介绍
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技术介绍
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1、在集成电路行业内，薄膜沉积技术得到了广泛的应用。随着对摩尔定律的挖掘，芯片特征尺寸不断缩小，对薄膜沉积的均匀性提出了越来越高的要求。化学气相沉积的沉积速率r可用简化的表达式r＝ks(ts)cs进行描述,其中ks是依赖于温度ts的反应速率常数，cs是反应物浓度。反应腔室内的温度均匀性，尤其是晶圆加热盘的温度均匀性对薄膜的质量产生了重要的影响。
2、现有的晶圆加热盘，电热丝通常采取直线缺口同心弧形布置方式，并一体灌封在加热盘内，如图1所示；其存在线圈结构不合理的问题，导致发热不均匀，如图2所示，可以明显看出直线缺口的同心弧形加热盘两环之间的低温区域连接成为一个较大的低温区，大片相连的低温区域难以吸收；同时，加热盘上的热量通过连接件传导到机台结构上，不仅造成热量的浪费，还降低了温度分布均匀性，如图3所示；而且还有边缘效应等问题，各种因素导致加热盘温度在不同区域上具有较大差异，造成沉积的薄膜厚度不均匀。
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【技术保护点】
1.一种晶圆加热盘组件，包括加热丝(10)，其特征在于：所述加热丝(10)安装在加热上盘体(20)和下支撑板(30)之间；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在于：所述第一间距(111)处的两侧的第一环形部(11)为弧形部，第二间距(121)处的两侧的第二环形部(12)为弧形部，第三间距(131)处的两侧的第三环形部(13)为弧形部，第四间距(141)处的两侧的第四环形部(14)为弧形部。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在于：所述加热丝(10)的两端之间具有间距。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加热盘组件，包括加热丝(10)，其特征在于：所述加热丝(10)安装在加热上盘体(20)和下支撑板(30)之间；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在于：所述第一间距(111)处的两侧的第一环形部(11)为弧形部，第二间距(121)处的两侧的第二环形部(12)为弧形部，第三间距(131)处的两侧的第三环形部(13)为弧形部，第四间距(141)处的两侧的第四环形部(14)为弧形部。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在于：所述加热丝(10)的两端之间具有间距。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆加热盘组件，其特征在于：所述加热上盘体(20)的底面中部成型有向上延伸的上安装凹槽(21)，上安装凹槽(21)的底部侧壁上成型有环形槽(22)，下支撑板(30)插套在上安装凹槽(21)的下部中，下支撑板(30)的边部插套在环形槽(22)中，下支撑板(30)的侧壁靠近或紧贴环形槽(22)的内侧壁，下支撑板(30)的边部顶面压靠在环形槽(2...
【专利技术属性】
技术研发人员：李欣欣，叶雷江，张素梅，孔德君，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴研究院，
类型：发明
国别省市：
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