【技术实现步骤摘要】
一种靶材喷砂装置
[0001]本技术属于半导体靶材
,具体为一种靶材喷砂装置。
技术介绍
[0002]在半导体制造领域,利用磁控溅射方法可以在晶圆表面镀上金属,以形成双极型数字集成电路的欧姆接触或整流接触及多层金属电极结构。磁控溅射因较高的沉积率、较高的成膜质量而成为薄膜制备的重要手段之一,被广泛应用于集成电路制造、材料改性等诸多领域。
[0003]磁控溅射通过在真空环境里,电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子或者靶材分子,呈中性的靶材原子或者靶材分子沉积在基片上形成薄膜。
[0004]在磁控溅射过程中,随着溅射功率增加,溅射出的靶材原子数量增加,导致被等离子体碰撞至靶材边缘的靶材原子增多,从而会引起在靶材边缘处形成毛刺、凸起,甚至形成与靶材连接不紧固的反溅射层,严重时边缘一圈脱落,造成短路,从而影响产品的加工效率,增加生产成本。
[0005]因此,有必要提供一种新型的靶材喷砂装置以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
[0006]针对
技术介绍
中存在的问题,本技术提供了一种靶材喷砂装置,解决了当在靶材的内环边缘喷砂时,靶材的靶面容易损伤的问题,其特征在于,包括:上固定盖、靶材、底座、第一密封橡胶圈、第二密封橡胶圈、第三密封橡胶圈、第四密封橡胶圈、第五密封橡胶圈和调整垫片;其中,靶材的内侧设有喷砂位置,上固定盖盖合底座以形成用于盛放靶材的腔体,上固定盖与底座 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种靶材喷砂装置,其特征在于,包括:上固定盖(1)、靶材(2)、底座(3)、第一密封橡胶圈(7)、第二密封橡胶圈(8)、第三密封橡胶圈(9)、第四密封橡胶圈(10)、第五密封橡胶圈(11)和调整垫片(6);其中,靶材(2)的内侧设有喷砂位置(12),上固定盖(1)盖合底座(3)以形成用于盛放靶材(2)的腔体,上固定盖(1)与底座(3)之间设有内侧缝隙,内侧缝隙保证喷砂位置(12)裸露,上固定盖(1)与靶材(2)之间设有第二密封橡胶圈(8)和第三密封橡胶圈(9),靶材(2)与底座(3)之间设有第一密封橡胶圈(7)、第四密封橡胶圈(10)和第五密封橡胶圈(11)。2.根据权利要求1所述的一种靶材喷砂装置,其特征在于,所述上固定盖(1)与所述底座(3)之间设有外侧缝隙,外侧缝隙位置处设有调整垫片(6);连接螺栓(5)穿过上固定盖(1)的第一安装孔(101)和底座(3)的第二安装孔(301),压紧在上固定盖(1)的顶面上的螺帽(4)与连接螺栓(5)螺纹连接。3.根据权利要求2所述的一种靶材喷砂装置,其特征在于,所述调整垫片为圆环结构,所述调整垫片的外径为30
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40mm,所述调整垫片的内径为10
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20mm,所述调整垫片的厚度为5
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10mm。4.根据权利要求1所述的一种靶材喷砂装置,其特征在于,所述喷砂位置在所述靶材的内侧,所述喷砂位置的形状为第一圆形,所述第一圆形的直径为165
‑
175mm。5.根据权利要求1所述的一种靶材喷砂装置,其特征在于,所述上固定盖(1)由环状的上部体(110)和环状的下筒壁(120)一体构成,上固定盖(1)上开有贯穿上部体和下筒壁的第一安装孔(101),下筒壁和上部体围成的空间用于容纳靶材(2),所述下筒壁的内径比所述靶材(2)的外径大2mm;在所述上部体的中心位置开有圆台斜面,所述圆台斜面的底面直径比所述靶材(2)的靶面内直径大1
‑
3mm;所述上部体的底面开有内侧的第一密封槽(102)和外侧的第二密封槽(103);所述第三密封橡胶圈安装于所述第一密封槽中,所述第二密封橡胶圈安装于所述第二密封槽中。6.根据权利要求5所述的一种靶材喷砂装置,其特征在于,所述第二密封橡胶圈和所述第三密封橡胶圈均为圆环结构,所述第二密封橡胶...
【专利技术属性】
技术研发人员:王焕焕,万小勇,齐琦琦,滕海涛,张延宾,冯昭伟,
申请(专利权)人:有研亿金新材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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