【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁控溅射领域靶材制造，尤其涉及一种低氧高致密的低熔点靶材焊接方法。
技术介绍
1、常规靶材一般采用低于靶材熔点的焊料进行靶材与背板的焊接。但低熔点靶材因本身熔点较低，难以选择合适的焊料。如铟熔点仅156.6℃，可选的snin焊料因与铟反应，会“熔蚀”铟靶，焊合率通常在90％以下，甚至造成焊接失效，同理，锡靶选择铟焊料也会与锡反应，熔蚀锡靶。对于钎焊难以焊接的靶材，另一种焊接方式为胶粘焊接，但导电胶一般较硬，焊接厚度难以控制，焊接层厚度过大导致靶面厚度相应减小，从而导致靶材寿命的降低；同时，胶粘焊接不可脱焊，若焊合率不合格，很难返工重新焊接，造成靶材报废，成本极高。对于低熔点靶材，另一种焊接方式为直接熔化焊接，将物料放置于熔炼炉坩埚内加热熔化，然后直接浇铸在背板内凝固，但该方法在坩埚内熔化易对物料造成二次污染，直接浇铸凝固易出现内部缺陷，致密度不高，且采用熔炼炉加工成本高、周期长、生产效率低下。因此，对于这类低熔点材料的焊接，急需一种低成本、高焊合率的焊接方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供一种低成本、高焊合率的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其包括：
3、第一步，在背板上加工出焊接凹槽并进行毛化处理；
4、第二步，将处理后的背板放入耐高温真空袋内，然后将低熔点靶材原料放入背板凹槽中后抽真空，最后充入惰性保护气体并密封获得焊接组件；p>
5、第三步，靶材一次性焊接成型，将密封后焊接组件放置于钎焊台上加热至靶材原料在背板凹槽内完全熔化形成熔池；
6、第四步，降温冷却至靶材原料成半凝固态，然后将耐高温真空袋内惰性气体抽出至真空状态；
7、第五步，冷却至常温后取出，进行机械加工获得成品靶材。
8、所述第一步中背板凹槽包含实际成品靶材的靶面部分，凹槽深度＞成品靶面厚度，凹槽直径＞靶面直径。
9、所述第一步中毛化处理可以采用喷砂、喷丸、电火花、激光等方式，提高凹槽内表面粗糙度的处理。
10、所述第二步中低熔点靶材原料体积＞凹槽体积，一次加料、放置于背板凹槽1/2半径内，熔化后不断向外铺展至充满整个背板凹槽。
11、所述第二步中耐高温真空袋为可耐400℃以上高温的聚酰亚胺等材质的真空袋。
12、所述第二步中惰性气体为氩气、氮气或氦气，气体充入量以真空袋部分鼓起，对背板凹槽完全无遮挡为准。
13、所述第三步中钎焊台设定温度为(t+5)℃～(t+100)℃，t指靶材原料的熔点。
14、所述第三步中熔池饱满，熔池上表面高于背板面，成弧形。
15、所述第四步中半凝固态设置温度为(t-40)℃～(t-10)℃，t指靶材原料的熔点。
16、所述第五步中成品靶材背板呈凸台状，焊接面高于背板法兰面。
17、本专利技术的有益效果
18、本专利技术提供的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，工艺简单、成本低廉，避免了低熔点靶材原料直接熔化焊接造成的氧化叠皮缺陷，及氧化导致的焊合率下降，可大幅提高生产效率及成型、焊接质量，焊合率可达到99％以上，有效解决了低熔点材料靶材加工繁多、焊合率低的难题。同时，靶面与背板间填充饱满，无缝隙，有效避免了钎焊靶材焊缝进水导致多次返工烘干的问题。
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1.一种低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第一步中背板凹槽包含实际成品靶材的靶面部分，凹槽深度＞成品靶面厚度，凹槽直径＞靶面直径。
3.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第一步中毛化处理可以采用喷砂、喷丸、电火花、激光方式。
4.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第二步中低熔点靶材原料体积＞凹槽体积，一次加料、放置于背板凹槽1/2半径内，熔化后不断向外铺展至充满整个背板凹槽。
5.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第二步中耐高温真空袋为可耐400℃以上高温。
6.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第二步中惰性气体为氩气、氮气或氦气。
7.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第三步中钎焊台设定温度为(T+5)℃～(T+100)℃，T指靶材原料的熔点。
8.如
9.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第四步中半凝固态设置温度为(T-40)℃～(T-10)℃，T指靶材原料的熔点。
10.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第五步中成品靶材背板呈凸台状，焊接面高于背板法兰面。
...【技术特征摘要】
1.一种低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第一步中背板凹槽包含实际成品靶材的靶面部分，凹槽深度＞成品靶面厚度，凹槽直径＞靶面直径。
3.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第一步中毛化处理可以采用喷砂、喷丸、电火花、激光方式。
4.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第二步中低熔点靶材原料体积＞凹槽体积，一次加料、放置于背板凹槽1/2半径内，熔化后不断向外铺展至充满整个背板凹槽。
5.如权利要求1所述的低氧高致密的低熔点靶材焊接方法，其特征在于：所述第二步中耐高温真空袋为可耐400℃以上高温。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李利利，贾倩，曹晓萌，丁照崇，何金江，李勇军，肖彤，张晓娜，户赫龙，
申请(专利权)人：有研亿金新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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