【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路,具体而言,涉及一种可靠性测试装置及可靠性测试方法。
技术介绍
1、lpddr(low power double data rate synchronous dynamic random accessmemory,双数据速率同步动态随机存储器)是一种同步的dram存储器,它拥有比同代ddr内存更低的功耗和更小的体积。
2、通常,lpddr等芯片主要应用在非标准板级应用场景下,因此需要对此类芯片在非标准板级应用场景下进行板级可靠性评估。
3、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种可靠性测试装置及可靠性测试方法,以提供一种对芯片进行板级可靠性评估的方法。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本专利技术的实践而习得。
3、根据本公开的第一方面,提供一种可靠性测试
...【技术保护点】
1.一种可靠性测试装置,其特征在于,所述装置包括:测试芯片和测试板;其中,
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:设置在所述测试芯片上的芯片端连接线和设置在所述测试板上的测试测试板端连接线;其中,
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:至少两个测试端口;其中,
4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述芯片金属垫与其相对应的所述测试板金属垫通过金属间键合连接。
5.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述芯片金属垫与其相对应的所述测试板金属垫通过焊接件连接。
< ...【技术特征摘要】
1.一种可靠性测试装置,其特征在于,所述装置包括:测试芯片和测试板;其中,
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:设置在所述测试芯片上的芯片端连接线和设置在所述测试板上的测试测试板端连接线;其中,
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:至少两个测试端口;其中,
4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述芯片金属垫与其相对应的所述测试板金属垫通过金属间键合连接。
5.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述芯片金属垫与其相对应的所述测试板金属垫通过焊接件连接。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,多个所述焊接件分为不同的焊接件组,每一组所述焊接件组内的所述焊接件串联连接;
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述测试芯片与普通芯片的封装特性一致。
...【专利技术属性】
技术研发人员:杨辉鹏,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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