【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体设备，特别是涉及上电极机构与等离子体处理装置。
技术介绍
1、传统地，等离子体处理装置广泛用于等离子体化学气相沉积装置、等离子体溅射装置、等离子体刻蚀装置、等离子体离子注入和掺杂装置等，以在基板上形成薄膜。作为产生等离子体的方法，存在诸如容性耦合等离子体(ccp)法、感性耦合等离子体(icp)法、电子回旋共振(ecr)等离子体法、微波等离子体法等多种方法。在这多种方法中，电容耦合等离子体刻蚀设备(后文简称等离子体处理装置)是一种由施加在极板上的射频电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并用于刻蚀的设备。其包括真空反应腔，真空反应腔侧壁上设置一开口用于容纳基板进出。设置于反应腔内的上电极、静电卡盘与下电极，上电极和下电极之间形成一反应区域，静电卡盘用于支撑基板并与下电极相连。至少一射频电源通过匹配网络施加到上电极或下电极之一，在上电极和下电极之间产生射频电场，用以将反应区域的反应气体解离为等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基板的表面发生多种物理和化学反应，使得基板表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。
2、为了能实现对静电卡盘上的基板进行均匀蚀刻，等离子体处理装置还包括与上电极相互贴合设置的气体分配盘。请参阅图1与图2，图1示意出了传统的气体分配盘110与上电极120的剖视结构示意图；图2示意出了传统的气体分配盘110面向于上电极120的表面的结构示意图。其中，气体分配盘110上布置有多个出气孔，以及还设有由中心至外围依次设置的至
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种上电极机构与等离子体处理装置，它能够提高密封性，减少维护成本，增加机台正常运行时间，以及大大提高产能。
2、其技术方案如下：一种上电极机构，所述上电极机构包括：
3、气体分配件，所述气体分配件上设有多个第一出气孔；以及
4、晶体电极，所述晶体电极与所述气体分配件相互贴合，所述晶体电极上设有多个第二出气孔，多个所述第二出气孔与多个所述第一出气孔一一对应连通设置。
5、在其中一个实施例中，所述气体分配件与所述晶体电极相互贴合的表面的形状相适应，并相互紧密贴合。
6、在其中一个实施例中，所述气体分配件包括至少两个出气区，每个所述出气区均设有多个所述第一出气孔；相邻的所述出气区之间设置有密封槽。
7、在其中一个实施例中，所述气体分配件包括从中心至外围的方向上依次设置的第一出气区、第二出气区与第三出气区；每个所述出气区的所述第一出气孔的数量相同。
8、在其中一个实施例中，每个所述出气区还均设有多个第一分支通道、多个第二分支通道与合路通道；所述第一分支通道沿着所述气体分配件的径向方向设置，并分别与多个所述第一出气孔连通；多个所述第二分支通道的一端与多个所述第一分支通道一一对应连通；多个所述第二分支通道的另一端与所述合路通道相连通。
9、在其中一个实施例中，所述气体分配件包括第一主体部和环绕设于所述第一主体部外围的第一外围部，所述晶体电极包括第二主体部和环绕设于所述第二主体部外围的第二外围部；所述第一主体部的表面尺寸及形状与所述晶体电极的表面尺寸及形状相同。
10、在其中一个实施例中，所述第一主体部的厚度大于所述第一外围部的厚度，所述第二主体部的厚度大于所述第二外围部的厚度。
11、在其中一个实施例中，，所述上电极机构还包括压紧件与至少一个锁紧组件；所述压紧件环绕所述晶体电极的周向设置；所述压紧件设有压紧部与连接部，所述压紧部与所述晶体电极的所述第二外围部相互抵接，所述连接部与所述气体分配件的所述第一外围部相互抵接；所述锁紧组件连接所述压紧件与所述气体分配件的所述第一外围部。
12、在其中一个实施例中，所述上电极机构还包括绝缘遮挡件；所述绝缘遮挡件与所述压紧件相连，所述绝缘遮挡件覆盖于背离于所述气体分配件的所述压紧件的表面。
13、在其中一个实施例中，所述锁紧组件为多个，并环绕所述晶体电极依次间隔布置于所述压紧件上。
14、在其中一个实施例中，所述锁紧组件包括螺栓以及第一组合垫；所述螺栓的螺杆依次穿过并连接所述压紧件与所述气体分配件；所述第一组合垫设置于所述螺栓的头部与所述压紧件之间；
15、所述第一组合垫包括套设于所述螺杆上的两个第一垫圈，所述第一垫圈的第一侧面上设有多个楔形齿，所述第一垫圈的第二侧面为防滑面；两个所述第一垫圈的楔形齿相互紧密贴合；其中一个所述第一垫圈的所述第二侧面与所述压紧件相互紧密贴合，另一个所述第一垫圈的所述第二侧面与所述螺栓的头部相互紧密贴合。
16、在其中一个实施例中，所述锁紧组件还包括套设于所述螺栓的螺杆外部的第二组合垫；所述第二组合垫位于所述压紧件与所述气体分配件之间；
17、所述第二组合垫包括套设于所述螺杆上的两个第二垫圈，其中一个所述第二垫圈的其中一侧面上设有凸起，另一个所述第二垫圈的另一侧面上设有与凸起相适应的凹部，所述凸起插入到所述凹部中。
18、在其中一个实施例中，所述气体分配件为气体分配板或气体分配盘；和/或，所述上电极机构还包括与所述气体分配件导热相连的冷却件和/或加热件。
19、一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括所述的上电极机构。
20、在其中一个实施例中，所述等离子体处理装置还包括反应腔室，以及与所述上电极机构相对间隔设置的支撑部，所述上电极机构与所述支撑部设置于所述反应腔室内，所述支撑部用于支撑基板；所述等离子体处理装置还包括抽吸机构，所述抽吸机构与所述反应腔室连通。
21、上述的上电极机构与等离子体处理装置，由于晶体电极上的多个第二出气孔与气体分配件上的多个第一出气孔对应连通设置，这样气体分配件的等离子体气体可以通过第一出气孔对应地输送给第二出气孔，经晶体电极的第二出气孔进入到反应腔室中，能保证基板表面的蚀刻的均匀性。此外，由于等离子体气体通过第一出气孔对应地输送给第二出气孔，便无需采用传统的密封圈对气体分配件输出的气体进行分区，进而可以将传统的气体分配盘上的密封圈给移除，从而不存在密封圈脱落、安装不到位、安装位置错误等缺陷，可以很大程度上保证等离子体气体不会发生泄漏。此外，可以大大节省机台维护时间与人力成本，无需因为等离子体气体泄漏导致停机维护以及机台报警，避免了维护后花费长时间复机，即能使得机台更快回线，增加机台上线率，提高产能。
22、此外，将晶体电极的密封圈移除，并且配合锁紧组件本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种上电极机构，其特征在于，所述上电极机构包括：
2.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件与所述晶体电极相互贴合的表面的形状相适应，并相互紧密贴合。
3.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括至少两个出气区，每个所述出气区均设有多个所述第一出气孔；相邻的所述出气区之间设置有密封槽。
4.根据权利要求3所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括从中心至外围的方向上依次设置的第一出气区、第二出气区与第三出气区；每个所述出气区的所述第一出气孔的数量相同。
5.根据权利要求3所述的上电极机构，其特征在于，每个所述出气区还均设有多个第一分支通道、多个第二分支通道与合路通道；所述第一分支通道沿着所述气体分配件的径向方向设置，并分别与多个所述第一出气孔连通；多个所述第二分支通道的一端与多个所述第一分支通道一一对应连通；多个所述第二分支通道的另一端与所述合路通道相连通。
6.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括第一主体部和环绕设于所述第一主体部外围的第一外
7.根据权利要求6所述的上电极机构，其特征在于，所述第一主体部的厚度大于所述第一外围部的厚度，所述第二主体部的厚度大于所述第二外围部的厚度。
8.根据权利要求6所述的上电极机构，其特征在于，所述上电极机构还包括压紧件与至少一个锁紧组件；所述压紧件环绕所述晶体电极的周向设置；所述压紧件设有压紧部与连接部，所述压紧部与所述晶体电极的所述第二外围部相互抵接，所述连接部与所述气体分配件的所述第一外围部相互抵接；所述锁紧组件连接所述压紧件与所述气体分配件的所述第一外围部。
9.根据权利要求8所述的上电极机构，其特征在于，所述上电极机构还包括绝缘遮挡件；所述绝缘遮挡件与所述压紧件相连，所述绝缘遮挡件覆盖于背离于所述气体分配件的所述压紧件的表面。
10.根据权利要求8所述的上电极机构，其特征在于，所述锁紧组件为多个，并环绕所述晶体电极依次间隔布置于所述压紧件上。
11.根据权利要求8所述的上电极机构，其特征在于，所述锁紧组件包括螺栓以及第一组合垫；所述螺栓的螺杆依次穿过并连接所述压紧件与所述气体分配件；所述第一组合垫设置于所述螺栓的头部与所述压紧件之间；
12.根据权利要求11所述的上电极机构，其特征在于，所述锁紧组件还包括套设于所述螺栓的螺杆外部的第二组合垫；所述第二组合垫位于所述压紧件与所述气体分配件之间；
13.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件为气体分配板或气体分配盘；和/或，所述上电极机构还包括与所述气体分配件导热相连的冷却件和/或加热件。
14.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括如权利要求1至13任意一项所述的上电极机构。
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括反应腔室，以及与所述上电极机构相对间隔设置的支撑部，所述上电极机构与所述支撑部设置于所述反应腔室内，所述支撑部用于支撑基板；所述等离子体处理装置还包括抽吸机构，所述抽吸机构与所述反应腔室连通。
...【技术特征摘要】
1.一种上电极机构，其特征在于，所述上电极机构包括：
2.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件与所述晶体电极相互贴合的表面的形状相适应，并相互紧密贴合。
3.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括至少两个出气区，每个所述出气区均设有多个所述第一出气孔；相邻的所述出气区之间设置有密封槽。
4.根据权利要求3所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括从中心至外围的方向上依次设置的第一出气区、第二出气区与第三出气区；每个所述出气区的所述第一出气孔的数量相同。
5.根据权利要求3所述的上电极机构，其特征在于，每个所述出气区还均设有多个第一分支通道、多个第二分支通道与合路通道；所述第一分支通道沿着所述气体分配件的径向方向设置，并分别与多个所述第一出气孔连通；多个所述第二分支通道的一端与多个所述第一分支通道一一对应连通；多个所述第二分支通道的另一端与所述合路通道相连通。
6.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述气体分配件包括第一主体部和环绕设于所述第一主体部外围的第一外围部，所述晶体电极包括第二主体部和环绕设于所述第二主体部外围的第二外围部；所述第一主体部的表面尺寸及形状与所述晶体电极的表面尺寸及形状相同。
7.根据权利要求6所述的上电极机构，其特征在于，所述第一主体部的厚度大于所述第一外围部的厚度，所述第二主体部的厚度大于所述第二外围部的厚度。
8.根据权利要求6所述的上电极机构，其特征在于，所述上电极机构还包括压紧件与至少一个锁紧组件；所述压紧件环绕所述晶体电极的周向设置；所述压紧件设有压紧部与...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏中阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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