【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管器件的制备方法。
技术介绍
1、目前(al)gan基深紫外发光二极管因为其在空气净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的广泛应用前景而受到持续关注。然而，现有工艺制备的深紫外发光二极管器件存在以下问题：第一，制备的深紫外发光二极管器件的电压偏高，造成其光电转换效率低，同时导致深紫外发光二极管器件在正常工作下的温度偏高，使得外延芯片散热能力差；第二，传统深紫外发光二极管器件的制备工艺过程复杂、成本高、良率低，且对于一些潜在的隐患需在芯片封装成灯珠、模组或者集成后出现，比如漏电、死灯、发光不均匀等，增加了耗材、人力、时间成本，同时降低了良率。
2、因此，亟需一种深紫外发光二极管器件的制备方法以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种深紫外发光二极管器件及其制备方法，用于改善现有技术制备的深紫外发光二极管器件的良率过低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管器件的制备方法，上述方法包括：首先，在衬底上外延生长多个发光结构；之后，在发光结构表面形成接触电极组件，并对接触电极组件进行一次退火处理；再之后，在电极组件表面形成加厚电极组件；再之后，在发光结构表面形成绝缘组件，绝缘组件暴露出加厚电极组件；最后，在加厚电极组件表面形成焊盘组件；
3、其中，在进行s30步骤之后，至少对加厚电极组件进行二次退火处理，在进行二次退火处理的过
4、优选地，s20具体包括：
5、s201，在发光结构表面形成n型接触电极，并对n型接触电极进行n型退火处理；
6、s202，在发光结构表面形成p型接触电极，并对p型接触电极进行p型退火处理。
7、优选地，s20具体包括：
8、s201，在发光结构表面形成p型接触电极，并对p型接触电极进行p型退火处理；
9、s202，在发光结构表面形成n型接触电极，并对n型接触电极进行n型退火处理。
10、优选地，n型退火处理中，退火温度为700～950℃，退火时间为15～360s，退火气体氛围为氮气；p型退火处理中，退火温度为200～600℃，退火时间为1～10min，退火气体氛围为氧气。
11、优选地，n型接触电极至少包括cr、al、ti、au、pt、rh以及pd中的任意一种，p型接触电极至少包括niau、ito、rh、al、ti、au、pt以及pd中的任意一种。
12、优选地，s201步骤中，在形成发光结构的台阶状结构之前，在发光结构表面形成p型接触电极。
13、优选地，在进行s30步骤之后且进行s40步骤之前，对接触电极组件以及加厚电极组件均进行二次退火处理。
14、优选地，在s40步骤中，在相邻的两个发光结构表面形成连接电极组件，连接电极组件包括n型连接电极以及p型连接电极，n型连接电极用于将多个n型接触电极电连接，p型连接电极用于将多个p型接触电极电连接。
15、优选地，在进行s40步骤之后且进行s50步骤之前，对接触电极组件、加厚电极组件以及连接电极组件均进行二次退火处理。
16、优选地，在进行s50步骤之后，对接触电极组件、加厚电极组件、连接电极组件以及焊盘组件均进行所述二次退火处理。
17、本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管器件的制备方法，上述方法包括：首先，在衬底上外延生长多个发光结构；之后，在发光结构表面形成接触电极组件，并对接触电极组件进行一次退火处理；再之后，在电极组件表面形成加厚电极组件；再之后，在发光结构表面形成绝缘组件，绝缘组件暴露出加厚电极组件；最后，在加厚电极组件表面形成焊盘组件；其中，在进行s30步骤之后，至少对加厚电极组件进行二次退火处理，在进行二次退火处理的过程中，二次退火温度为200～650℃，二次退火时间为1～10min，二次退火氛围为氮气氛围、氧气氛围、氮气与氧气的混合氛围以及真空氛围中的任意一种；本专利技术通过至少对加厚电极组件进行二次退火处理，可以对加厚电极组件与其他外延膜层之间的应力起到释放作用，避免膜层之间出现裂纹、空洞等现象，降低了深紫外发光二极管器件发生漏电、死灯等现象，从而提高了深紫外发光二极管器件的生产良率。
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1.一种深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述S20具体包括：
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述S20具体包括：
4.根据权利要求2或者3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述N型退火处理中，退火温度为700～950℃，退火时间为15～360s，退火气体氛围为氮气；所述P型退火处理中，退火温度为200～600℃，退火时间为1～10min，退火气体氛围为氧气。
5.根据权利要求2或者3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述N型接触电极至少包括Cr、Al、Ti、Au、Pt、Rh以及Pd中的任意一种，所述P型接触电极至少包括NiAu、ITO、Rh、Al、Ti、Au、Pt以及Pd中的任意一种。
6.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述S201步骤中，在形成所述发光结构的台阶状结构之前，在所述发光结构表面形成所述P型接触电极。
<...【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述s20具体包括：
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述s20具体包括：
4.根据权利要求2或者3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述n型退火处理中，退火温度为700～950℃，退火时间为15～360s，退火气体氛围为氮气；所述p型退火处理中，退火温度为200～600℃，退火时间为1～10min，退火气体氛围为氧气。
5.根据权利要求2或者3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述n型接触电极至少包括cr、al、ti、au、pt、rh以及pd中的任意一种，所述p型接触电极至少包括niau、ito、rh、al、ti、au、pt以及pd中的任意一种。
6.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述s201步骤中，在形成所述发光结构的台阶状结构之前，在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张爽，罗红波，李红霞，郑志强，张顺，张会雪，
申请(专利权)人：武汉优炜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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