【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的存储系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的数据存储系统中，需要可以存储大量数据的非易失性存储器件。因此，正在进行能够增加非易失性存储器件的数据存储容量的研究。例如，作为增加非易失性存储器件的数据存储容量的一种方法，提出了一种包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
1、本专利技术的方面提供了具有改进的裂纹检测可靠性的非易失性存储器件。
2、本专利技术的方面还提供了包括具有改进的裂纹检测可靠性的非易失性存储器件的存储系统。
3、然而，本专利技术的方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本专利技术的详细描述，本专利技术的上述和其他方面对于本专利技术所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。
4、根据本公开的一些实施例，提供了一种非易失性存储器件，包括：多条字线，在第一方向上延伸；多个单元接触插塞，电连接到多条字线并在与第一方向相交的第二方向上延伸；网状裂纹检测电路，在多条字线上且不与多条字线接触；以及环形裂纹检测电路，在多条字线上且不与多条字线接触，其中，网状裂纹检测电路电连接到外围电路区域中的裂纹检测晶体管，环形裂纹检测电路包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一裂纹检测金属布线、以及在第三方向上延伸的第二裂纹检测金属布线，并且第一裂纹检测金属布线在多条字线上且不与多条字线接触，以及第二裂纹检测金属布线在外围电路区域中。
5、
6、根据本公开的一些实施例，提供了一种存储系统，该存储系统包括：非易失性存储器件；以及控制器，被配置为控制非易失性存储器件，其中，非易失性存储器件包括：多条字线，在第一方向上延伸；多个单元接触插塞，电连接到多条字线并在与第一方向相交的第二方向上延伸；网状裂纹检测电路，在多条字线上且不与多条字线接触；以及环形裂纹检测电路，在多条字线上且不与多条字线接触，其中，网状裂纹检测电路电连接到外围电路区域中的裂纹检测晶体管，其中，环形裂纹检测电路包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一裂纹检测金属布线、以及在第三方向上延伸的第二裂纹检测金属布线，并且其中，第一裂纹检测金属布线在多条字线上且不与多条字线接触，以及其中，第二裂纹检测金属布线在外围电路区域中。
7、其他示例实施例的细节包括在详细描述和附图中。
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1.一种非易失性存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多条字线和所述多个单元接触插塞在单元区域中，
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述网状裂纹检测电路包括：
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述外围电路区域包括：
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一裂纹检测金属布线和所述第二裂纹检测金属布线彼此不电连接。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述网状裂纹检测电路包括：
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述网状裂纹检测电路还包括在单元区域中的第二裂纹检测上接合金属，
9.一种非易失性存储器件，包括：
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述第一裂纹检测金属布线和所述第二裂纹检测金属布线彼此不电连接。
11.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述网状裂纹检测电路包括：
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