【技术实现步骤摘要】
本公开涉及反应室部件，其被构造和布置用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备。该部件可以包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料。
技术介绍
1、反应室部件可用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备。该部件可以是用于将衬底保持在反应室中的衬底支撑件(一部分)、用于形成反应室的反应室壁、用于分隔反应室的分隔器、用于在反应室中提供气体的注射器或者用于从反应室中去除气体的排气装置。
2、第一材料例如可以是碳化硅。在使用期间，反应室部件可以接收相同第一材料的寄生涂层。寄生涂层可能在反应室部件上的多次沉积过程中积累，并且积累的层可能在加热-冷却循环中剥离，并且该层的薄片可能掉落在衬底上，而这可能是不希望的。
3、因此，可能需要去除反应室部件上的第一材料的寄生涂层。这种寄生涂层的去除(有时被称为清洁或蚀刻)可能是困难的，因为部件可能被涂覆有相同第一材料的衬里。基底材料可以用衬里涂覆，以避免基底材料由于反应室中的运输和安装，或者由于反应室中使用的任何过程而被损坏，或者避免在第一材料的沉积过程中杂质从基底材料转移到衬底中。因此，衬里的完...
【技术保护点】
1.一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备的反应室的反应室部件，该部件包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料，其中该部件在第一材料衬里的顶部至少部分设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铪(HfO2)。
4.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(Al2O3)。
5.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氮化物。
6....
【技术特征摘要】
1.一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备的反应室的反应室部件，该部件包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料，其中该部件在第一材料衬里的顶部至少部分设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铪(hfo2)。
4.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(al2o3)。
5.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的部件，其中，所述金属氮化物包括氮化铝(aln)。
7.根据权利要求1所述的部件，还包括位于保护性顶层顶部的牺牲层。
8.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层包括金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(al2o3)。
10.根据权利要求1所述的部件，其中，所述衬里的第一材料包括从包括碳化硅(sic)和碳化钽(tac)的组中选择的碳化物。
11.根据权利要求1所述的部件，其中，所述基底材料包括石墨。
12.根据权利要求1所述的部件，其中，所述部件是用于将衬底保持在反应室中的衬底支撑组件、用于形成反应室的反应室壁、用于分隔反应室的分隔器组件、用于在反应室中提供气体的注射器组件或用于从反应室中去除气体的排气组件。
13.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层在顶部设置有碳化硅(sic)层。
14.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层在顶部设置有碳化硅(sic)层。
15.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括不同于碳化硅(sic)的金属碳化物，优选碳化钽(tac)。
16.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括指示层，其包括指示金属，以发出所述部件的清洁过程的进展的信号。
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【专利技术属性】
技术研发人员：I·尤丹诺夫，C·沃克霍文，L·Y·王，I·J·拉伊杰马克斯，O·卡利尔，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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