【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置。
技术介绍
1、近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(electroluminescence，以下，称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置备受关注。在该有机el显示装置中，在作为图像的最小单元的每个子像素中设置有多个薄膜晶体管(thin filmtransistor，以下也称为“tft”)。在此，作为构成tft的半导体层，例如众所周知有由迁移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的in-ga-zn-o等氧化物半导体构成的半导体层等。
2、例如，在专利文献1中公开了将在由氧化物半导体构成的氧化物半导体层中形成沟道的晶体管用于像素部以及驱动电路部的显示装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利特许第6219562号公报
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、但是，在具备由氧化物半导体构成的半导体层的tft中，如果将氧化硅膜用于覆盖半导体层的层间绝缘膜，则周围的水分透过由氧化硅膜构成的层间绝缘膜到达半导体层，由此有可能发生tft的阈值电压向负侧偏移的耗尽偏移(depletion shift)。而且，即使在氧化硅膜上层叠具有防湿性的氮化硅膜，并将该层叠膜用作层间绝缘膜，由于由氮化硅膜产生的氢经由氧化硅膜到达半导体层，因此有可能发生耗尽偏移，因此还有改善的余地。
3、本专利技术是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制水分和氢的扩散引起的
4、解决问题的方案
5、为了达成上述目的，本专利技术所涉及的显示装置包括：基底基板层；以及薄膜晶体管层，其设于所述基底基板层上，在所述薄膜晶体管层中，按每个子像素设有第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第一半导体层，所述第一薄膜晶体管具备：所述第一半导体层，其中规定有相互分离的第一导体区域以及第二导体区域，并在该第一导体区域与该第二导体区域之间规定有第一沟道区域；第一栅极绝缘膜，其设于该第一半导体层上；第一栅极电极，其设于该第一栅极绝缘膜上，且控制所述第一导体区域与所述第二导体区域之间的导通；第一层间绝缘膜，其由以覆盖该第一栅极电极的方式设置的氧化硅膜构成；第二层间绝缘膜，其由设于该第一层间绝缘膜上的氮化硅膜构成；以及第一端子电极以及第二端子电极，其在该第二层间绝缘膜上设置为相互分离，且经由在所述第一层间绝缘膜以及第二层间绝缘膜中形成的第一接触孔以及第二接触孔，分别与所述第一导体区域以及所述第二导体区域电连接，在所述第二层间绝缘膜中形成有贯通孔，所述贯通孔以与所述第一沟道区域整体重叠的方式贯通该第二层间绝缘膜，在从所述贯通孔露出的所述第一层间绝缘膜以及该贯通孔的周缘部的表面一体地设置有金属覆盖层。
6、专利技术效果
7、根据本专利技术，能够抑制由于水分和氢的扩散而引起的耗尽偏移。
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1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
12.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：村重正悟，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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