【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体元件及其制备方法，尤其涉及一种包括键结结构的半导体元件。
技术介绍
1、随着电子工业的快速发展，集成电路(integrated circuits，ic)的发展已经实现了高性能化和小型化，ic材料和设计方面的技术进步产生了多代的ic，每一代都具有比上一代更小、更复杂的电路。
2、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)设备是一种随机存取存储器，它将每一位(bit)的数据存储在集成电路内的单独电容中。通常，dram以每个单元一个电容和晶体管的方形阵列排列。已经为4f2 dram单元开发了垂直晶体管，其中f代表微影的最小特征宽度或临界尺寸(critical dimension，cd)。然而，最近随着字元线间距的不断缩小，dram制造商面临着缩小存储器单元面积的巨大挑战。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的另一方面提供一种半导体元件的制备方法，该制备方法包括：提供一第一基底；形成一第一介电层在该第一基底上；提供一第二基底，该第二基底包括在该第二基底上方的一金属化层；形成一第二介电层在该金属化层的上方；键结该第一介电层与该第二介电层，以形成该第一基底与该第二基底之间的一键结结构；图案化该第二基底以在该键结结构上形成一堆叠结构；图案化该金属
2、本公开的另一方面提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一第一基底；形成一导电特征在该第一基底上；形成一第一介电层在该导电特征上；提供一第二基底，该第二基底包括一支撑部分及一移转部分；形成一金属化层在该第二基底的该移转部分上；形成一第二介电层在该金属化层上；键结该第一介电层与该第二介电层；移除该第二基底的该支撑部分；图案化该第二基底的该移转部分以形成一通道层；图案化该金属化层以形成一位元线；及形成围绕该通道层的一字元线。该第二基底还包括一分离部分在该支撑部分与该移转部分之间，以及该制备方法还包括移除该第二基底的该分离部分。
3、本公开的实施例提供一种半导体元件及其制备方法。在两个基底的键结过程中，使用了熔接技术。熔接技术包括将形成在两个独立基底上的两个介电层进行键结。在一比较例中，两个基底通过金属与金属的键结而键结，导致在金属层之间的交界面处形成空洞，这种空洞可能使通过图案化金属层而形成的位元线不稳定，导致低产率。在本公开的实施例中，在键结的介电层之间的交界面处形成空洞，介电层中的空洞具有相对小的尺寸。此外，本公开的位元线没有空洞，与比较例相比，产率将得以获得提高。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第二基底包括一支撑部分和一移转部分，且该制备方法还包括在形成该键结结构之后从该移转部份移除该支撑部分。
3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中该第二基底的该移转部分包括具有一第一导电类型的一第一掺杂区域与具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂区域。
4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其中该第一掺杂区域的一部分经由该字元线暴露，且该第二掺杂区域被该字元线完全覆盖。
5.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一介电层由一沉积技术形成。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第二介电层由一沉积技术形成。
7.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中一对准特征形成在该第一基底之上，以及该对准特征用以在键结该第一介电层与该第二介电层时对准该第一基底和该第二基底。
8.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，还包括：
9.一种半导体元件的制备方法，包括
10.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，其中一对准特征形成在该第一基底之上，以及该对准特征用以在键结该第一介电层与该第二介电层时对准该第一基底和该第二基底。
11.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中图案化该第二基底的该移转部分包含移除该对准特征上的该移转部份。
12.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，还包括在该通道层上形成一电容。
13.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，还包括形成一导电插塞穿透该第一介电层与该第二介电层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第二基底包括一支撑部分和一移转部分，且该制备方法还包括在形成该键结结构之后从该移转部份移除该支撑部分。
3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中该第二基底的该移转部分包括具有一第一导电类型的一第一掺杂区域与具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂区域。
4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其中该第一掺杂区域的一部分经由该字元线暴露，且该第二掺杂区域被该字元线完全覆盖。
5.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一介电层由一沉积技术形成。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第二介电层由一沉积技术形成。
7.如权利要求1所述的半导体元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗翊仁，施江林，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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