【技术实现步骤摘要】
本公开涉及反应室部件，其被构造和布置用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备。该部件可以包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料。
技术介绍
1、反应室部件可用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备。该部件可以是用于将衬底保持在反应室中的衬底支撑件(一部分)、用于形成反应室的反应室壁、用于分隔反应室的分隔器、用于在反应室中提供气体的注射器或者用于从反应室中去除气体的排气装置。
2、第一材料例如可以是碳化硅。在使用期间，反应室部件可以接收相同第一材料的寄生涂层。寄生涂层可能在反应室部件上的多次沉积过程中积累，并且积累的层可能在加热-冷却循环中剥离，并且该层的薄片可能掉落在衬底上，而这可能是不希望的。
3、因此，可能需要去除反应室部件上的第一材料的寄生涂层。这种寄生涂层的去除(有时被称为清洁或蚀刻)可能是困难的，因为部件可能被涂覆有相同第一材料的衬里。基底材料可以用衬里涂覆，以避免基底材料由于反应室中的运输和安装，或者由于反应室中使用的任何过程而被损坏，或者避免在第一材料的沉积过程中杂质从基底材料转移到衬底中。因此，衬里的完整性对于沉积在衬底上的第一材料的质量很重要。
4、因此，对部件的任何清洁不仅可能如预期的那样去除寄生涂层，还可能无意中部分去除衬里。去除寄生涂层所需的时间取决于寄生涂层的厚度和清洁过程的细节，前者可能在整个部件表面上或从各个部件间变化很大。这可能导致衬里的完全去除。在衬里被去除的地方，基底材料可能被清洁过程暴露和损坏，而这是不希望的。可能很难找到选择性地去除第一材料的寄生涂层而不去除反
5、因此，需要一种在去除过程中可以得到更好保护的反应室部件。
技术实现思路
1、根据一示例，可以提供一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备的反应室的反应室部件。该部件可以包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料。该部件可以至少部分地在第一材料衬里的顶部上设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
2、根据另一示例，可以提供一种用于在衬底上沉积第一材料层(例如碳化硅)的沉积设备。该设备可以包括反应室部件，其包括至少部分地涂覆有第一材料衬里的基底材料。该部件可以至少部分地在第一材料衬里的顶部上设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
3、根据又一示例，可以提供一种保护用于在衬底上沉积第一材料层的设备的反应室的反应室部件的方法。该部件可以至少部分地涂覆有第一材料的衬里。该方法包括在第一材料的衬里顶部提供不同于第一材料的第二材料的保护层。该方法可以包括用湿法蚀刻或干法蚀刻去除碳化硅层，并且在湿法蚀刻或干法蚀刻期间用保护层保护衬里免受湿法蚀刻或干法蚀刻。
4、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
【技术保护点】
1.一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备的反应室的反应室部件，该部件包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料，其中该部件在第一材料衬里的顶部至少部分设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铪(HfO2)。
4.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(Al2O3)。
5.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的部件，其中，所述金属氮化物包括氮化铝(AlN)。
7.根据权利要求1所述的部件，还包括位于保护性顶层顶部的牺牲层。
8.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层包括金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(Al2O3)。
10.根据权利要求1所述的部件，其中，所述衬里的第一材料包括从包括碳化硅(SiC)和碳化钽(T
11.根据权利要求1所述的部件，其中，所述基底材料包括石墨。
12.根据权利要求1所述的部件，其中，所述部件是用于将衬底保持在反应室中的衬底支撑组件、用于形成反应室的反应室壁、用于分隔反应室的分隔器组件、用于在反应室中提供气体的注射器组件或用于从反应室中去除气体的排气组件。
13.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层在顶部设置有碳化硅(SiC)层。
14.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层在顶部设置有碳化硅(SiC)层。
15.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括不同于碳化硅(SiC)的金属碳化物，优选碳化钽(TaC)。
16.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括指示层，其包括指示金属，以发出所述部件的清洁过程的进展的信号。
17.一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备，该第一材料是碳化硅，其中该设备包括根据权利要求1所述的部件。
18.根据权利要求17所述的设备，其中，提供给所述部件的保护层包括包含指示金属的指示层，并且所述设备包括传感器，用于在所述部件的清洁过程期间检测排气中指示金属的存在，其指示清洁过程的进展。
19.一种保护用于在衬底上沉积第一材料层的设备的反应室的反应室部件的方法，该部件至少部分地涂覆有第一材料的衬里，该方法包括在第一材料的衬里的顶部提供不同于第一材料的第二材料的保护层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，提供所述第二材料的保护层包括通过提供包含金属的第一前体和提供包含氧的第二前体来沉积金属氧化物作为第二材料，从而提供金属氧化物。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，提供所述第一前体包括提供诸如氯化铪(HfCl4)的金属卤化物，并且提供所述第二前体包括提供水以沉积氧化铪(HfO2)作为所述金属氧化物。
22.根据权利要求20所述的方法，其中，提供所述第二材料的保护性顶层包括提供诸如三甲基铝(TMA)的第一前体和提供诸如水的第二前体以沉积氧化铝(Al2O3)。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，提供第二材料的保护性顶层包括提供金属氮化物。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，提供第二材料的保护性顶层包括提供诸如三甲基铝(TMA)的第一前体和诸如氨(NH3)的第二前体以沉积氮化铝(AlN)。
25.根据权利要求21所述的方法，其中，所述方法包括在保护性顶层的顶部提供牺牲层。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述方法包括在所述牺牲层的顶部提供碳化硅层。
27.根据权利要求19所述的方法，其中，所述方法包括在保护层的顶部提供碳化硅层。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述方法包括用湿法蚀刻或干法蚀刻去除碳化硅层，并且在湿法蚀刻或干法蚀刻期间用保护层保护衬里免受湿法蚀刻或干法蚀刻。
...【技术特征摘要】
1.一种用于在衬底上沉积第一材料层的沉积设备的反应室的反应室部件，该部件包括至少部分涂覆有第一材料衬里的基底材料，其中该部件在第一材料衬里的顶部至少部分设置有不同于第一材料的第二材料的保护层，以保护该部件。
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铪(hfo2)。
4.根据权利要求2所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(al2o3)。
5.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二材料的保护层包括金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的部件，其中，所述金属氮化物包括氮化铝(aln)。
7.根据权利要求1所述的部件，还包括位于保护性顶层顶部的牺牲层。
8.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层包括金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的部件，其中，所述金属氧化物包括氧化铝(al2o3)。
10.根据权利要求1所述的部件，其中，所述衬里的第一材料包括从包括碳化硅(sic)和碳化钽(tac)的组中选择的碳化物。
11.根据权利要求1所述的部件，其中，所述基底材料包括石墨。
12.根据权利要求1所述的部件，其中，所述部件是用于将衬底保持在反应室中的衬底支撑组件、用于形成反应室的反应室壁、用于分隔反应室的分隔器组件、用于在反应室中提供气体的注射器组件或用于从反应室中去除气体的排气组件。
13.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层在顶部设置有碳化硅(sic)层。
14.根据权利要求7所述的部件，其中，所述牺牲层在顶部设置有碳化硅(sic)层。
15.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括不同于碳化硅(sic)的金属碳化物，优选碳化钽(tac)。
16.根据权利要求1所述的部件，其中，所述保护层包括指示层，其包括指示金属，以发出所述部件的清洁过程的进展的信号。
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【专利技术属性】
技术研发人员：I·尤丹诺夫，C·沃克霍文，L·Y·王，I·J·拉伊杰马克斯，O·卡利尔，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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