一种半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件的制备方法，首先在外延层中形成呈梯形结构的第一沟槽，第一沟槽的底边长度小于其顶边长度，再形成位于外延层上方的硬掩膜层，硬掩膜层暴露出第一沟槽的底面，最后经由硬掩膜层刻蚀外延层，形成由第一沟槽的侧壁延伸至外延层内部的第二沟槽。由于第一沟槽的底边长度小于其顶边长度，有利于多晶硅的填充，避免在多晶硅中产生缝隙或空洞等缺陷，从而提高了器件的品质和性能；另外，在刻蚀形成第二沟槽的过程中，硬掩膜层能够对第一沟槽进行保护，使其不受损伤，进一步提高了器件的可靠性；最后，本申请提供的方法操作简便，大大节省了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件制造领域，具体的，涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、沟槽栅mosfet功率半导体器件中存在沟槽隔离结构，在制备沟槽隔离结构的过程中，先形成沟槽，再在沟槽内生长绝缘层和屏蔽导体，以形成器件的栅极氧化层与栅极。然而，基于绝缘层的生长工艺特点，会在沟槽中形成顶部较厚而底部较薄的绝缘层，导致生长绝缘层后的沟槽的顶部开口宽度小于沟槽内部的宽度，在进一步填充屏蔽导体时，屏蔽导体中会形成空洞或缝隙等缺陷，引发器件漏电、耐压降低、可靠性变差等问题。

2、现有技术中，一种解决方式是减薄顶部绝缘层的厚度，但该方法会造成绝缘层损伤，影响器件可靠性，另外，刻蚀后的绝缘层较薄，高电压下容易击穿，导致器件失效；另一种解决方式是对沟槽内的屏蔽导体进行多次回刻和淀积，以消除空洞的产生，但该方法较为繁琐，成本较高，且回刻蚀过程中屏蔽导体的刻蚀量不易控制，极易造成绝缘层损伤，另外，多次回刻和沉积需使用不同机型操作，重复过程中颗粒和刻蚀聚合物无法控制，极易对屏蔽导体造成缺陷。

技术实现思路p>

1、鉴于以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述外延层之后还包括：形成位于所述外延层上表面的氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与底边的夹角介于95°～125°。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述刻蚀窗口包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀窗口的宽度W3大于或等...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述外延层之后还包括：形成位于所述外延层上表面的氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与底边的夹角介于95°～125°。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述刻蚀窗口包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀窗...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛勇军，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：