【技术实现步骤摘要】
本申请涉及谐振器的，尤其是涉及一种晶圆级封装谐振器及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、传统的石英晶体谐振器结构通常由金属上盖、石英晶片和陶瓷基座构成，并采用真空或惰性气体封装。其中，石英晶片上下两面需蒸镀或溅射电极，并与陶瓷基座引脚相连。交流电压可通过引脚连通石英晶片的上下电极，使石英晶片产生逆压电效应，从而产生震荡。石英晶体谐振器因其频率的准确性和稳定性广泛应用在移动电子设备及通信装置等电子行业。
2、随着移动通信电子的迅速发展，器件小型化需求越来越高，石英晶体谐振器的小型化也势在必行。但目前传统封装结构下石英晶体谐振器如想进一步缩小尺寸，则会受制于大幅降低的良率及较高的材料成本和制造成本。因此，为了在顺应电子器件小型化趋势晶圆级封装谐振器逐渐成为行业内关注的热点。
3、相关文件中公开包括封装盖板、封装底板以及设置于所述封装盖板与所述封装底板之间的晶片的晶体谐振器，晶片包括基片及引脚端，在基片两端形成全包裹的引脚端，无需在基座外设置引脚端，同时省去对应的点胶工艺或者轮焊工艺，减小了晶体谐振器的外形尺寸。
4、针对上述中的相关技术，存在易受到外界震动或应力的影响，从而影响到谐振器的稳定性的问题。
技术实现思路
1、为了降低外界震动或应力的影响，提高晶圆级封装谐振器的稳定性，本申请的目的是提供一种晶圆级封装谐振器及其制备方法、电子设备。
2、第一方面，本申请提供的晶圆级封装谐振器采用如下的技术方案：
3、一种晶圆级封装谐
4、谐振部；
5、组装部，其套设于谐振部外周，且晶片通过组装部键合封装于晶圆上盖和晶圆基座间；
6、至少两个连接部，至少两个连接部分别连接于谐振部与组装部间，其中，每个连接部包括至少一个连续折弯。
7、通过采用上述技术方案，晶片的谐振部与组装部之间通过至少两个连接部连接，且每一连接部包括至少一个连续折弯，通过连续折弯的设置，提高对震动波能量传递的衰减效果，降低外界震动或应力的影响，提高晶圆级封装谐振器的稳定性，即提高晶圆级封装谐振器的抗震性，解决传统的晶圆级封装谐振器的键合相比于通过导电胶连接，更易受外界震动或应力影响的问题，满足降低尺寸的同时，提高抗震性。
8、可选的，每个连接部包括两个连续折弯，两个连续折弯的一端连接后与谐振部线连接，两个连续折弯的另一端沿背离的方向分别与组装部面连接。
9、通过采用上述技术方案，两个连续部的配合设置，提高连接部的抗震性，进一步，连接部与组装部之间通过扩张的面连接，保证整体装置的稳定性；同时，连接部与谐振部间线连接，削弱震动波能量传递效果；综合保证稳定性的同时，降低抗震效果。
10、可选的，组装部用于容纳谐振部的空间包括2n个对称设置的夹角，n≥2；
11、每一连接部与组装部的其中一夹角对应设置，连接部的另一端分别对应夹角的两侧面连接。
12、通过采用上述技术方案，每一连接部与其中一夹角对应设置，用于同步接收来自对应夹角的两侧面的震动，增强对夹角连接支撑的同时，提高接收震动波的效果。
13、可选的，每个连续折弯包括：
14、第一折弯，其包括一端与谐振部连接的上平直段、与上平直段相对间隔设置的中平直段、连接于上平直段和中平直段之间的第一过渡段，其中，第一过渡段为圆心角为90°的弧形或夹角为直角的v形；
15、第二折弯，其包括与中平直段相对间隔设置的下平直段、连接于下平直段和中平直段之间的第二过渡段、连接于第二过渡段自由端且与组装部面连接的连接段，其中，第二过渡段为圆心角为90°的弧形或分别垂直于中平直段和下平直段的直线形。
16、通过采用上述技术方案，第一折弯、第二折弯均包括90°过渡的折弯，90°过渡的结构提高对振动能量传递方向改变效果，进一步，第一过渡段和第二过渡段的线性设置能够满足受力需求的同时，进一步增强对振动能量传递方向改变效果，提高震动波能量传递的衰减效果。
17、可选的，晶圆上盖、晶圆基座、晶片均具有m个蚀刻侧壁，m≥2；
18、晶圆上盖与组装部相对部分、晶圆基座与组装部相对部分、组装部分别与晶圆上盖和晶圆基座相对的两侧、以及任一蚀刻侧壁均设置金属层；
19、晶圆上盖上的金属层、晶圆基座上的金属层、组装部上的金属层均刻蚀设置断路，以使组装部上每一金属层仅分别与其中一对应蚀刻侧壁的金属层连通。
20、通过采用上述技术方案，通过蚀刻侧壁的设置，蚀刻侧壁与对应的本体(晶圆上盖、晶圆基座、晶片)之间设置相同的金属层，结合断路设置，实现在组装部每一侧面配合蚀刻侧壁的金属层形成电极引出结构，减少了打孔、金属填充等工艺步骤，简化工艺步骤。
21、可选的，金属层包括铬层、钌层或钛层、金层。
22、通过采用上述技术方案，通过钌层或钛层的设置，形成阻挡，弱化键合过程中金属之间扩散作用，提高金属层间的键合效果，大幅提升键合后的气密性效果及良率。
23、可选的，蚀刻侧壁呈弧形。
24、通过采用上述技术方案，弧形设计利于刻蚀成型，提高产品良率。
25、可选的，谐振部、及组装部用于容纳谐振部的空间均呈矩形；
26、连接部为4个，且分设于谐振部的4角处；
27、晶圆上盖、晶圆基座、晶片均具有与连接部四角对应设置的4个蚀刻侧壁；
28、组装部上两个金属层电连通的蚀刻侧壁分设于对应组装部的对角处。
29、通过采用上述技术方案，通过矩形谐振部的设置，配合设于4角处的4个连接部，满足有效稳定性需求的同时，提高装置稳定性，进一步，配合蚀刻侧壁的设置，已在满足形成电极引出结构的同时，便于批量生产过程中的切割，简化制作工艺。
30、第二方面，本申请提供的晶圆级封装谐振器的制备方法采用如下的技术方案：
31、一种晶圆级封装谐振器的制备方法，包括以下步骤：
32、s1、分别制作上盖集合体、基座集合体、晶片集合体，均包括：
33、取晶圆刻蚀形成矩阵排列的谐振单元，其中，晶片集合体对应的谐振单元包括谐振部、至少两个连接部，每个连接部包括至少一个连续折弯；
34、在每一谐振单元周向间隔刻蚀对应晶圆形成一组贯穿缝；
35、在晶圆键合面的非谐振有效区、以及每个贯穿缝的蚀刻侧壁上形成金属层；
36、在晶片集合体对应的谐振单元两侧分别形成电极，每一电极与晶片集合体的其中一蚀刻侧壁电连通；
37、s2、依次叠设上盖集合体、基座集合体、晶片集合体后键合形成键合体；
38、s3、沿连通每组贯穿缝的方向切割键合体，形成晶圆级封装谐振器。
39、通过采用上述技术方案，首先，连接部的设置，且限定每一连接部包括至少一个连续折弯，满足降低尺寸的同时，提高抗震性；其次，通过贯穿缝设置，同步在非本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.晶圆级封装谐振器，其特征在于，包括晶圆上盖(1)、晶圆基座(2)、晶片(3)，所述晶片(3)包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，每个所述连接部(32)包括两个连续折弯(4)，两个连续折弯(4)的一端连接后与所述谐振部(30)线连接，两个连续折弯(4)的另一端沿背离的方向分别与所述组装部(31)面连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，所述组装部(31)用于容纳所述谐振部(30)的空间包括2n个对称设置的夹角，n≥2；
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，每个所述连续折弯(4)包括：
5.根据权利要求3所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，所述晶圆上盖(1)、所述晶圆基座(2)、所述晶片(3)均具有m个蚀刻侧壁(5)，m≥2；
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，所述金属层(6)包括铬层、钌层或钛层、金层。
7.根据权利要求5所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，所述蚀刻侧壁(5)呈弧形。
8.根据权利要求5所述的晶
9.晶圆级封装谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的晶圆级封装谐振器。
...【技术特征摘要】
1.晶圆级封装谐振器，其特征在于，包括晶圆上盖(1)、晶圆基座(2)、晶片(3)，所述晶片(3)包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，每个所述连接部(32)包括两个连续折弯(4)，两个连续折弯(4)的一端连接后与所述谐振部(30)线连接，两个连续折弯(4)的另一端沿背离的方向分别与所述组装部(31)面连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，所述组装部(31)用于容纳所述谐振部(30)的空间包括2n个对称设置的夹角，n≥2；
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装谐振器，其特征在于，每个所述连续折弯(4)包括：
5.根据权利要求3所述的晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：万杨，张小伟，刘明帆，彭康，
申请(专利权)人：泰晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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