【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆疏水性检测方法、装置及计算机存储介质。
技术介绍
1、光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，光刻工艺包括准备晶圆、涂布光刻胶、前烘、曝光、后烘、显影和刻蚀等步骤，具体为通过曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到晶圆上。
2、其中，在涂布光刻胶的步骤中，为了提高晶圆与光刻胶之间的粘着力，通常在涂布前采用粘附(adhesion)工艺对晶圆进行疏水化处理，提高晶圆的疏水性，避免后续发生图形漂移的问题，在疏水化处理后，为了确认晶圆的疏水性是否良好，可以利用角度测量仪对滴落在晶圆上的水珠的接触角进行测量，进而完成对晶圆的疏水性检测，但是，现有的疏水性检测方法的检测精度较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种晶圆疏水性检测方法、装置及计算机存储介质；能够解决现有技术中疏水性检测方法检测精度较低的技术问题。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了晶圆疏水性检测方法，包括：
4、将待测晶圆沿径向划分为多个检测区域；
5、对各所述检测区域进行疏水性检测得到各所述检测区域的疏水性参数，并确定多个所述疏水性参数的极差；
6、在所述极差小于预设阈值时，判定所述待测晶圆的疏水性合格。
7、在一些示例中，所述疏水性参数包括接触角；
8、所述对各所述检测区域进行疏水性检测
9、在所述检测区域中确定多个检测子区域；
10、获取多个所述检测子区域的接触角；
11、将多个所述检测子区域的接触角的平均值作为所述检测区域的疏水性参数。
12、在一些示例中，所述在所述检测区域中确定多个检测子区域，包括：
13、对所述待测晶圆进行网格区域划分得到多个网格区域；
14、将所述检测区域内的多个所述网格区域作为所述检测子区域。
15、在一些示例中，所述获取多个所述检测子区域的接触角，包括：
16、在所述网格区域内获取三个等距点；
17、检测三个所述等距点的接触角，并将三个等距点的接触角的中位数或均值作为所述网格区域的接触角。
18、在一些示例中，所述将多个所述检测子区域的接触角的平均值作为所述检测区域的疏水性参数，包括：
19、获取各所述检测子区域内的接触角的统计学参数；
20、响应所述统计学参数满足预设条件，将多个所述检测子区域的接触角的平均值作为所述检测区域的疏水性参数。
21、在一些示例中，所述方法还包括：
22、响应所述统计学参数不满足所述预设条件，判定所述待测晶圆的疏水性不合格。
23、在一些示例中，所述方法还包括：
24、响应所述极差大于或等于所述预设阈值，判定所述待测晶圆的疏水性不合格。
25、第二方面，本公开实施例提供了晶圆疏水性检测装置，包括：
26、划分模块，将待测晶圆沿径向划分为多个检测区域；
27、检测模块，对各所述检测区域进行疏水性检测得到各所述检测区域的疏水性参数，并确定多个所述疏水性参数的极差；
28、判定模块，在所述极差小于预设阈值时，判定所述待测晶圆的疏水性合格。
29、第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现第一方面所述的晶圆疏水性检测方法。
30、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的晶圆疏水性检测方法。
31、本公开实施例提供了一种晶圆疏水性检测方法、装置及计算机存储介质；将待测晶圆沿径向划分为多个检测区域，并检测了待测晶圆中的多个检测区域的疏水性参数，以及确定上述疏水性参数的极差，利用极差来判断上述待测晶圆的疏水性是否合格，充分检测了晶圆径向方向的疏水性差异，在径向方向的疏水性差异满足预设条件时，才会判定晶圆疏水性合格，提升了对晶圆疏水性检测的精度。
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1.一种晶圆疏水性检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述疏水性参数包括接触角；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述检测区域中确定多个检测子区域，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取多个所述检测子区域的接触角，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将多个所述检测子区域的接触角的平均值作为所述检测区域的疏水性参数，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.一种晶圆疏水性检测装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至7任一所述的晶圆疏水性检测方法。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至7任一所述的晶圆疏水性检测方法。>...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆疏水性检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述疏水性参数包括接触角；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述检测区域中确定多个检测子区域，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取多个所述检测子区域的接触角，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将多个所述检测子区域的接触角的平均值作为所述检测区域的疏水性参数，包括：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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