System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种微波等离子体刻蚀装置及方法制造方法及图纸_技高网

一种微波等离子体刻蚀装置及方法制造方法及图纸

技术编号:39988937 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-09 02:07
本发明专利技术公开了一种微波等离子体刻蚀装置及方法,包括:刻蚀室、运动平台、等离子体火炬、供气组件及微波发生器,运动平台活动内置于刻蚀室,用于放置待加工物料,等离子体火炬包括喷嘴,喷嘴相对运动平台设置,并连接于刻蚀室的内壁,喷嘴的内部中空,且喷嘴相对运动平台开设有喷射孔,供气组件包括第一供气件,第一供气件的出气端与喷嘴的内部相连通,用于提供等离子体发生气体,微波发生器连接于喷嘴,用于为喷嘴提供微波信号,以形成等离子体火焰。本发明专利技术能解决现有技术中因等离子体形成过程中需要正负电极放电易产生偏压,从而导致静电放电损失的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体刻蚀,尤其涉及一种微波等离子体刻蚀装置及方法


技术介绍

1、为提升石英晶圆厚度加工后其表面的均匀性,等离子体刻蚀方法应运而生。

2、例如申请号为:cn201810534802.9的中国专利技术专利,名称为:一种半导体晶圆刻蚀装置,包括密闭壳体、静电吸附平台、上电极板、下电极板、环形绝缘保护板、绝缘底座、离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块,本专利技术通过离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块的相互配合工作,可有效降低或避免等离子体a与下电极板导通后产生电弧放电而击伤下电极板,延长了半导体晶圆刻蚀装置的使用寿命。但因等离子体形成过程中需要正负电极放电易产生偏压,从而导致静电放电损失。

3、因此,亟需一种微波等离子体刻蚀装置及方法,用于解决现有技术中因等离子体形成过程中需要正负电极放电易产生偏压,从而导致静电放电损失的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,有必要提供一种微波等离子体刻蚀装置及方法,解决现有技术中因等离子体形成过程中需要正负电极放电易产生偏压,从而导致静电放电损失的技术问题。

2、为达到上述技术目的,本专利技术的技术方案提供一种微波等离子体刻蚀装置,包括:

3、刻蚀室;

4、运动平台,所述运动平台活动内置于所述刻蚀室,用于放置待加工物料;

5、等离子体火炬,包括喷嘴,所述喷嘴相对所述运动平台设置,并连接于所述刻蚀室的内壁,所述喷嘴的内部中空,且所述喷嘴相对所述运动平台开设有喷射孔;

6、供气组件,包括第一供气件,所述第一供气件的出气端与所述喷嘴的内部相连通,用于提供等离子体发生气体;

7、微波发生器,所述微波发生器连接于所述喷嘴,用于为所述喷嘴提供微波信号,以形成等离子体火焰。

8、进一步的,所述喷嘴的侧壁开设有与所述空腔相连通的进气孔,所述等离子体火炬还包括同轴电极,所述同轴电极内置于所述石英管的内孔,并与所述喷射孔同轴设置,且所述微波发生器与所述同轴电极电性连接。

9、进一步的,所述等离子体火炬还包括石英管,所述石英管内置于所述空腔,并同轴套设于所述同轴电极,所述石英管的外壁与所述空腔的内壁之间形成有进气间隙,所述石英管的外壁开设有多个连通孔,多个所述连通孔沿所述石英管的圆周方向均匀分布,且所述进气间隙与所述进气孔和多个所述连通孔均相连通。

10、进一步的,所述同轴电极呈螺旋状,所述等离子体火炬还包括连接支架,所述连接支架的一端连接于所述喷嘴、另一端插设于所述石英管的内孔,所述同轴电极套设于所述连接支架。

11、进一步的,所述第一供气件包括三个第一气瓶和第一混合腔,三个所述第一气瓶并列设置,用于分别提供氧气、四氟化碳气体或六氟化硫气体,及氩气或氦气,所述第一混合腔的进气端与三个所述第一气瓶的出气端均相连通,所述第一混合腔的出气端与所述进气孔相连通。

12、进一步的,所述喷嘴的底部相对所述运动平台形成有突起部,且所述喷射孔贯穿所述突起部。

13、进一步的,所述突起部开设有环形腔,所述环形腔与所述喷射孔同轴设置,并与所述喷射孔相连通,所述突起部的外侧壁开设有辅助气孔,所述辅助气孔与所述环形腔相连通,所述供气组件还包括第二供气件,所述第二供气件的出气端与所述辅助气孔相连通,用于提供补充气体。

14、进一步的,所述第二供气件包括两个第二气瓶,两个所述第二气瓶并列设置,且两个所述第二气瓶的出气端分别与环形腔相连通,用于补充四氟化碳气体或六氟化硫气体、氩气或氦气。

15、进一步的,所述第二供气件还包括第二混合腔,所述第二混合腔的进气端与两个所述第二气瓶的出气端,所述第二混合腔的出气端与所述辅助气孔相连通。

16、本专利技术的技术方案还提供一种微波等离子体刻蚀方法,其运用如上述中任一项所述的微波等离子体刻蚀装置,包括如下步骤:

17、s1、将待加工的石英晶圆放置于运动平台上;

18、s2、打开三个第一气瓶,并按氧气:四氟化碳气体或六氟化硫气体:氩气或氦气=0.01~0.1:0.01~0.2:2~5的供气体积比将混合气体通入第一混合腔内,待混合均匀后再通入进气间隙;

19、s3、启动微波发生器,并在喷嘴内形成等离子体,并使得等离子体通过喷射孔外喷等离子体火焰,以形成对石英晶圆表面的刻蚀加工;

20、s4、打开两个第二气瓶,补充的四氟化碳气体或六氟化硫气体、氩气或氦气通入喷嘴,形成稳定的等离子体火焰。

21、与现有技术相比,本专利技术的有益效果包括:运动平台内置于刻蚀室,并可以在其自身所在平面平动,用于放置物料,刻蚀室内的环境压强可以为常压或者负压真空,喷嘴相对运动平台设置,并开设有喷射孔,第一供气件的出气端与喷嘴的内部相连通,用于提供等离子体发生气体,微波发生器连接于喷嘴,用于为所述喷嘴提供微波信号,以配合形成等离子体火焰。相较于现有技术,通过微波发生器代替射频电源,在随着等离子体发生气体的不断通入微波信号激励等离子体发生气体在空腔内形成等离子,并在喷嘴的喷射孔高速喷出,喷出的等离子火炬可以实现对石英晶圆的表面厚度进行加工,有助于提升表面均匀性,同时由于等离子体的形成不需要正电极和负电极,因此不会产生偏压,能用于解决现有技术中因等离子体形成过程中需要正负电极放电易产生偏压,从而导致静电放电损失的技术问题。

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【技术保护点】

1.一种微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述喷嘴的侧壁开设有与所述空腔相连通的进气孔,所述等离子体火炬还包括同轴电极,所述同轴电极内置于所述石英管的内孔,并与所述喷射孔同轴设置,且所述微波发生器与所述同轴电极电性连接。

3.根据权利要求2所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述等离子体火炬还包括石英管,所述石英管内置于所述空腔,并同轴套设于所述同轴电极,所述石英管的外壁与所述空腔的内壁之间形成有进气间隙,所述石英管的外壁开设有多个连通孔,多个所述连通孔沿所述石英管的圆周方向均匀分布,且所述进气间隙与所述进气孔和多个所述连通孔均相连通。

4.根据权利要求3所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述同轴电极呈螺旋状,所述等离子体火炬还包括连接支架,所述连接支架的一端连接于所述喷嘴、另一端插设于所述石英管的内孔,所述同轴电极套设于所述连接支架。

5.根据权利要求4所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述第一供气件包括三个第一气瓶和第一混合腔,三个所述第一气瓶并列设置,用于分别提供氧气、四氟化碳气体或六氟化硫气体,及氩气或氦气,所述第一混合腔的进气端与三个所述第一气瓶的出气端均相连通,所述第一混合腔的出气端与所述进气孔相连通。

6.根据权利要求5所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述喷嘴的底部相对所述运动平台形成有突起部,且所述喷射孔贯穿所述突起部。

7.根据权利要求6所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述突起部开设有环形腔,所述环形腔与所述喷射孔同轴设置,并与所述喷射孔相连通,所述突起部的外侧壁开设有辅助气孔,所述辅助气孔与所述环形腔相连通,所述供气组件还包括第二供气件,所述第二供气件的出气端与所述辅助气孔相连通,用于提供补充气体。

8.根据权利要求7所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述第二供气件包括两个第二气瓶,两个所述第二气瓶并列设置,且两个所述第二气瓶的出气端分别与环形腔相连通,用于补充四氟化碳气体或六氟化硫气体、氩气或氦气。

9.根据权利要求8所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述第二供气件还包括第二混合腔,所述第二混合腔的进气端与两个所述第二气瓶的出气端,所述第二混合腔的出气端与所述辅助气孔相连通。

10.一种微波等离子体刻蚀方法,其特征在于,其运用如权利要求1至9中任一项所述的微波等离子体刻蚀装置,包括如下步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述喷嘴的侧壁开设有与所述空腔相连通的进气孔,所述等离子体火炬还包括同轴电极,所述同轴电极内置于所述石英管的内孔,并与所述喷射孔同轴设置,且所述微波发生器与所述同轴电极电性连接。

3.根据权利要求2所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述等离子体火炬还包括石英管,所述石英管内置于所述空腔,并同轴套设于所述同轴电极,所述石英管的外壁与所述空腔的内壁之间形成有进气间隙,所述石英管的外壁开设有多个连通孔,多个所述连通孔沿所述石英管的圆周方向均匀分布,且所述进气间隙与所述进气孔和多个所述连通孔均相连通。

4.根据权利要求3所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述同轴电极呈螺旋状,所述等离子体火炬还包括连接支架,所述连接支架的一端连接于所述喷嘴、另一端插设于所述石英管的内孔,所述同轴电极套设于所述连接支架。

5.根据权利要求4所述的微波等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述第一供气件包括三个第一气瓶和第一混合腔,三个所述第一气瓶并列设置,用于分别提供氧气、四氟化碳气体或六氟化硫气体,及氩气或氦气,所述第一混合腔的进气端...

【专利技术属性】
技术研发人员:万杨张小伟刘明帆黄大勇
申请(专利权)人:泰晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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