基板处理装置及保护层的形成方法制造方法及图纸

技术编号：40655972 阅读：10 留言：0更新日期：2024-03-13 21:32

本发明专利技术提供一种可保护研磨工序后的金属区域的表面不会氧化或是在研磨后的工序中产生的切削屑或粒子不会附着于接合表面的基板处理装置以及保护层的形成方法。本发明专利技术的基板处理装置具备：研磨装置，该研磨装置用于研磨半导体的基板；保护层形成装置，该保护层形成装置用于使用硅烷偶联剂或树脂保护膜剂在基板的表面形成保护层；及控制装置，控制装置控制研磨装置及保护层形成装置，以使在研磨装置对于基板的研磨结束后，使保护层形成装置在基板形成保护层。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于基板处理装置及保护层的形成方法。

技术介绍

1、在电子领域中会使用将半导体的基板接合的技术。例如，作为将多片晶圆积层的wafer on wafer(wow)技术，专利文献1及专利文献2中公开了这种将半导体的基板接合的技术。又，作为将已切割的芯片积层在晶圆上的chip on wafer(cow)技术，专利文献3公开了这种将半导体基板接合的技术。

2、专利文献1公开的将含有具有金属区域的接合面的基板彼此接合的方法包含如下工序：研磨具有金属区域的接合面的步骤、对于已研磨的接合面进行表面活性化处理且进行亲水化处理的步骤、将基板的接合面彼此贴合而形成基板接合体的步骤以及将基板接合体加热而使金属进行固相扩散的步骤。

3、又，专利文献2及专利文献3公开的将两片基板接合的方法包含如下工序：将两片基板的接合面的至少一面亲水化的亲水化处理工序、以及在亲水化处理工序之后将两片基板接合的接合工序。

4、在专利文献4及专利文献5公开的晶圆的切割工序及后续工序中，芯片表面上会附着切削屑或粒子。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特许第六425317号公报

8、专利文献2：日本特许第六388272号公报

9、专利文献3：日本特许第六337400号公报

10、专利文献4：日本特许第三154194号公报

11、专利文献5：日本特开2021-190557号公报

12、专利技术要解决的问题

14、又，在专利文献2的基板接合方法中，在研磨工序后经过长时间的基板进行接合时，亦会发生与专利文献1的方法相同的问题。

15、又，在晶圆上积层芯片的cow中，包含用于将已研磨的晶圆分割成芯片的切割工序。在专利文献4公开的切割工序中，会发生因切割工序中的切削加工产生的切削粉末或粒子附着于芯片接合表面的问题。

16、从这些理由来看，需要一种可保护研磨工序后的金属区域表面不会氧化且保护其不受切削屑或粒子附着的影响的装置及方法。

技术实现思路

1、于是，本专利技术的目的在于提供一种可保护研磨工序后的金属区域表面不会氧化及研磨后的工序中产生的切削屑或粒子不会附着于接合表面的基板处理装置及保护层的形成方法。

2、[解决问题的技术手段]

3、一实施方式的基板处理装置，具备：研磨装置，该研磨装置用于研磨半导体的基板；保护层形成装置，该保护层形成装置用于使用硅烷偶联剂或树脂保护膜剂在所述基板的表面形成保护层；及控制装置，所述控制装置控制所述研磨装置及所述保护层形成装置，以使在所述研磨装置对于所述基板的研磨结束后，使所述保护层形成装置在所述基板形成所述保护层。

4、一实施方式的保护层的形成方法，具有如下工序：第一工序，研磨具有金属区域的半导体的基板；及第二工序，在所述第一工序之后，使用硅烷偶联剂或树脂保护膜剂在所述基板的表面形成保护层。

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【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.如权利要求1或4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

9.如引用权利要求4的权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

10.如权利要求1或4所述的基板处理装置，其特征在于，

11.如引用权利要求4的权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

12.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

13.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

14.一种保护层的形成方法，其特征在于，具有如下工序：

【技术特征摘要】