磁存储装置制造方法及图纸

本公开涉及磁存储装置。实施例提供了包括具有优异特性的磁阻效应元件的磁存储装置。根据一个实施例，磁存储装置包括第一和第二磁性层以及非磁性层，其中非磁性层包括包含镁和氧的第一氧化物层、包含镁和氧的第二氧化物层、包含锌和氧的第三氧化物层、包含第一预定元素和氧的第四氧化物层，以及包含第二预定元素和氧的第五氧化物层，并且第一预定元素的氧化物的晶体结构和第二预定元素的氧化物的晶体结构均为岩盐结构。第一预定元素和第二预定元素均具有比锌的氧化物形成自由能大的氧化物形成自由能，并且，第一预定元素的氧化物和第二预定元素的氧化物均具有比镁的氧化物的带隙窄的带隙。

【技术实现步骤摘要】

本文描述的实施例一般地涉及磁存储装置。

技术介绍

1、已经提出了一种其中磁阻效应元件被集成在半导体衬底上的磁存储装置。

技术实现思路

1、实施例提供了一种具有优异特性的包括磁阻效应元件的磁存储装置。

2、一般地，根据一个实施例，提供了一种磁存储装置，该磁存储装置包括：具有可变磁化方向的第一磁性层、具有固定磁化方向的第二磁性层，以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，其中，所述非磁性层包括：第一氧化物层，其设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间，并且包含镁(mg)和氧(o)；第二氧化物层，其设置在所述第二磁性层和所述第一氧化物层之间，并且包含镁(mg)和氧(o)；第三氧化物层，其设置在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之间，并且包含锌(zn)和氧(o)；第四氧化物层，其设置在所述第一磁性层和所述第一氧化物层之间，并且包含第一预定元素和氧(o)；以及第五氧化物层，其设置在所述第二磁性层和所述第二氧化物层之间，并且包含第二预定元素和氧(o)。所述第一预定元素的氧化物的晶体结构和所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁存储装置，包括具有可变磁化方向的第一磁性层、具有固定磁化方向的第二磁性层、以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，所述非磁性层包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的磁存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

6.一种磁存储装置，包括具有可变磁化方向的第一磁性层、具有固定磁化方向的第二磁性层、以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，所述非磁性层包括：

7.根据权利要求6所述的磁存储装置...

【技术特征摘要】

1.一种磁存储装置，包括具有可变磁化方向的第一磁性层、具有固定磁化方向的第二磁性层、以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，所述非磁性层包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的磁存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

6.一种磁存储装置，包括具有可变磁化方向的第一磁性层、具有固定磁化方向的第二磁性层、以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，所述非磁性层包括：

7.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中

9.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

10.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

11.一种磁存储装置，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池刚央，野本梨菜，金谷宏行，中山昌彦，渡边大辅，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：