一种CVD镀膜装置制造方法及图纸

技术编号:40617296 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-12 22:39
本技术涉及一种CVD镀膜装置,包括反应炉、镀膜管道、基体盒和镀料盒,反应炉的外部安装有保护壳,反应炉的底部安装有控制器,反应炉的一侧连通有抽真空管,镀膜管道固定连接于反应炉内部的中央,且镀膜管道的左右两端分别贯穿反应炉的左右两端,镀膜管道表面且靠近中央两侧的位置处分别设置有第一加热结构和第二加热结构,基体盒和镀料盒分别活动插接于镀膜管道内部且与第一加热结构和第二加热结构对应的位置处,镀膜管道内部的两侧均活动插接有隔热结构;本技术使得控制器能够分别控制第一加热器和第二加热器升温到不同程度,以满足基体镀膜和材料受热分解时所需要的温度,镀膜反应能够正常高效的进行。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及镀膜设备,具体为一种cvd镀膜装置。


技术介绍

1、cvd镀膜技术是一种高科技的表面处理技术,其原理为,在真空条件下,将镀料靶材加热并使其蒸发,使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面,并最终沉积在基体表面上的技术,从而形成一层均匀、致密、硬度高、化学惰性好的薄膜,该技术广泛应用于制造电子元器件、光学器件、机械零部件等高精度、高可靠性的产品中,以增强产品的性能和附加值。

2、目前cvd镀膜装置大多是对反应炉内部进行直接加热,导致基体和镀料所处的温度环境相同,无法使基体和材料在不同温度下进行受热,会影响镀膜效果,另外,反应炉内部的高温很容易对与镀膜管道相连的其他管道造成损坏。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本技术提供一种cvd镀膜装置,用于解决上述
技术介绍
所提出的问题。

2、本技术的一种cvd镀膜装置,包括反应炉、镀膜管道、基体盒和镀料盒,所述反应炉的外部安装有保护壳,所述反应炉的底部安装有控制器,所述反应炉的一侧连通有抽真空管,所述镀膜管道固定连接于反应炉内部的中央,且所述镀膜管道的左右两端分别贯穿反应炉的左右两端,所述镀膜管道表面且靠近中央两侧的位置处分别设置有第一加热结构和第二加热结构,所述基体盒和镀料盒分别活动插接于镀膜管道内部且与第一加热结构和第二加热结构对应的位置处,所述镀膜管道内部的两侧均活动插接有隔热结构。

3、作为本技术的进一步改进,所述保护壳的侧面为四分之三圆环形结构,所述保护壳的直径大于反应炉的直径,所述保护壳的表面均匀开设有通孔。

4、作为本技术的进一步改进,所述保护壳内壁的顶部沿水平方向等距离固定连接有连接杆,所述连接杆的底部与反应炉的顶部固定连接。

5、作为本技术的进一步改进,所述镀膜管道的左右两端均安装有连接法兰。

6、作为本技术的进一步改进,所述第一加热结构包括第一壳体,所述镀膜管道穿过第一壳体的中央并与第一壳体固定连接,所述第一壳体的内部设置有第一加热器,所述第一加热器与控制器电连接。

7、作为本技术的进一步改进,所述第二加热结构包括第二壳体,所述镀膜管道穿过第二壳体的中央并与第二壳体固定连接,所述第二壳体的内部设置有第二加热器,所述第二加热器与控制器电连接。

8、作为本技术的进一步改进,所述隔热结构包括通气管,所述通气管的表面沿水平方向等距离固定连接有隔热块,所述隔热块的直径与镀膜管道内壁的直径相同。

9、作为本技术的进一步改进,所述通气管的一端插接固定有把手。

10、与现有技术相比,本技术的有益效果如下:

11、1、本技术通过在镀膜管道一侧的第一壳体以及第一加热器,配合第镀膜管道另一侧设置的第二壳体以及第二加热器,使得控制器能够分别控制第一加热器和第二加热器升温到不同程度,以满足基体镀膜和材料受热分解时所需要的温度,镀膜反应能够正常高效的进行。

12、2、本技术通过在镀膜管道内壁两端设置的隔热结构,配合隔热结构中包括的通气管以及安装在通气管上的多个隔热块,使得通气管在插入镀膜管道内壁两端后,隔热块能够将镀膜管道的内壁贴合,实现封堵效果,防止管道中的热量全部传递到镀膜管道的端部,再配合通气管端部设置的把手,方便工作人员抽出封堵快和插入封堵快,为操作提供了便利。

13、3、本技术通过在反应炉外侧设置的保护壳,配合保护壳上设置的连杆,使得保护壳可以稳定的固定在反应炉的外侧,避免工作人员意外触碰到反应炉本体。

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【技术保护点】

1.一种CVD镀膜装置,包括反应炉(1)、镀膜管道(4)、基体盒(9)和镀料盒(10),其特征在于:所述反应炉(1)的外部安装有保护壳(11),所述反应炉(1)的底部安装有控制器(2),所述反应炉(1)的一侧连通有抽真空管(3);

2.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述保护壳(11)的侧面为四分之三圆环形结构,所述保护壳(11)的直径大于反应炉(1)的直径,所述保护壳(11)的表面均匀开设有通孔(13)。

3.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述保护壳(11)内壁的顶部沿水平方向等距离固定连接有连接杆(12),所述连接杆(12)的底部与反应炉(1)的顶部固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述镀膜管道(4)的左右两端均安装有连接法兰(401)。

5.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述第一加热结构包括第一壳体(5),所述镀膜管道(4)穿过第一壳体(5)的中央并与第一壳体(5)固定连接,所述第一壳体(5)的内部设置有第一加热器(6),所述第一加热器(6)与控制器(2)电连接。

6.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述第二加热结构包括第二壳体(7),所述镀膜管道(4)穿过第二壳体(7)的中央并与第二壳体(7)固定连接,所述第二壳体(7)的内部设置有第二加热器(8),所述第二加热器(8)与控制器(2)电连接。

7.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述隔热结构包括通气管(14),所述通气管(14)的表面沿水平方向等距离固定连接有隔热块(15),所述隔热块(15)的直径与镀膜管道(4)内壁的直径相同。

8.根据权利要求7所述的一种CVD镀膜装置,其特征在于:所述通气管(14)的一端插接固定有把手(16)。

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【技术特征摘要】

1.一种cvd镀膜装置,包括反应炉(1)、镀膜管道(4)、基体盒(9)和镀料盒(10),其特征在于:所述反应炉(1)的外部安装有保护壳(11),所述反应炉(1)的底部安装有控制器(2),所述反应炉(1)的一侧连通有抽真空管(3);

2.根据权利要求1所述的一种cvd镀膜装置,其特征在于:所述保护壳(11)的侧面为四分之三圆环形结构,所述保护壳(11)的直径大于反应炉(1)的直径,所述保护壳(11)的表面均匀开设有通孔(13)。

3.根据权利要求1所述的一种cvd镀膜装置,其特征在于:所述保护壳(11)内壁的顶部沿水平方向等距离固定连接有连接杆(12),所述连接杆(12)的底部与反应炉(1)的顶部固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种cvd镀膜装置,其特征在于:所述镀膜管道(4)的左右两端均安装有连接法兰(401)。

5.根据权利要求1所述的一种cvd镀膜装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹华威王丽向芯儿左飞龙
申请(专利权)人:湖北江海行纳米科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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