【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构以及存储器。
技术介绍
1、动态随机存储器(dram，dynamic random access memory)包括阵列排布的存储单元(存储位)。每个存储单元包括一个晶体管和一个电容器，晶体管作为电容器和位线之间的开关，可以被耦合到晶体管的控制端的字线(wl，word line)激活，存储单元能够将二进制信息存储为电容器上的电荷。
2、动态随机存储器不仅包括多个重复阵列排布的存储单元，还包括用于选择执行读写操作的位线(bl，bit line)的位线选择单元，该位线选择单元控制位线bl开启或关闭，即控制是否通过该条位线对存储单元进行读写操作。然而，位线选择单元的设计面临诸多挑战。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提出一种半导体结构以及存储器。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
3、多个有源区，沿正交的第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向与所述有源区延伸的方向平行；
4、位线选择单元，包括分别位于彼此相邻的四个所述有源区上的第一栅极、第二栅极、第三栅极以及第四栅极，所述第一栅极和所述第二栅极沿所述第二方向延伸并相交于第一节点，所述第三栅极和所述第四栅极沿所述第二方向并相交于第二节点；以及连接线，所述连接线连接所述第一节点和所述第二节点且沿所述第一方向延伸；
5、多条位线，沿所述第一方向排布，每一所述位线包括均沿所述第二方向延伸且在所述第一方向错位
6、上述方案中，所述位线选择单元还包括：导电接触，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极以及第四栅极中任意一个栅极上且靠近所述连接线。
7、上述方案中，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影为长条状。
8、上述方案中，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影位于所述任意一个栅极在所述有源区所在平面的正投影内且与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
9、上述方案中，所述位线选择单元还包括：位线选择线，与所述导电接触连接且沿所述第二方向延伸，所述位线选择线在所述有源区所在平面的正投影与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
10、上述方案中，所述多个有源区中相互相邻的四个有源区包括第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一栅极位于所述第一有源区上，所述第二栅极位于所述第二有源区上，所述第三栅极位于所述第三有源区上，所述第四栅极位于所述第四有源区上；
11、所述第一节点位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，第二节点位于所述第三有源区和所述第四有源区之间。
12、上述方案中，多条位线包括沿所述第一方向依次排布的第一位线、第二位线、第三位线及第四位线，所述第一位线的第一部分和所述第二位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上，所述第三位线的第一部分和所述第四位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上。
13、上述方案中，所述第一位线、所述第二位线、所述第三位线以及所述第四位线之间的间距均相等。
14、上述方案中，所述位线选择单元还包括：位于相互相邻的四个有源区中每个有源区对应栅极两侧的源区和漏区；所述第一位线与所述第一栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第二位线与所述第二栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第三位线与所述第三栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第四位线与所述第四栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接。
15、上述方案中，所述第一位线、第二位线、第三位线及第四位线在所述有源区所在平面的正投影沿所述第一方向的总尺寸小于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极在所述有源区所在平面的正投影沿所述第一方向的总尺寸。
16、上述方案中，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第二方向的尺寸均相同，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第一方向的尺寸均相同。
17、上述方案中，所述连接线沿所述第二方向的尺寸大于或等于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第一方向的尺寸。
18、上述方案中，所述半导体结构包括多个位线选择单元，沿所述第一方向相邻的两个位线选择单元共用沿所述第二方向相邻的两个有源区。
19、根据本公开的另一方面，提供了一种存储器，包括：
20、上述任意一种半导体结构。
21、本公开实施例提出了一种半导体结构以及存储器。本公开各实施例中，形成的半导体结构包括多个有源区、位线选择单元以及多条位线；其中，位线选择单元包括均沿第二方向延伸的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极以及沿与第二方向垂直的第一方向延伸的连接线，并且第一栅极与第二栅极连接于第一节点，第三栅极与第四栅极连接于第二节点；连接线一端与第一节点连接，另一端与第二节点连接，可以理解的是，本公开实施例中位线选择单元包含的各栅极和连接线构成了“h”字型，该“h”字型的位线选择单元可以有效地减小工艺生产的难度，特别是有利于帮助光学邻近效应修正(opc，opticalproximity correction)改善位线选择单元实际的形状，有效地提高了产品产量以及良率；同时，多条位线，沿第一方向排布；每一位线包括均沿第二方向延伸且沿第一方向存在错位的第一部分和第二部分以及连接第一部分和第二部分的连接部，每一位线与一有源区连接，不同位线连接的有源区不同，可以理解的是，本公开各实施例中位线构成翻转90度的“z”字型，且位线在每个有源区中的主体呈直线，位线的直线主体可以有效地降低相邻的位线之间的耦合效应、噪声，从而提高半导体结构的性能。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择单元还包括：导电接触，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极以及第四栅极中任意一个栅极上且靠近所述连接线。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影为长条状。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影位于所述任意一个栅极在所述有源区所在平面的正投影内且与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择单元还包括：位线选择线，与所述导电接触连接且沿所述第二方向延伸，所述位线选择线在所述有源区所在平面的正投影与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个有源区中相互相邻的四个有源区包括第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一栅极位于所述第一有源区上，所述第二栅极位于所述第二有源区上，所述第三栅极位于所
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，多条位线包括沿所述第一方向依次排布的第一位线、第二位线、第三位线及第四位线，所述第一位线的第一部分和所述第二位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上，所述第三位线的第一部分和所述第四位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线、所述第二位线、所述第三位线以及所述第四位线之间的间距均相等。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择单元还包括：位于相互相邻的四个有源区中每个有源区对应栅极两侧的源区和漏区；所述第一位线与所述第一栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第二位线与所述第二栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第三位线与所述第三栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接，所述第四位线与所述第四栅极靠近所述连接线的一侧的源区或漏区连接。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线、第二位线、第三位线及第四位线在所述有源区所在平面的正投影沿所述第一方向的总尺寸小于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极在所述有源区所在平面的正投影沿所述第一方向的总尺寸。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第二方向的尺寸均相同，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第一方向的尺寸均相同。
12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述连接线沿所述第二方向的尺寸大于或等于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极沿所述第一方向的尺寸。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个位线选择单元，沿所述第一方向相邻的两个位线选择单元共用沿所述第二方向相邻的两个有源区。
14.一种存储器，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择单元还包括：导电接触，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极以及第四栅极中任意一个栅极上且靠近所述连接线。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影为长条状。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触在所述有源区所在平面的正投影位于所述任意一个栅极在所述有源区所在平面的正投影内且与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线选择单元还包括：位线选择线，与所述导电接触连接且沿所述第二方向延伸，所述位线选择线在所述有源区所在平面的正投影与所述位线在所述有源区所在平面的正投影相互分离。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个有源区中相互相邻的四个有源区包括第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一栅极位于所述第一有源区上，所述第二栅极位于所述第二有源区上，所述第三栅极位于所述第三有源区上，所述第四栅极位于所述第四有源区上；
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，多条位线包括沿所述第一方向依次排布的第一位线、第二位线、第三位线及第四位线，所述第一位线的第一部分和所述第二位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上，所述第三位线的第一部分和所述第四位线的第二部分处于平行于所述第二方向的同一直线上。
8.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：高毅成，车载龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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