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本申请提供一种半导体器件的制备方法，首先在外延层中形成呈梯形结构的第一沟槽，第一沟槽的底边长度小于其顶边长度，再形成位于外延层上方的硬掩膜层，硬掩膜层暴露出第一沟槽的底面，最后经由硬掩膜层刻蚀外延层，形成由第一沟槽的侧壁延伸至外延层内部的第...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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