【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种半导体工艺方法。
技术介绍
1、现有技术中对硬掩膜层进行刻蚀后，通过对cd(critical dimension，关键尺寸)量测的结果看出，如图1所示，硬掩膜层2进行蚀刻后的位置的侧壁22显示出参差不齐的条纹形貌21(striation)，fa(failure analysis，失效分析)时进行切片的结果也表现出侧壁有许多条纹形貌，以此验证了硬掩膜层蚀刻后条纹形貌的存在，这种侧壁上条纹形貌的存在会严重降低硬掩膜层的蚀刻形貌的达标率，且会在使用硬掩膜层蚀刻待刻蚀层时形成同样的条纹形貌，后续在图形化的待刻蚀层空隙内进行填充层的填充时，由于存在条纹形貌的待刻蚀层的侧壁不光滑，会造成填充层填充不彻底，影响后续电性等关键数据。
2、因此，提供一种可以减少或消除硬掩膜层侧壁产生的条纹形貌的工艺方法，实属必要。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种半导体工艺方法，用于解决现有技术中硬掩膜层的形成过程中存在条纹形貌影响良率的问题。
2、为实现上述目的，本申请提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括：
3、形成位于待刻蚀层的上表面的硬掩膜层及位于所述硬掩膜层的上表面的光刻胶层；
4、采用光刻工艺，光刻所述光刻胶层，以形成位于所述光刻胶层内的沟槽位置；
5、采用干法刻蚀工艺，经由所述沟槽位置刻蚀所述硬掩膜层，以形成由所述硬掩膜层的上表面延伸至所述待刻蚀层的上表面的
6、所述干法刻蚀时所述反应腔内的压强大于等于250mt，和/或干法刻蚀时的低频电源功率小于等于600w；
7、去除所述光刻胶层。
8、可选地，所述干法刻蚀时所述反应腔内的压强为250mt-350mt，所述干法刻蚀时的低频电源功率为500w-600w。
9、可选地，所述干法刻蚀的反应气体中包括刻蚀气体和氧气。
10、可选地，所述硬掩膜层中所述第一沟槽所占的面积与所述硬掩膜层的总面积的比值小于等于40％。
11、可选地，所述反应气体中的刻蚀气体与氧气的流量比值小于等于15。
12、可选地，所述反应气体中的刻蚀气体与氧气的流量比值小于等于10。
13、可选地，所述半导体工艺方法还包括：
14、经由所述第一沟槽向下刻蚀所述待刻蚀层，以形成由所述待刻蚀层的上表面延伸至其内部的第二沟槽。
15、可选地，所述半导体工艺方法还包括：
16、对所述待刻蚀层进行图形化刻蚀后，于所述待刻蚀层被刻蚀后形成的所述第二沟槽内填充预设的填充材料层。
17、可选地，所述硬掩膜层的材料为二氧化硅。
18、可选地，所述待刻蚀层与所述光刻胶层之间设置有抗反射层，和/或所述待刻蚀层包括外延层和位于所述外延层上的氧化层。
19、如上，本申请的半导体结构及半导体工艺方法，具有以下有益效果：
20、本申请通过提高刻蚀硬掩膜层的压强并降低刻蚀硬掩膜层的低频功率，降低刻蚀副产物的产生速率和分布广度，减少硬掩膜层侧壁的条纹形貌，提高反应腔内的元件寿命；
21、本申请通过在刻蚀气体中增加氧气，将刻蚀副产物及时吹扫清除，减少副产物附着在侧壁上形成的条纹形貌；
22、本申请在硬掩膜层被刻蚀的面积占比较少时，通入氧气与刻蚀气体同时消耗图形化硬掩膜层的光刻胶层，减少刻蚀气体与光刻胶层反应产生的副产物，减少硬掩膜层侧壁的条纹形貌。
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1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述干法刻蚀时所述反应腔内的压强为250mT-350mT，所述干法刻蚀时的低频电源功率为500W-600W。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述干法刻蚀的反应气体中包括刻蚀气体和氧气。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述硬掩膜层中所述第一沟槽所占的面积与所述硬掩膜层的总面积的比值小于等于40％。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述反应气体中的刻蚀气体与氧气的流量比值小于等于15。
6.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述反应气体中的刻蚀气体与氧气的流量比值小于等于10。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法还包括：经由所述第一沟槽向下刻蚀所述待刻蚀层，以形成由所述待刻蚀层的上表面延伸至其内部的第二沟槽。
8.根据权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方
9.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为二氧化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述待刻蚀层与所述光刻胶层之间设置有抗反射层，和/或所述待刻蚀层包括外延层和位于所述外延层上的氧化层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述干法刻蚀时所述反应腔内的压强为250mt-350mt，所述干法刻蚀时的低频电源功率为500w-600w。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述干法刻蚀的反应气体中包括刻蚀气体和氧气。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述硬掩膜层中所述第一沟槽所占的面积与所述硬掩膜层的总面积的比值小于等于40％。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述反应气体中的刻蚀气体与氧气的流量比值小于等于15。
6.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述反应...
【专利技术属性】
技术研发人员：沙帅，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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