【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、碳化硅(sic)类薄膜具有独特的物理、化学和机械性能，并被用于各种应用，特别是集成电路应用中。sic薄膜的种类包括经氧掺杂的碳化硅(也称为碳氧化硅)、经氮掺杂的碳化硅(也称为碳氮化硅)、以及经氧和氮掺杂的碳化硅(也称为碳氧氮化硅)、和未掺杂的碳化硅。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、提供了一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法。所述方法包含：在反应室中提供衬底；使含硅前体流入所述反应室中并朝向所述衬底流动；以及使共反应物与所述含硅前体一起流入所述反应室中。所述含硅前体(i)具有一或更多个si-h键和/或si-si键，(ii)具有一或更多个si-c键、si-n键和/或si-o键、(iii)没有c-o键、并且(iv)没有c-n键。所述共反应物是烃分子。所述方法还包含：在远程等离...
【技术保护点】
1.一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非沉积添加剂不会大量地改变所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的成分。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，相比于没有使用所述非沉积添加剂的经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的沉积，所述非沉积添加剂不会使所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的碳或硅的原子浓度发生等于或大于5％的变化。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢的自由基是在邻近所述衬底的环境中的处于所述基态的氢的自由基。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜是碳...
【技术特征摘要】
1.一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非沉积添加剂不会大量地改变所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的成分。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，相比于没有使用所述非沉积添加剂的经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的沉积，所述非沉积添加剂不会使所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜的碳或硅的原子浓度发生等于或大于5％的变化。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢的自由基是在邻近所述衬底的环境中的处于所述基态的氢的自由基。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜是碳氧化硅、碳氮化硅、或氧碳氮化硅的经掺杂的碳化硅膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃分子包含丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、乙炔、丙炔、丁炔、戊炔或己炔。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅前体与所述非沉积添加剂沿着相同流动路径同时流入所述反应室中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个凹入特征中的每一个具有大于10：1的深宽比。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅前体包含烷基碳硅烷、硅氧烷或硅氮烷。
10...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·斯科特·韦默，巴德里·N·瓦拉达拉简，龚波，桂喆，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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